水平定向结晶法生长浓度渐变Yb∶YAG激光晶体及光谱性能研究

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作者 丁雨憧 张灵 +4 位作者 李海林 张月 唐杨 强铭 林辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1688-1698,共11页

本文采用水平定向结晶(HDC)法成功生长出180 mm×81 mm×16 mm的浓度渐变Yb∶YAG激光晶体,从放肩部位和尾部分别获取了尺寸为40 mm×40 mm×7 mm、70 mm×70 mm×7 mm的Yb∶YAG激光晶体板条各两件。采用632 nm... 本文采用水平定向结晶(HDC)法成功生长出180 mm×81 mm×16 mm的浓度渐变Yb∶YAG激光晶体,从放肩部位和尾部分别获取了尺寸为40 mm×40 mm×7 mm、70 mm×70 mm×7 mm的Yb∶YAG激光晶体板条各两件。采用632 nm激光、偏光应力仪对晶体板条的光学性质进行检测,实验结果发现靠近晶坯自由表面的板条内部通透,无散射光路,应力较小且分布均匀,表明该晶体板条具有优异的光学质量。进一步测试分析了晶体板条不同位置处的吸收光谱,根据935 nm波长处的吸收系数计算出Yb^(3+)的掺杂浓度,发现40 mm×40 mm×7 mm的激光晶体板条中Yb^(3+)掺杂浓度沿晶体生长方向逐步增加,浓度梯度约为0.42%/cm;而70 mm×70 mm×7 mm的激光晶体板条中Yb^(3+)掺杂浓度几乎保持不变,约为4.50%。 展开更多

关键词 浓度渐变 光谱性能 Yb∶YAG 水平定向结晶法 激光晶体

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氢离子注入钽酸锂的翘曲变化及颗粒研究

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作者 龙勇 肖梦涵 +5 位作者 陈哲明 邹少红 刘善琼 石自彬 丁雨憧 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期591-595,共5页

声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)... 声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)、聚焦离子束透射电镜(FIB-TEM)及颗粒测试仪等设备对注入内部应力、损伤和颗粒变化进行分析表征,解释了翘曲增大和颗粒增多的原因,并提出了相应的解决方法,最后成功制备了翘曲低、颗粒少的注入晶圆。通过键合工艺进一步验证,获得了无条纹和空洞等缺陷的高质量键合晶圆,为钽酸锂压电单晶复合薄膜的高效制备奠定了基础。 展开更多

关键词 离子注入 钽酸锂压电晶圆 翘曲 颗粒 键合

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用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究

3

作者 刘善群 丁雨憧 +5 位作者 陈哲明 石自彬 龙勇 邹少红 庾桂秋 张莉 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期700-703,728,共5页

高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合... 高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。 展开更多

关键词 压电单晶薄膜晶圆 清洗技术 离子注入 晶圆键合 表面洁净度

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硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究

4

作者 陈哲明 丁雨憧 +3 位作者 邹少红 龙勇 石自彬 马晋毅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期634-640,共7页

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Sma... 5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。 展开更多

关键词 硅基钽酸锂 低温直接键合 等离子活化 兆声清洗 预键合 键合加固 声表面波滤波器

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硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用 被引量：3

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作者 丁雨憧 何杰 +3 位作者 陈哲明 龙勇 毛世平 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期66-71,81,共7页

绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G... 绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。 展开更多

关键词 绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(LTOI) POI基板 声表面波 智能剥离技术 晶体离子注入剥离(CIS) 晶圆键合

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42°Y钽酸锂晶体生长及性能研究 被引量：3

6

作者 于明晓 龙勇 +3 位作者 石自彬 陈哲明 邹少红 丁雨憧 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期26-28,共3页

钽酸锂晶体具有优异的压电性能,是声表面波(SAW)滤波器广泛使用的衬底材料。该文采用自主研制的提拉单晶炉,成功生长出4英寸、42°Y方向、外观完整的钽酸锂晶体。经可见及近红外分光光度计测试,晶体透过率接近80%;经X线摇摆测试,其... 钽酸锂晶体具有优异的压电性能,是声表面波(SAW)滤波器广泛使用的衬底材料。该文采用自主研制的提拉单晶炉,成功生长出4英寸、42°Y方向、外观完整的钽酸锂晶体。经可见及近红外分光光度计测试,晶体透过率接近80%;经X线摇摆测试,其半高全峰宽(FWHM)为28.4″,单晶性较好;采用差热分析仪对生长的晶体头尾进行居里温度测试,居里温度偏差为4.4℃。声表面波性能测试结果表明,钽酸锂晶体的声表面波速度、机电耦合系数和频率温度系数等指标均满足SAW滤波器的使用要求。 展开更多

关键词 钽酸锂 晶体 提拉法 声表面波滤波器

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JGD提拉单晶炉生长控制的智能化

7

作者 陈川贵 丁雨憧 +4 位作者 龙勇 何晔 张晟 王桥臻 黄馨阅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期529-533,共5页

激光单晶(JGD)提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,该单晶炉采用高精密电子秤作为传感器。JGD提拉单晶炉控制软件以晶体质量为控制目标,而其他控制软件是以功率或温度为控制目标。该控制软件将晶体理论质量与电子秤实际质量... 激光单晶(JGD)提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,该单晶炉采用高精密电子秤作为传感器。JGD提拉单晶炉控制软件以晶体质量为控制目标,而其他控制软件是以功率或温度为控制目标。该控制软件将晶体理论质量与电子秤实际质量进行比较,形成闭环负反馈,以微分、积分和比例(PID)理论智能控制实现晶体生长。自动控制生长出多种高品质晶体(如InSb、YAG、LYSO、TGG、Ti:Al_(2)O_(3)等),生长过程无需人为干预。软件利用SQLServer数据库收集生长过程数据,实现大数据分析。结果表明,该软件集成了远程监视功能,可提高生产效率。 展开更多

关键词 自动化 晶体 温场 数据库 数字化 智能化

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JGD提拉单晶炉晶体模型的数字化

8

作者 陈川贵 丁雨憧 +4 位作者 龙勇 何晔 吴昊 岑伟 李青蔚 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期333-338,共6页

中国电科芯片研究院生产的JGD提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,它实现了提拉法晶体全自动智能生长控制。利用JGD提拉单晶炉控制软件建立提拉法晶体数学模型,晶体生长全程以数学模型为标准,以晶体质量为控制量进行实时闭... 中国电科芯片研究院生产的JGD提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,它实现了提拉法晶体全自动智能生长控制。利用JGD提拉单晶炉控制软件建立提拉法晶体数学模型,晶体生长全程以数学模型为标准,以晶体质量为控制量进行实时闭环反馈控制。该软件建立的晶体数学模型有四段式晶体数学模型和任意多段晶体数学模型两种形式。在设计放肩段时,四段式晶体数学模型充分体现了晶体籽晶段与放肩段、等径段三位一体平滑过渡的理念;而任意多段晶体数学模型在曲线设计上更加灵活多样,晶体数学模型设计更便捷。JGD提拉单晶炉控制软件晶体数学模型被广泛用于多种晶体生长过程,如InSb、YAG等晶体。晶体外形控制良好、品质优良。 展开更多

关键词 自动化 晶体 温场 晶体数学模型 数字化

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晶体倒角工艺改进方法研究

9

作者 罗夏林 甘禹 +4 位作者 王强 冉孟红 丁雨憧 胡吉海 王洪刚 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第2期255-257,共3页

针对非标准尺寸的晶块和晶圆在倒角过程中存在崩边、崩缺等问题,该文通过设计并排式组合夹具和真空吸附盘组件将产品固定,同时设计45°和弧形刀具,然后采用单一直线和正偏移路径进行加工。实验结果表明,与传统的倒角工艺相比,优化... 针对非标准尺寸的晶块和晶圆在倒角过程中存在崩边、崩缺等问题,该文通过设计并排式组合夹具和真空吸附盘组件将产品固定,同时设计45°和弧形刀具,然后采用单一直线和正偏移路径进行加工。实验结果表明,与传统的倒角工艺相比,优化能大幅度地降低倒角过程中产生的崩边、崩缺等问题,不合格率从14.78%降低到3.09%,有利于批量生产。 展开更多

关键词 晶体 倒角工艺 崩边 崩缺 批量生产

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掺铈钆铝镓石榴石闪烁晶体的研究进展及应用 被引量：4

10

作者 丁雨憧 何杰 +4 位作者 胡少勤 王强 屈菁菁 白彦君 邱海莲 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第2期281-289,共9页

掺铈钆铝镓石榴石(Ce∶GAGG)是一种新型的无机闪烁晶体材料,在核医学成像、环境辐照剂量监测、空间探测、国土安全及地质勘探等领域有广阔的应用前景。该文总结了Ce∶GAGG闪烁晶体在国内外的最新研究进展,综述了Ce∶GAGG闪烁体探测器在... 掺铈钆铝镓石榴石(Ce∶GAGG)是一种新型的无机闪烁晶体材料,在核医学成像、环境辐照剂量监测、空间探测、国土安全及地质勘探等领域有广阔的应用前景。该文总结了Ce∶GAGG闪烁晶体在国内外的最新研究进展,综述了Ce∶GAGG闪烁体探测器在地基、空基和天基搭载平台上的应用,最后展望了Ce∶GAGG晶体材料及其应用的发展方向。 展开更多

关键词 掺铈钆铝镓石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体 闪烁体探测器 辐射监测 Γ相机 康普顿相机 正电子发射断层扫描(PET)

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?5.5cm Lu_3Al_5O_(12)∶Pr晶体生长与闪烁性能研究 被引量：2

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作者 丁雨憧 刘军 +7 位作者 冯大建 李和新 岑伟 王佳 石自彬 龙勇 付昌禄 胡少勤 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第4期543-545,549,共4页

采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的... 采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的发光中心波长为308nm,光输出为19 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为23ns。 展开更多

关键词 镥铝石榴石晶体 闪烁晶体 提拉法生长 光输出 衰减时间

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Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究 被引量：15

12

作者 冯大建 丁雨憧 +3 位作者 刘军 李和新 付昌禄 胡少勤 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期430-432,共3页

采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm... 采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。 展开更多

关键词 闪烁晶体 石榴石 Ce:GAGG 提拉法 光输出

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大尺寸TGG晶体生长与性能研究 被引量：11

13

作者 龙勇 石自彬 +3 位作者 丁雨憧 王佳 徐扬 付昌禄 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期433-436,共4页

铽镓石榴石(Tb_3Ga_5O_(12),TGG)晶体具有大的Verdet常数、低的透射损耗、高的热导率及高的激光损伤阈值,是制作高功率全固态激光器中法拉第隔离器的最佳磁光材料。采用自主研发的JGD-800型上称重自动提拉炉,成功生长出φ53mm×80mm... 铽镓石榴石(Tb_3Ga_5O_(12),TGG)晶体具有大的Verdet常数、低的透射损耗、高的热导率及高的激光损伤阈值,是制作高功率全固态激光器中法拉第隔离器的最佳磁光材料。采用自主研发的JGD-800型上称重自动提拉炉,成功生长出φ53mm×80mm,外观完整,无开裂、无螺旋的TGG晶体。加工了用于高功率隔离器、尺寸为φ40mm×30mm的TGG样品,通过可见及近红外分光光度计测试,晶体透过率约为80.6%;测试晶体的室温热导率为4.566 W/(m·K),其热导率随温度升高而下降。热膨胀测试结果表明,在26.5~200℃时,热膨胀系数为-2.682 0×10-6 K^(-1);在200~500℃时,热膨胀系数为15.090 4×10^(-6) K^(-1)。通过正交消光法测试1 064nm波长晶体的Verdet常数为39.9rad/(mT);经ZYGO干涉仪测试晶体的光学均匀性为4.3×10^(-6),透射波前为λ/5(波长λ=632.8nm);采用波长1 064nm,10Hz、9ns激光测试晶体的激光损伤阈值为3.5GW/cm^2。结果表明,本实验方法生长的大尺寸TGG晶体质量较好,在高功率全固态激光器领域中具有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 铽镓石榴石(TGG)晶体 提拉法 透过率 光学均匀性 激光损伤阈值 Verdet常数

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TGG晶体偏心生长研究 被引量：8

14

作者 龙勇 徐扬 +3 位作者 石自彬 丁雨憧 王佳 付昌禄 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第2期277-279,共3页

目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,... 目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,并提出了相应的解决方法,最后成功生长出外观完整(44 mm×70mm)的TGG晶体。通过对比圆柱状和螺旋状晶体透过率的不同,进一步解释了偏心生长的原因。 展开更多

关键词 铽镓石榴石(Tb3Ga5O12 TGG)晶体 偏心生长 Ga2O3挥发 热辐射 提拉法

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钽酸锂黑片的制备与性能研究 被引量：3

15

作者 龙勇 于明晓 +5 位作者 李和新 石自彬 王璐 丁雨憧 徐扬 吴兆刚 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第3期340-343,共4页

为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·... 为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。 展开更多

关键词 钽酸锂 还原处理 电阻率 均匀性 晶片

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65mm级Ce:YSO闪烁晶体研制与闪烁性能研究 被引量：3

16

作者 王佳 岑伟 +5 位作者 徐扬 李德辉 胡少勤 付昌禄 丁雨憧 龙勇 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期598-602,共5页

采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0... 采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度为0.10%、结晶分数为60%时,晶体发光强度及发光均匀性最佳,调整工艺参数有利于降低晶体发光不均匀性,但降低效果有限。此外,测试了晶体的脉冲高度谱和脉冲形状谱,Ce:YSO晶体的能量分辨率为7.20%@662keV,衰减时间约为52ns,发光余辉时间为156ns。 展开更多

关键词 Ce:YSO 提拉法 原料配比 闪烁性能

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溴化铈晶体的阴阳离子共掺生长方法研究 被引量：3

17

作者 武欢 李海林 +4 位作者 何晔 王瑞 刘建军 王佳 丁雨憧 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第2期245-247,共3页

采用阴阳离子共掺法提高了溴化铈晶体质量。研究结果表明,通过掺杂F-能有效消除晶体开裂、潮解等缺陷,同时掺杂Sr^2+能提高晶体的光学线性输出及能量分辨率。采用改进的坩埚下降法进行晶体生长,掺杂摩尔分数为x(CeBr3)=98%,x(SrBr2)=2%,... 采用阴阳离子共掺法提高了溴化铈晶体质量。研究结果表明,通过掺杂F-能有效消除晶体开裂、潮解等缺陷,同时掺杂Sr^2+能提高晶体的光学线性输出及能量分辨率。采用改进的坩埚下降法进行晶体生长,掺杂摩尔分数为x(CeBr3)=98%,x(SrBr2)=2%,x(CeF3)=10%时,生长出 45 mm×90 mm的溴化铈晶体毛坯,切割成的器件经137Cs放射源662 keVγ线作用下能量分辨率可达4.0%。 展开更多

关键词 溴化铈 阴阳离子共掺 潮解 闪烁晶体 坩埚下降法

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Fe、Cu离子掺杂及退火对YAP晶体的生长及光谱性能的影响 被引量：2

18

作者 陈建玉 唐强 +2 位作者 董勤 丁雨憧 赵广军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1025-1028,共4页

采用提拉法成功生长了高光学质量掺杂浓度分别为0.2at%的Fe:YAP和0.5at%的Cu:YAP晶体.ICP-AES测试得出Fe、Cu离子在YAP晶体中的分凝系数分别为0.13和0.28.室温下测试了两种晶体经不同气氛高温退火后的吸收光谱和X射线激发发射光谱,分析... 采用提拉法成功生长了高光学质量掺杂浓度分别为0.2at%的Fe:YAP和0.5at%的Cu:YAP晶体.ICP-AES测试得出Fe、Cu离子在YAP晶体中的分凝系数分别为0.13和0.28.室温下测试了两种晶体经不同气氛高温退火后的吸收光谱和X射线激发发射光谱,分析了光谱特征及退火对光谱产生影响的微观机理.最后研究了两种晶体的热释光性能,发现Cu:YAP晶体是一种非常有潜力的辐照剂量计材料. 展开更多

关键词 Fe:YAP Cu:YAP 退火 热释光

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微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究 被引量：2

19

作者 宋晓佳 何晔 +3 位作者 屈菁菁 丁雨憧 付昌禄 陈川贵 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期241-243,共3页

该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式... 该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。 展开更多

关键词 微下拉法 光纤 单晶炉 晶体生长 自动控制

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CAS晶体生长与习性研究 被引量：1

20

作者 龙勇 于明晓 +4 位作者 石自彬 丁雨憧 王佳 徐扬 付昌禄 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期178-181,共4页

采用中频感应上称重提拉技术对Ca_2Al_2SiO_7(CAS)压电晶体进行了生长,研究了不同转速及生长方向下晶体的生长习性,从理论上分析了转速和生长方向对晶体形貌的影响。结果表明,晶体外形随转速的增加,其形貌由圆柱状变为正方形,再变为长方... 采用中频感应上称重提拉技术对Ca_2Al_2SiO_7(CAS)压电晶体进行了生长,研究了不同转速及生长方向下晶体的生长习性,从理论上分析了转速和生长方向对晶体形貌的影响。结果表明,晶体外形随转速的增加,其形貌由圆柱状变为正方形,再变为长方形,当转速到一定临界值时,晶体呈多晶状;随晶体生长方向的不同,晶体有不同的显露方向,并都有强的显露面(001)。对晶体不同显露方向进行了X线衍射分析,且对(001)面进行回摆测试。结果表明,晶体结构完整,结晶性能好。 展开更多

关键词 压电传感器 硅酸铝钙(Ca 2Al 2SiO 7) 提拉法 高温 生长习性

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