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载流子分布对GaN基LED频率特性的影响(英文) 被引量:1
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作者 吴春晖 朱石超 +4 位作者 付丙磊 赵丽霞 王军喜 陈宏达 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期347-352,共6页
分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降低有... 分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高。这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 可见光通信 调制带宽 载流子分布
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集成电路制造工艺技术现状与发展趋势 被引量:11
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作者 周哲 付丙磊 +3 位作者 王栋 颜秀文 高德平 王志越 《电子工业专用设备》 2017年第3期34-38,73,共6页
对当前集成电路制造工艺的主要挑战、研究现状进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。
关键词 集成电路 摩尔定律 特征尺寸 制造工艺
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碳化硅材料及器件的制造装备发展现状 被引量:9
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作者 高德平 付丙磊 +3 位作者 贾净 颜秀文 刘玄博 周哲 《电子工艺技术》 2017年第4期190-192,211,共4页
当前碳化硅产业的快速发展对装备国产化提出了更高的要求,迫切需要通过借鉴国外先进技术,进行产学研结合的协同创新,全面提升研发、制造能力,满足市场要求,推动我国宽禁带半导体产业的自主可控发展。对当前碳化硅材料及器件制造装备的... 当前碳化硅产业的快速发展对装备国产化提出了更高的要求,迫切需要通过借鉴国外先进技术,进行产学研结合的协同创新,全面提升研发、制造能力,满足市场要求,推动我国宽禁带半导体产业的自主可控发展。对当前碳化硅材料及器件制造装备的国内外现状、主要技术难点进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 碳化硅 制造装备 宽禁带半导体
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半导体工艺与制造装备技术发展趋势 被引量:3
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作者 周哲 付丙磊 +1 位作者 董天波 芦刚 《电子工业专用设备》 2022年第4期1-7,11,共8页
针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度,分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势,重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。
关键词 半导体工艺 集成电路工艺 制造装备 摩尔定律 超越摩尔定律 新材料
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拉曼光谱在第三代半导体材料测试领域的应用
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作者 付丙磊 张争光 王志越 《电子工业专用设备》 2018年第4期42-45,65,共5页
对第三代半导体GaN材料体系的拉曼光谱测试进行了综述,并展望了其在第三代半导体无损检测领域的应用前景。
关键词 拉曼光谱 GAN 无损检测
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Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition 被引量:1
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作者 任鹏 韩刚 +6 位作者 付丙磊 薛斌 张宁 刘喆 赵丽霞 王军喜 李晋闽 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第6期145-149,共5页
CaN nanorods are successfully fabricated by adjusting the flow rate ratio of hydrogen (H2)/nitrogen (N2) and growth temperature of the selective area growth (SAG) method with metal organic chemical vapor deposit... CaN nanorods are successfully fabricated by adjusting the flow rate ratio of hydrogen (H2)/nitrogen (N2) and growth temperature of the selective area growth (SAG) method with metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The SAG template is obtained by nanospherical-lens photolithography. It is found that increasing the flow rate of 1-12 will change the CaN crystal shape from pyramid to vertical rod, while increasing the growth temperature will reduce the diameters of GaN rods to nanometer scale. Finally the CaN nanorods with smooth lateral surface and relatively good quality are obtained under the condition that the H2:N2 ratio is 1:1 and the growth temperature is 1030℃. The good crystal quality and orientation of GaN nanorods are confirmed by high resolution transmission electron microscopy. The cathodoluminescence spectrum suggests that the crystal and optical quality is also improved with increasing the temperature. 展开更多
关键词 of or IS as RATE GAN Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition by with
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Reduction of Efficiency Droop and Modification of Polarization Fields of InGaN-Based Green Light-Emitting Diodes via Mg-Doping in the Barriers 被引量:1
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作者 ZHANG Ning LIU Zhe +10 位作者 SI Zhao REN Peng WANG Xiao-Dong FENG Xiang-Xu DONG Peng DU Cheng-Xiao ZHU Shao-Xin FU Bing-Lei LU Hong-Xi LI Jin-Min WANG Jun-Xi 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2013年第8期129-131,共3页
We demonstrate that the Mg-doping in barriers can partially screen the polarization fields of InGaN-based green light-emitting diodes.The photocurrent spectra show that the Mg-doping samples have smaller polarization ... We demonstrate that the Mg-doping in barriers can partially screen the polarization fields of InGaN-based green light-emitting diodes.The photocurrent spectra show that the Mg-doping samples have smaller polarization fields and the blue shift of the peak with increasing current is observed.The reduction of polarization fields can be attributed to the screening of the impurity holes generated by the Mg atoms in the barriers.The efficiency droop is sensitive to the Mg-doping concentration in barriers,while the sample with Mg concentration of 5×10^(19) cm^(-3) exhibits the lowest efficiency degradation of 12.4%at a high injection current. 展开更多
关键词 POLARIZATION Efficiency DOPING
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Advantages of InGaN/GaN light emitting diodes with p-GaN grown under high pressure
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作者 付丙磊 刘乃鑫 +2 位作者 刘喆 李晋闽 王军喜 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第11期70-73,共4页
The advantages of InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) with p-GaN grown under high pressures are studied. It is shown that the high growth pressure could lead to better electronic properties of p-GaN layers due to... The advantages of InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) with p-GaN grown under high pressures are studied. It is shown that the high growth pressure could lead to better electronic properties of p-GaN layers due to the eliminated compensation effect. The contact resistivity of p-GaN layers are decreased due to the reduced donor-like defects on the p-GaN surface. The leakage current is also reduced, which may be induced by the better filling of V-defects with p-GaN layers grown under high pressures. The LED efficiency thus could be enhanced with high pressure grown p-GaN layers. 展开更多
关键词 light emitting diodes V-defects growth pressure P-GAN
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扬帆芯未来,助力新基建, 大力推进第三代半导体制造装备国产化 被引量:6
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作者 王志越 巩小亮 付丙磊 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第14期83-91,共9页
第三代半导体以碳化硅、氮化镓等材料为代表,已经在5G基站、新能源汽车充电桩等新基建领域崭露头角。第三代半导体加工工艺具有高温、高能量、低损伤等特点和要求,决定了其制造装备相对通用半导体制造装备具有独特性。综述了第三代半导... 第三代半导体以碳化硅、氮化镓等材料为代表,已经在5G基站、新能源汽车充电桩等新基建领域崭露头角。第三代半导体加工工艺具有高温、高能量、低损伤等特点和要求,决定了其制造装备相对通用半导体制造装备具有独特性。综述了第三代半导体制造装备需求及其国产化现状,提出了相关产业发展建议:以企业为主体,产学研用协同创新;着力装备共性技术,培育自主零部件配套体系;加强创新人才培养,增强产业发展后劲。 展开更多
关键词 第三代半导体 制造装备 半导体产业
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Anomalous luminescence efficiency enhancement of short-term aged GaN-based blue light-emitting diodes 被引量:1
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作者 曹可慰 付丙磊 +3 位作者 刘喆 赵丽霞 李晋闽 王军喜 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第1期73-76,共4页
The origin of anomalous luminescence efficiency enhancement of short-term aged GaN-based blue light-emitting diodes was studied. We found that the intensity of the electroluminescence and photoluminescence spectra wer... The origin of anomalous luminescence efficiency enhancement of short-term aged GaN-based blue light-emitting diodes was studied. We found that the intensity of the electroluminescence and photoluminescence spectra were both increased in the very beginning period of aging. With the help of a rate-equation model, we concluded that this kind of luminescence efficiency enhancement is a joint effect of the defect reduction in active layers and the changes out of active layers, for example the Mg acceptor annealing. 展开更多
关键词 light emitting diodes AGING rate-equation model defect reduction
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