摘要
文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究。同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测试结果。
The energy bandgap, contact potential difference and potential barrier width of abrupt semiconductor heterojunctions are discussed and investigated in the paper Process technology for SiGe/Si HBT based on MBE is presented, and results of the experiment are provided
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期166-168,共3页
Microelectronics
基金
重庆邮电学院青年教师基金资助(A2001-13)
