原位合成Cr掺杂的SnO_(2)纳米墙及其乙炔气敏性能研究 被引量：1

1

作者 王思怡 于灵敏 +1 位作者 董天阳 李瑞君 《西安工业大学学报》 CAS 2023年第6期553-560,共8页

为了解决纯SnO_(2)基气体传感器对乙炔(C_(2)H_(2))工作温度高的难题,采用水热法对原位生长的SnO_(2)纳米墙进行不同摩尔比的金属铬(Cr)元素掺杂,研究了Cr掺杂对SnO_(2)纳米墙的形貌结构与气敏性能的影响。研究结果表明:当掺杂摩尔分数x... 为了解决纯SnO_(2)基气体传感器对乙炔(C_(2)H_(2))工作温度高的难题,采用水热法对原位生长的SnO_(2)纳米墙进行不同摩尔比的金属铬(Cr)元素掺杂,研究了Cr掺杂对SnO_(2)纳米墙的形貌结构与气敏性能的影响。研究结果表明:当掺杂摩尔分数x(Cr)=3%时,制备的SnO_(2)纳米墙垂直于衬底方向定向生长,纳米片相互交联形成了三维立体多孔网络结构,为气体的吸附提供了活性位点和传输通道;与纯SnO_(2)纳米墙相比,掺杂摩尔分数x(Cr)=3%制备的SnO_(2)基气体传感器在检测质量分数w为2×10^(-4)的C_(2)H_(2)时,最佳工作温度由175℃降至125℃,响应值高达8.1,检测极限低至1×10^(-6),响应和恢复时间分别为165 s和80 s。结论可为研究低工作温度的C_(2)H_(2)传感器的制备及应用提供参考。 展开更多

关键词 CR掺杂 SnO_(2)纳米墙 气敏传感器 C_(2)H_(2)

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Ag掺杂ZnO纳米线酒敏性能的研究 被引量：6

2

作者 于灵敏 朱长纯 +2 位作者 岳苗 范新会 祁立军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期867-869,873,共4页

利用漫渍法将ZnO纳米线浸渍于AgNO3溶液中制备了Ag掺杂的ZnO纳米线。借助X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（FESEM）对纳米线的晶体结构和形貌进行了表征。结果表明纳米线既含面心立方结构的Ag又含有六方纤锌矿结构的ZnO。三... 利用漫渍法将ZnO纳米线浸渍于AgNO3溶液中制备了Ag掺杂的ZnO纳米线。借助X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（FESEM）对纳米线的晶体结构和形貌进行了表征。结果表明纳米线既含面心立方结构的Ag又含有六方纤锌矿结构的ZnO。三维网络结构的ZnO纳米线被一层致密的Ag颗粒包裹并在其表面形成了大量的具有高比表面剂的孔洞结构。将纯的和Ag掺杂的ZnO纳米线都作为酒敏传感材料，在酒精浓度为0．001％，工作温度为150～400℃的范围内测试了它们的气敏特性，结果显示，Ag掺杂的ZnO纳米线的酒精灵敏度比纯ZnO纳米线提高了14。在工作温度为350℃的条件下测试了它们的响应-恢复时间。气敏元件的酒敏特性主要归结于表面吸附效应。 展开更多

关键词 掺杂 ZNO纳米线 气敏传感器

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ZnO纳米线气敏元件对单一气体浓度的判定研究 被引量：4

3

作者 于灵敏 范新会 +2 位作者 岳苗 祁立军 严文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期136-138,143,共4页

以不同金属掺杂的ZnO纳米线为气敏材料,在350℃下对不同浓度的H2气体进行了气敏性能测试。结果表明,掺杂Ag的ZnO纳米线在H2浓度为2.52×10-3时具有较高的气体灵敏度28.549。同时,利用Origin软件对测得的气敏性能曲线进行线性拟合,... 以不同金属掺杂的ZnO纳米线为气敏材料,在350℃下对不同浓度的H2气体进行了气敏性能测试。结果表明,掺杂Ag的ZnO纳米线在H2浓度为2.52×10-3时具有较高的气体灵敏度28.549。同时,利用Origin软件对测得的气敏性能曲线进行线性拟合,对未知的H2浓度进行了有效判定。还对金属掺杂提高ZnO纳米线气敏性能的原因进行了分析,认为金属的化学状态可能是ZnO纳米线气敏性能提高的物理本质。 展开更多

关键词 ZNO纳米线 气体灵敏度 气体浓度 线性拟合

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外加电场对硫化镉晶须生长的影响研究 被引量：3

4

作者 于灵敏 范新会 +2 位作者 刘春霞 严文 刘建刚 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-416,共3页

在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场... 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场存在与否 ,沉积温度越高 ,硫化镉晶须越粗越长 ,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响 ;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异 ,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长 ,这可以由带电团簇模型来解释。 展开更多

关键词 硫化镉 电场 带电团簇模型 晶须生长 半导体发光材料

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SnO2纳米颗粒对CH4气敏特性的研究 被引量：3

5

作者 于灵敏 朱长纯 +3 位作者 范新会 祁立军 吴琳琅 严文 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期118-122,共5页

使用溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米颗粒.通过X射线衍射和扫描电子显微镜手段对材料的晶体结构和表面进行分析,结果表明所得材料为纯SnO2纳米颗粒.以所制备的SnO2纳米颗粒为气敏材料制备电阻式气敏元件,在CH4体积分数为2.5×10-4时,测试... 使用溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米颗粒.通过X射线衍射和扫描电子显微镜手段对材料的晶体结构和表面进行分析,结果表明所得材料为纯SnO2纳米颗粒.以所制备的SnO2纳米颗粒为气敏材料制备电阻式气敏元件,在CH4体积分数为2.5×10-4时,测试SnO2纳米颗粒对CH4气体的气敏特性,包括工作温度-气体灵敏度和响应-恢复特性,结果表明SnO2颗粒在工作温度为350℃时对CH4的最大灵敏度为11,响应-恢复时间分别为5 s和8 s.实验结果表明,该SnO2纳米颗粒气敏传感器对CH4具有快速响应和高灵敏度的特性,在工矿安全运行和环境保护方面具有重要的应用价值. 展开更多

关键词 SnO2纳米颗粒 溶胶凝胶法 气敏特性

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紫光激发提高Ag修饰的ZnO纳米线的气敏特性(英文) 被引量：6

6

作者 于灵敏 朱长纯 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2009年第4期295-299,共5页

为了提高ZnO纳米线的酒敏特性,利用紫光激发经浸渍法获得Ag修饰的ZnO纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)对修饰后的ZnO纳米线进行了晶体结构和形貌的表征.结果表明其晶体结构中既有六方纤锌矿结构的ZnO,又有面心立方的Ag... 为了提高ZnO纳米线的酒敏特性,利用紫光激发经浸渍法获得Ag修饰的ZnO纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)对修饰后的ZnO纳米线进行了晶体结构和形貌的表征.结果表明其晶体结构中既有六方纤锌矿结构的ZnO,又有面心立方的Ag.三维网络结构的ZnO纳米线的表面被一层致密的具有高孔隙率的Ag颗粒覆盖,使得ZnO纳米线具有更高的比表面积.纯ZnO纳米线和Ag修饰的ZnO纳米线都用作气敏基料,根据它们在酒精蒸气中紫光照射和无紫光照射条件下电阻的变化来测定它们的气敏特性.结果显示紫光照射下经质量分数为6%AgNO3修饰的ZnO纳米线对酒精蒸气的最大灵敏度由75.8提高到175.77.此过程中光催化氧化-还原反应起到了重要作用. 展开更多

关键词 ZNO纳米线 气敏传感器 Ag修饰 紫光激发

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ZnO纳米线的光致发光性及拉曼散射性能 被引量：2

7

作者 于灵敏 张克良 +2 位作者 马雪红 范新会 严文 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期64-66,72,共4页

利用物理热蒸发法通过控制载气流量和氧气流量制备出具有倒V字形尖端的ZnO纳米线，利用荧光光谱仪、拉曼光谱仪对ZnO纳米线的光致发光性能和拉曼散射性能进行了测试。结果表明：与其它形状的ZnO纳米线的光致发光性能不同，该ZnO纳米线在... 利用物理热蒸发法通过控制载气流量和氧气流量制备出具有倒V字形尖端的ZnO纳米线，利用荧光光谱仪、拉曼光谱仪对ZnO纳米线的光致发光性能和拉曼散射性能进行了测试。结果表明：与其它形状的ZnO纳米线的光致发光性能不同，该ZnO纳米线在423--458nm区域有一个宽频带强蓝光发射，在527nm处出现一个非常弱的绿光发射，没有发现紫外光发射；相对于ZnO纳米粉，ZnO纳米线的拉曼光谱峰发生约3cm^-1红移，主要来源于光子限制效应。 展开更多

关键词 ZNO纳米线 光致发光谱 拉曼光谱

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物理热蒸发法制备CdS/SiO_2纳米线阵列和CdS纳米带 被引量：2

8

作者 于灵敏 祁立军 +1 位作者 范新会 严文 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期75-78,83,共5页

利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末,Si衬底表面发生了选择性刻蚀,并由此制备出CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS/SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程,结果表明:CdS枝晶的生长对CdS/SiO2纳米线阵列的形成起到... 利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末,Si衬底表面发生了选择性刻蚀,并由此制备出CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS/SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程,结果表明:CdS枝晶的生长对CdS/SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用;CdS/SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”;CdS纳米带的生长过程为气-固过程. 展开更多

关键词 CdS/SiO2纳米线阵列 CdS纳米带 纳米电化学自组织机制

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外加电场对硅纳米线生长影响的研究 被引量：1

9

作者 于灵敏 范新会 +2 位作者 刘建刚 刘春霞 严文 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期112-114,共3页

主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列，借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌，分析其化学成分及晶体结构，研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程，讨论外加电场对非晶硅纳米... 主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列，借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌，分析其化学成分及晶体结构，研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程，讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用。 展开更多

关键词 硅纳米线 外加电场 生长影响 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 纳米线阵列 能谱分析仪 热蒸发法 晶体结构 化学成分 生长过程 定向排列 X射线 非晶 形貌

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提高丝网印刷ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性研究 被引量：3

10

作者 于灵敏 朱长纯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期148-152,共5页

针对现有的ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性不良问题，提出丝网印刷碳纳米管（CNTs）掺杂过滤的ZnO纳米针的方法，将印刷的薄膜在450～600℃下烧结，并研究了过滤及CNTs掺杂对ZnO纳米针场发射性能的影响。结果表明，印刷薄膜在450℃下... 针对现有的ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性不良问题，提出丝网印刷碳纳米管（CNTs）掺杂过滤的ZnO纳米针的方法，将印刷的薄膜在450～600℃下烧结，并研究了过滤及CNTs掺杂对ZnO纳米针场发射性能的影响。结果表明，印刷薄膜在450℃下烧结，尽管还有残余的浆料存在，但CNTs没有被氧化，而在500℃和600℃下烧结，几乎所有的CNTs被氧化。场发射测试结果显示在相同的电压下，450℃烧结的薄膜具有最高的场发射电流密度和最好的场发射稳定性。由此表明，利用过滤和CNTs掺杂可以有效地提高ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性。 展开更多

关键词 ZnO纳米针 场发射 均匀性 稳定性 场发射显示

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ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究 被引量：1

11

作者 于灵敏 朱长纯 +1 位作者 商世广 潘金艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1569-1571,共3页

利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO... 利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺。用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀。说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。 展开更多

关键词 ZnO纳米锥 光致发光 场发射 印刷

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Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO气敏机理的第一性原理计算 被引量：1

12

作者 于灵敏 韦建松 +3 位作者 张荣 雷曼 范新会 严文 《西安工业大学学报》 CAS 2014年第6期481-486,共6页

针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题,基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO(001)面吸附CO分子后的电子结构和能带结构.研究结果表明:掺杂Ga后ZnO的(001)面的总电子态密度分布与掺杂前类似,带隙... 针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题,基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO(001)面吸附CO分子后的电子结构和能带结构.研究结果表明:掺杂Ga后ZnO的(001)面的总电子态密度分布与掺杂前类似,带隙中未出现其他的电子态,但掺杂后ZnO表面CO吸附前后的电子态密度发生了显著的变化,价带和导带之间的间隙变小,费米能级进入导带.在此基础上,对Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO的气敏机理进行了理论解释. 展开更多

关键词 第一性原理 Ga掺杂 ZNO 气敏机理

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环境压力对硅纳米线及硅微米晶须生长的影响 被引量：1

13

作者 于灵敏 范新会 +1 位作者 刘春霞 严文 《西安工业学院学报》 2004年第1期61-64,81,共5页

　用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下的硅纳米线及硅微米晶须的形貌、化学成分和晶体结构进行分析.研究了环境压力对硅纳米线和硅微米晶须... 　用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下的硅纳米线及硅微米晶须的形貌、化学成分和晶体结构进行分析.研究了环境压力对硅纳米线和硅微米晶须生长的影响.结果表明:平行排列的硅纳米线和硅微米晶须生长的环境压力为13.3kPa;环境压力不但对硅纳米线和硅微米晶须直径产生影响,而且对其生长方向性有一定影响;硅微米晶须杆部出现等距离分布单晶硅颗粒,这是在高温退火过程中发生的球化作用所致. 展开更多

关键词 环境压力 硅纳米线 硅微米晶须 方向性 热蒸发法 晶体生长

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外加电场制备CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管

14

作者 于灵敏 祁立军 +2 位作者 范新会 严文 朱长纯 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期69-71,78,共4页

在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长。借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响。结果表明：外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生... 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长。借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响。结果表明：外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生长；但是,低温区获得的CdS纳米带和纳米管没有任何方向性。 展开更多

关键词 CdS纳米线 纳米带 纳米管 外加电场

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外加电场条件下制备定向排列的硅纳米线

15

作者 于灵敏 祁立军 +2 位作者 范新会 刘建刚 严文 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期23-26,共4页

在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究。结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列... 在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究。结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列。同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米线。 展开更多

关键词 硅纳米线 定向排列 外加电场

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丝网印刷ZnO纳米锥的浆料制备及场发射特性研究

16

作者 于灵敏 朱长纯 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期664-664,共1页

针对现有的丝网印刷碳纳米管薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题，提出了一种不需任何后处理的丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺．该工艺以羧甲基纤维素为制浆剂，以水为溶剂，所制备的ZnO纳米锥薄膜表面上的有机浆料... 针对现有的丝网印刷碳纳米管薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题，提出了一种不需任何后处理的丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺．该工艺以羧甲基纤维素为制浆剂，以水为溶剂，所制备的ZnO纳米锥薄膜表面上的有机浆料基本分解，ZnO纳米锥在高温下既不会弯曲也不会团聚，且成本低，工艺简单．场发射特性测试表明， 展开更多

关键词 碳纳米管薄膜 场发射特性 浆料制备 丝网印刷 ZnO 后处理工艺 羧甲基纤维素 配制工艺

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硅微米晶须的定向排列生长

17

作者 于灵敏 范新会 严文 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2004年第3期50-53,共4页

利用物理热蒸发法在1016～1066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须。借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长... 利用物理热蒸发法在1016～1066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须。借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长有序性的影响。研究结果表明,在环境压力为13.3kPa时,硅微米晶须均垂直于衬底表面生长,定向排列生长的硅微米晶须面积可达13mm×6mm;硅微米晶须的生长遵循气—液—固(VLS)机制;透射电子显微镜观察及选取电子衍射花样表明,硅微米晶须的球形头部为晶体,杆的中部为晶体外包覆非晶体的结合体,杆的尾部为非晶体;环境压力越低,硅微米晶须的定向排列的方向性越好。 展开更多

关键词 硅微米晶须 定向排列 环境压力 方向性

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丝网印刷ZnO纳米锥的浆料制备及场发射特性研究

18

作者 于灵敏 朱长纯 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期974-977,990,共5页

针对现有的丝网印刷碳纳米管薄膜需要各种后处理工艺才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理的丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.该工艺以羧甲基纤维素为制浆剂,以水为溶剂,所制备的ZnO纳米锥薄膜表面上的有机浆料已基本... 针对现有的丝网印刷碳纳米管薄膜需要各种后处理工艺才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理的丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.该工艺以羧甲基纤维素为制浆剂,以水为溶剂,所制备的ZnO纳米锥薄膜表面上的有机浆料已基本分解,ZnO纳米锥在高温下既不会弯曲也不会团聚,且成本低,工艺简单.场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜在电流密度为0.01 A/m2时,最低开启场强为2.25 V/μm,在4 V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.该工艺在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值. 展开更多

关键词 ZnO纳米锥 丝网印刷 场发射 有机浆料 场发射显示器

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热蒸发锌粉法制备半导体氧化锌纳米线的研究 被引量：19

19

作者 刘建刚 范新会 +2 位作者 严文 于灵敏 刘春霞 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期109-111,共3页

采用热蒸发锌 (Zn)粉的方法 ,制备出高产量的由半导体氧化锌纳米线组成的蒲公英花状和四角锥状纳米结构。利用SEM、TEM和X射线衍射对产物的形貌及结构进行了分析。结果表明 ,所生成的是具有六方结构的单晶ZnO纳米线。纳米线长约 5 1 0... 采用热蒸发锌 (Zn)粉的方法 ,制备出高产量的由半导体氧化锌纳米线组成的蒲公英花状和四角锥状纳米结构。利用SEM、TEM和X射线衍射对产物的形貌及结构进行了分析。结果表明 ,所生成的是具有六方结构的单晶ZnO纳米线。纳米线长约 5 1 0 μm ,根部直径较粗 ,约 1 1 0 1 2 0nm ;梢部较细 ,约 2 5 30nm ,其生长机制为气 -固 (VS)机制。 展开更多

关键词 热蒸发法 氧化锌纳米线 气-固机制

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热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究 被引量：5

20

作者 刘建刚 范新会 +2 位作者 陈建 于灵敏 严文 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期589-592,共4页

研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线。场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化。在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,... 研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线。场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化。在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制。 展开更多

关键词 热蒸发 硅纳米线 气-液-固机制 氧化辅助生长机制

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