摘要
阐述基于0.18μmCMOS工艺设计的一种低温漂张弛型振荡器。该张弛型振荡器在使用平均周期反馈控制的基础上采用金属薄膜电阻和金属-绝缘体-金属电容作为振荡单元,可以实现温度从-40~125℃变化时1%的频率漂移。
This paper describes a low-temperature drift relaxation oscillator designed based on 0.18μm CMOS technology.This relaxation type oscillator uses a metal thin film resistor and a metal insulator metal capacitor as oscillation units based on average period feedback control,and can achieve a frequency drift of 1%when the temperature changes from-40 to 125℃.
作者
梁国辉
LIANG Guohui(Shanghai Belling Co.,Ltd.,Shanghai 200233,China)
出处
《集成电路应用》
2024年第6期6-7,共2页
Application of IC
关键词
张弛型振荡器
高精度
低温漂
金属薄膜电阻
relaxation oscillator
high precision
low temperature drift
metal thin film resistor
