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降低高k介质层微粒污染的工艺研究
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作者 强毅博 明安杰 +2 位作者 陈彦伯 何崇敏 王玮冰 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第6期878-882,共5页
随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO2层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变H... 随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO2层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变HfO2淀积过程反应物H2O、HfCl4的脉冲时间和冲洗时间的方法。当H2O的冲洗时间增加量为3000 ms时,微粒数量、杂质Cl离子含量显著降低。该工艺研究对实际工艺中高k层的可靠性、合格率的提高和生产成本的降低均有重要价值。 展开更多
关键词 高k金属栅 原子层淀积 微粒污染
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