摘要
介绍了最新优化设计的双 E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度 ,即可制得不同量程的双 E型敏感硅芯片和加速度传感器。
The new silicon chip of dual-E detailed introduction of the structure and the realization of the technology is reported. Producing the chip and the sensitive element of different scales by controlling the thickness of different sensitive films.
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2003年第1期85-87,共3页
Chinese Journal of Sensors and Actuators
基金
专利号 :ZL0 12 4 9378.3
关键词
硅芯片
加速度传感器
silicon chip
accelerometer different sensitive element
