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多元一体视阈下的心理健康教育高质量发展路径 被引量：1
1
作者 何宝平 左彩霞 《中小学心理健康教育》 2024年第8期63-66,共4页
心理健康教育的高质量发展,要在学习贯彻党的二十大报告关于“重视心理健康和精神卫生”的精神和“全面加强和改进新时代学生心理健康工作专项行动计划(2023—2025年)”相关要求的基础上,从多元一体的视阈着眼,坚持问题导向和系统观念,... 心理健康教育的高质量发展,要在学习贯彻党的二十大报告关于“重视心理健康和精神卫生”的精神和“全面加强和改进新时代学生心理健康工作专项行动计划(2023—2025年)”相关要求的基础上,从多元一体的视阈着眼,坚持问题导向和系统观念,审时度势地科学分析和精准研判,聚焦“立德树人”根本任务的落实和学生全面发展,构建学校、家庭、社会和部门协同联动的心理健康教育工作格局与发展路径。 展开更多
关键词 多元主体 心理健康教育 体制机制
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环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响 被引量：11
2
作者 何宝平 姚育娟 +1 位作者 彭宏论 张正选 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期779-783,共5页
研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度... 研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 . 展开更多
关键词 NMOSFET 场效应晶体管 环境温度 电离辐射剂量率
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代表建言10则
3
作者 陆盛彪 何宝平 +9 位作者 粘雅玲 肖惠中 苏国强 马姗姗 叶少静 苏淑蓉 骆阳 吕晓阳 王艳清(整理) 林雯澜(整理) 《人民政坛》 2024年第2期46-47,共2页
缩短重点项目审批时间提高政府性投资项目审批效率能够有效节约时间成本,充分发挥投资关键作用。建议:一是推行联合公示,以最快速度并联审批,将划拨类项目批后征收土地方案公告和国有土地划拨用地批前公示合并。二是压缩公示时长,对用... 缩短重点项目审批时间提高政府性投资项目审批效率能够有效节约时间成本,充分发挥投资关键作用。建议:一是推行联合公示,以最快速度并联审批,将划拨类项目批后征收土地方案公告和国有土地划拨用地批前公示合并。二是压缩公示时长,对用地预审和选址意见书、国有土地划拨用地、设计方案的批前公示及征收土地预公告、征收土地安置方案公告公示时长进行压缩。 展开更多
关键词 审批效率 国有土地 政府性投资项目 征收土地 选址意见书 用地预审 并联审批 项目审批
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大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应 被引量：4
4
作者 何宝平 周荷琴 +4 位作者 郭红霞 周辉 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期121-125,共5页
提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Coγ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,... 提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Coγ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间. 展开更多
关键词 大规模集成电路 总剂量效应 低剂量率 失效时间
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空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估技术研究 被引量：2
5
作者 何宝平 王桂珍 +2 位作者 龚建成 周辉 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
　介绍了LC4007RHA和LC4007RHB两种器件空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估情况,研究结果表明:在MIL STD883C测试方法1019.4的基础上,60Co辐照加25℃室温退火,可以提供对空间氧化物陷阱电荷效应相对于1019.4不太保守的估计;另外,就美军标... 　介绍了LC4007RHA和LC4007RHB两种器件空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估情况,研究结果表明:在MIL STD883C测试方法1019.4的基础上,60Co辐照加25℃室温退火,可以提供对空间氧化物陷阱电荷效应相对于1019.4不太保守的估计;另外,就美军标1019.4测试方法中利用100℃168h高温加速"反弹"实验来检验空间环境中与界面态相关的失效可能出现的现象进行了讨论。 展开更多
关键词 辐射诱导 评估技术 MOS器件 低剂量率 电荷效应 反弹现象 空间环境
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MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟 被引量：5
6
作者 何宝平 张凤祁 姚志斌 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2007年第1期109-115,共7页
模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧道电子效应与建立... 模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧道电子效应与建立的界面态所占比例的不同影响器件的恢复率. 展开更多
关键词 电离辐射 界面态 退火 模拟
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浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究 被引量：3
7
作者 何宝平 张凤祁 姚志斌 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期489-492,共4页
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂... 本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂量或注量的增大而增加。 展开更多
关键词 浮栅ROM器件 Γ射线 X射线 中子 总剂量效应
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CMOS器件的等时、等温退火效应 被引量：2
8
作者 何宝平 龚建成 +2 位作者 王桂珍 罗尹虹 姜景和 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期302-306,共5页
研究了辐射后 CMOS器件的等温、等时退火特性 ,给出了 n MOSFET和 p MOSFET器件不同条件下的对比结果 .研究表明 :10 0℃等温退火是最有效的 ,等时退火所需的全过程时间最短 ,通过 2 5℃与 10 0℃等温退火结果的比较 ,可以确定此种器件... 研究了辐射后 CMOS器件的等温、等时退火特性 ,给出了 n MOSFET和 p MOSFET器件不同条件下的对比结果 .研究表明 :10 0℃等温退火是最有效的 ,等时退火所需的全过程时间最短 ,通过 2 5℃与 10 0℃等温退火结果的比较 ,可以确定此种器件的加速因子 .相对于 0 V和浮空偏置条件 ,在 +5 V栅偏压退火情况下 ,阈值电压恢复速度快 ,恢复程度大 . 展开更多
关键词 等温退火 等时退火 剂量率
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CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定 被引量：2
9
作者 何宝平 陈伟 +1 位作者 张凤祁 姚志斌 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期232-236,共5页
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等温和25-250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、10... 对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等温和25-250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围为0．65～0．76eV和0．75～0．95eV；25-250℃等时退火的激发能范围在0．5～1．1eV之间，峰值位于0．81eV。 展开更多
关键词 辐照后CMOS器件 等时退火 等温退火 激发能
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NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较 被引量：1
10
作者 何宝平 王桂珍 +2 位作者 周辉 罗尹虹 姜景和 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1229-1231,共3页
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸... 利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 . 展开更多
关键词 NMOSFET器件 Γ射线 电子 质子 剂量率 辐射损伤
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双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究 被引量：3
11
作者 何宝平 姚志斌 +4 位作者 刘敏波 黄绍艳 王祖军 肖志刚 盛江坤 《现代应用物理》 2013年第2期-,共6页
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在... 采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因. 展开更多
关键词 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
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星用典型CMOS器件54HC04^(60)Co源辐射效应研究 被引量：1
12
作者 何宝平 张正选 +1 位作者 郭红霞 姜景和 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期334-338,共5页
给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。
关键词 辐射效应 阈值电压 CMOS器件 钴60辐射源
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星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究 被引量：1
13
作者 何宝平 张正选 +1 位作者 姜景和 王永强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2000年第2期36-38,共3页
文章研究了CMOS器件 (LC54HC0 4RH) 6 0 CoΥ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在 1 0 0℃温度场下的退火效应。实验发现 ,辐照后 ,器件在加温和加偏条件下 ,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电荷的退火 ,而加温浮空偏置条件下有... 文章研究了CMOS器件 (LC54HC0 4RH) 6 0 CoΥ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在 1 0 0℃温度场下的退火效应。实验发现 ,辐照后 ,器件在加温和加偏条件下 ,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电荷的退火 ,而加温浮空偏置条件下有利于n沟器件界面态的退火 ;但在 1 0 0℃温度场中 ,两种偏置条件都有利于p沟器件氧化物陷阱电荷和界面态的退火。 展开更多
关键词 辐射效应 剂量率 退火效应 CMOS器件
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40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析 被引量：2
14
作者 何宝平 马武英 +2 位作者 王祖军 姚志斌 缑石龙 《现代应用物理》 2022年第1期180-185,共6页
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产... 通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产生影响,而在综合作用下是否相关依赖于二者的先后试验顺序。器件在先TID效应后CHC效应的综合作用下,损伤程度要大于CHC效应单独作用的结果,2种效应具有相关性;器件在先CHC效应后TID效应的综合作用下,损伤程度小于TID效应和CHC效应单独作用的结果,2种效应没有相关性。 展开更多
关键词 电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层
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农民工犯罪心理的社会支持与主观幸福感分析 被引量：11
15
作者 何宝平 高云鹏 景国成 《社会心理科学》 2007年第Z2期141-145,共5页
通过对274位农民工(其中犯罪农民工134人,普通农民工140人)总体幸福感和社会支持的问卷调查及比较,得出以下结论:(1)农民工的总体幸福感与社会支持的高低对其犯罪有着显著性影响。(2)文化层次在农民工犯罪上体现出明显影响,呈现出低学... 通过对274位农民工(其中犯罪农民工134人,普通农民工140人)总体幸福感和社会支持的问卷调查及比较,得出以下结论:(1)农民工的总体幸福感与社会支持的高低对其犯罪有着显著性影响。(2)文化层次在农民工犯罪上体现出明显影响,呈现出低学历犯罪人数远高于较高学历的局势。(3)犯罪农民工的总体幸福感与社会支持总体及其各因子之间具有显著性相关。 展开更多
关键词 农民工 犯罪心理 社会支持 主观幸福感.
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大学生浮躁心理的原因与防治策略探析 被引量：3
16
作者 何宝平 彭志启 《文教资料》 2007年第4期29-31,共3页
浮躁心理是一种由内在冲突所引起的焦躁不安的情绪状态和人格特质。通常表现为急躁、敷衍了事、怠慢懒散等在工作和学习上的消极行为。不少的研究将其界定为一种病态行为,这种病态心理,在当今大学生身上表现得较为突出。同时,它形成特... 浮躁心理是一种由内在冲突所引起的焦躁不安的情绪状态和人格特质。通常表现为急躁、敷衍了事、怠慢懒散等在工作和学习上的消极行为。不少的研究将其界定为一种病态行为,这种病态心理,在当今大学生身上表现得较为突出。同时,它形成特定的社会文化背景,成为渗透性极强的环境因素而对教育系统产生着潜移默化的影响。对大学生的学习和生活产生较大的消极影响,也成为广大教育者和大学生关注和探讨的问题。如何正确认识和分析大学生心理浮躁,提出切实可行的防治策略和方法,则显得尤为重要和必要。 展开更多
关键词 大学生 浮躁心理 防治 策略
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温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响
17
作者 何宝平 姚育娟 +2 位作者 彭宏论 张正选 姜景和 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期179-181,共3页
对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射... 对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对 NMOS器件迁移率的影响。 展开更多
关键词 半导体器件 NMOS 迁移率 温度 剂量率
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空间低剂量率效应模拟方法研究
18
作者 何宝平 王桂珍 +2 位作者 龚建成 周辉 贺朝会 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期427-430,440,共5页
一方面介绍了利用线性响应理论能够预估MOS器件空间低剂量率的辐射响应,并得出在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差允许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相等;另一方面对美军标1019.4实验... 一方面介绍了利用线性响应理论能够预估MOS器件空间低剂量率的辐射响应,并得出在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差允许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相等;另一方面对美军标1019.4实验程序进行了重新评估,对氧化物陷阱电荷和界面态效应的评估方面给出了一些建议。 展开更多
关键词 低剂量率 加速试验 退火 线性响应理论 电离损伤 阈值电压漂移量 MOS器件
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空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究
19
作者 何宝平 周荷琴 +4 位作者 罗尹虹 周辉 郭红霞 姚志斌 张凤祁 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期503-507,共5页
本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型,并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RHNMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应。研究结果表明,在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火,利... 本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型,并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RHNMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应。研究结果表明,在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火,利用给定的模型可以预估其它剂量率辐射下的总剂量效应,并给出了CC4007RH和C4007B器件空间低剂量率(1×10-4-1×10-2rad/s)环境下的漏电流的预估结果。 展开更多
关键词 漏电流 低剂量率效应 预估方法 总剂量
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部分耗尽SOI晶体管电离辐射损伤的物理模型
20
作者 何宝平 刘敏波 +4 位作者 王祖军 姚志斌 黄绍艳 盛江坤 肖志刚 《计算物理》 CSCD 北大核心 2015年第2期240-246,共7页
从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和界面态与辐射剂量的关系,并从实验上对上述模型结果给予验证.... 从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和界面态与辐射剂量的关系,并从实验上对上述模型结果给予验证.结果表明,在实验采用的辐射剂量范围内,辐射诱导产生的氧化物陷阱电荷与辐射剂量满足负指数关系.模型中如果考虑空穴的退火效应,可以更好地反映高剂量辐照下的效应;辐射诱导产生的界面态与辐射剂量成正比例关系. 展开更多
关键词 部分耗尽SOI晶体管 总剂量 界面陷阱 氧化物陷阱电荷
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