硅—玻璃静电键合工艺的研究
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1陈博,冯大明.硅玻静电键合工艺研究[J].集成电路通讯,2010(1):9-11. 被引量：2
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2王岩,徐宇新（审核）.键合[J].导航与控制,2005,12(4):30-30.
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3向涛,黄庆安,奏明,张会珍.反向刻蚀法制备场发射阴极阵列[J].电子器件,1994,17(3):86-88.
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4陈伟平,张丹,刘晓为,揣荣岩.基于静电键合过程模型的工艺仿真[J].中国机械工程,2005,16(z1):270-271.
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5张子鹤,刘振华,陈勇,卢云.压力传感器的硅玻静电键合[J].世界科技研究与发展,2011,33(2):268-270. 被引量：1
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6姚雅红,吕苗,赵彦军,崔战东.微传感器制造中的硅-玻璃静电键合技术[J].半导体技术,1999,24(4):19-23. 被引量：5
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7邓宏论.微硅加速度计中静电键合封接技术的应用[J].电子机械工程,2005,21(3):40-41.
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8刘翠荣,贾托胜,孟庆森,吴志生.多层静电键合专用设备的研制[J].焊接技术,2011,40(1):50-52.
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9任建军,陶盛,沈绍群.静电键合力引起硅微结构畸变的研究[J].仪表技术与传感器,1997(1):17-20. 被引量：4
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10赵慧,徐晨,霍文晓,赵林林,沈光地,邹德恕.一种适用于薄膜结构的静电键合方法[J].中国机械工程,2005,16(z1):430-431.
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