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薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响 被引量:9
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作者 朱锋 赵颖 +7 位作者 魏长春 任慧智 薛俊明 张晓丹 高艳涛 张德坤 孙建 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期81-84,共4页
本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率... 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253 cm2。 展开更多
关键词 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结
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从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化 被引量:5
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作者 朱锋 赵颖 +4 位作者 张晓丹 孙建 魏长春 任慧智 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期152-155,共4页
采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学... 采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学带隙大于2.0eV)。在这个过程中可以明显观察到碳、硼抑制材料晶化的作用。 展开更多
关键词 微晶材料 微晶硅 非晶硅碳 光学带隙 电导率 太阳能电池
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Fabrication of Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films at Low Temperature by VHF-PECVD
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作者 杨恢东 吴春亚 +7 位作者 麦耀华 李洪波 薛俊明 李岩 任慧智 张丽珠 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期902-908,共7页
Using H 2 diluted silane,series of μc Si∶H films are fabricated at low temperature with VHF PECVD.The thickness measurements reveal that the deposition rates are obviously enhanced with higher plasma excitation ... Using H 2 diluted silane,series of μc Si∶H films are fabricated at low temperature with VHF PECVD.The thickness measurements reveal that the deposition rates are obviously enhanced with higher plasma excitation frequency or working pressure,but increase firstly and then decrease with the increase of plasma power density.Raman spectra show that the crystallinity and the average grain sizes of the films strongly depend on the temperature of substrate and the concentration of silane.However,the plasma excitation frequency only has effect on the crystallinity,and a maximum occurs during the further increase of plasma excitation frequency.From XRD and TEM experiments,three preferential crystalline orientations (111),(220) and (311) are observed,and the average grain sizes are different for every crystalline orientation. 展开更多
关键词 μc Si∶H thin films VHF PECVD deposition rate CRYSTALLINITY
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P-nc-Si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用 被引量:11
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作者 朱锋 赵颖 +5 位作者 张晓丹 魏长春 孙建 任慧智 熊绍珍 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期381-384,共4页
对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较... 对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ=0.7S/cm,Eopt>2.0eV)。将这种材料应用于微晶硅(μc Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p nc Si:H/I μC Si:H/n Si:H。首次获得效率η=4.2%的μC Si薄膜太阳能电池(Voc=0.399V,Jsc=20.56mA/cm2,FF=51.6%)。 展开更多
关键词 P-nc-Si:H薄膜材料 微晶硅薄膜 太阳能电池 电导率 掺杂效率 RF-PECVD技术 电池结构
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