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SiGe HBT及高速电路的发展 被引量：5

The development of SiGe HBT and the application in RF circuits
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摘要 详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。 The combination of SiGe HBTs with advanced Si CMOS to form an SiGe BiCMOS technology represents a unique opportunity for Si-based RF system-on-chip solutions.SiGe HBT technology is reviewed and its application for RF systems is also discussed.
作者 姚飞 成步文 王启明
机构地区 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
出处 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期5-14,共10页 Micronanoelectronic Technology
关键词 SiGe HBT 噪声特性 结构 制作工艺 寄生效应 高速电路 异质结双极晶体管 功率放大器 硅锗 SiGe HBT RF LNA PA
分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献19

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同被引文献38

引证文献5

二级引证文献10

微纳电子技术
2003年 第10期

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