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第四主族单硫属化合物异质结的物理性质研究

Study on the Physical Properties of Group 4 Monochalcogenide Heterojunctions
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摘要 二维四主族单硫属化合物是一类新型单分子层材料,由于其独特的光电特性,因此在纳米电子领域应用广泛。基于二维四主族单硫属化合物单分子层材料,构建了六种双分子层的范德华异质结。运用第一性原理计算,研究了这六种范德华异质结晶体的几何结构、稳定性和电子性质。研究结果表明,因层间范德华作用的影响,双分子层的范德华异质结晶体的晶格常数变大。六种异质结材料的结合能值都为负,说明它们都具有良好的热稳定性。相对于单分子层材料,双分子层范德华异质结材料的带隙值均明显减小。最后,研究了外加双轴应力对这些范德华异质结材料电子结构的影响。研究发现随应力的变化(90%-110%),异质结带隙值单调变化(0-1.19eV),且其电子结构类型可以在直接半导体、间接半导体和金属之间转变。这些材料的带隙在较宽范围内调控简易,因此它们在光催化、太阳能电池和场效应晶体管等领域具有潜在应用前景。
作者 胡永红 许易龙 王瑞洲 薛丽 毛彩霞 万珍珠 HU Yong-hong;XU Yi-long;WANG Rui-zhou;XUE Li;MAO Cai-xia;WAN Zhen-zhu
出处 《湖北科技学院学报》 2024年第1期133-136,156,共5页 Journal of Hubei University of Science and Technology
基金 2022年度国家级大学生创新创业训练计划项目(202210927002) 2022年教育部产学合作协同育人项目(221006642132813) 湖北科技学院教学研究项目(2020-21X26)资助。
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