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单壁碳纳米管中的金属-半导体转变与对称性

Metal-to-semiconductor transition and symmetry in single-walled carbon nanotubes
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摘要 报道了最近作者对受压扶手椅形单壁碳纳米管中的金属 -半导体转变机理的理论研究 .这种转变在两种因素的共同作用下得以发生 ,即外加压力造成碳纳米管镜像对称破缺 ,以及被压碳纳米管两侧原子发生成键相互作用 .作者还进一步揭示了发生这种转变的普遍机制 :只要将单壁碳纳米管中两套原来等价的子晶格变得可以区分 (对称性破缺 ) ,在费米能附近就会产生能隙 . We report our recent theoretical studies on the metal-to-semiconductor transition in squashed armchair single-walled carbon nanotubes. The transition can be achieved by a combined effect of the broken mirror symmetry and bond formation between the flattened faces in the squashed nanotubes. Furthermore, we reveal a general mechanism for this transition, namely the distinguishing of the two original equivalent sublattices in the nanotube (symmetry breaking) that opens an energy gap near the Fermi energy.
出处 《物理》 CAS 北大核心 2003年第8期503-505,共3页 Physics
基金 国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 1115 3 )资助项目 国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2001CB610508)资助项目 国家教育部全国优秀博士论文专项基金 (批准号:200017)资助项目 国家自然科学基金 (批准号 :10 2 740 3 8 10 10 40 10 )资助项目
关键词 单壁碳纳米管 金属-半导体转变 对称性 镜像对称破缺 能隙 电子学性质 子晶格 carbon nanotubes, metal-to-semiconductor transition
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