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SOI光电子集成 被引量：4
1
作者 余金中 严清峰 +2 位作者 夏金松 王小龙 王启明 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期1-7,共7页
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无... SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。 展开更多
关键词 SOI 光电子集成电路 光波导 SOI光波导开关 阵列波导光栅 SOI基光探测器
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从CLEO'97会议看光电子学进展 被引量：6
2
作者 余金中 王启明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期141-149,共9页
综述了ＣＬＥＯ＇９７（国际激光器和光电子学会议）情况，扼要描述光电子学领域的重要进展，着重介绍半导体光电子学的新进展，包括大功率无铝半导体激光器、红光ＩｎＧａＮ发光二极管和激光器、量子级联激光器等。
关键词 半导体光电子学 激光二极管 半导体激光器
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采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关(英文) 被引量：1
3
作者 余金中 魏红振 +2 位作者 严清峰 夏金松 张小峰 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 2003年第1期1-6,共6页
在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼... 在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs. 展开更多
关键词 绝缘体 半导体 制备 多模干涉 光耦合器 光开关 集成光学 SOI技术
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Si基异质结构发光的研究现状 被引量：2
4
作者 余金中 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期294-300,共7页
综述了Ｓｉ 基异质结构发光研究的现状。介绍了Ｓｉ 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性，描述了掺Ｅｒ－ Ｓｉ 的发光、Ｓｉ 基量子结构（ 量子阱、量子点） 的光发射，重点研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ 异质结构的发光性质。同时还... 综述了Ｓｉ 基异质结构发光研究的现状。介绍了Ｓｉ 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性，描述了掺Ｅｒ－ Ｓｉ 的发光、Ｓｉ 基量子结构（ 量子阱、量子点） 的光发射，重点研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ 异质结构的发光性质。同时还对多孔Ｓｉ 发光、Ｓｉ 基发光二极管（ＬＥＤ） 与Ｓｉ 双极晶体管（ＢＪＴ） 集成、Ｓｉ 基上垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ） 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。 展开更多
关键词 发光器件 Si基发光器件 Si基异质结构 多孔Si Si基光电子集成
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日本半导体光电子器件研究与开发的新进展 被引量：2
5
作者 余金中 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期305-309,共5页
根据对日本九所研究所和大学的实地考察 ,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展 ,这些光电器件主要包括多波长光源和波长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率GaN激光器和平面... 根据对日本九所研究所和大学的实地考察 ,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展 ,这些光电器件主要包括多波长光源和波长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率GaN激光器和平面光波回路等。同时 ,介绍了日本半导体光电产业的发展现状和趋势。 展开更多
关键词 半导体 激光器 平面光波回路 光电子器件
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硅基光电子学研究进展与趋势 被引量：1
6
作者 余金中 《世界科技研究与发展》 CSCD 2007年第5期50-56,共7页
近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视。利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础。同CMOS工艺相结合,实现了... 近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视。利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础。同CMOS工艺相结合,实现了硅量子点1.17μm的受激发射,研制出硅基Raman激光器、1.55μm混合型激光器、高灵敏度的Si/Ge探测器、谐振腔增强型的SiGe光电二极管、调制频率30GHz的SOICMOS光学调制器和16×16的SOI光开关阵列等。硅光电子学将在光通信、光计算等领域获得重要应用。本文综述了国内外硅基光电子材料和器件的进展、我们的研究结果和硅基光电子学的发展趋势。 展开更多
关键词 硅基光电子 量子结构 激光器 探测器 光波导 光开关阵列
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Si基光电子学研究进展 被引量：8
7
作者 余金中 《半导体杂志》 1998年第1期21-32,共12页
作为“第二代硅”，Ｓｉ基异质结材料为世人所嘱目，Ｓｉ基光电子器件及光电集成（ＯＥＩＣ）是当前世界范围的热门课题。本文综述Ｓｉ基异质材料的外延生长和特性、Ｓｉ基光电子器件的结构和性能及其应用，着重介绍ＳｉＧｅ／Ｓｉ的研... 作为“第二代硅”，Ｓｉ基异质结材料为世人所嘱目，Ｓｉ基光电子器件及光电集成（ＯＥＩＣ）是当前世界范围的热门课题。本文综述Ｓｉ基异质材料的外延生长和特性、Ｓｉ基光电子器件的结构和性能及其应用，着重介绍ＳｉＧｅ／Ｓｉ的研究进展。 展开更多
关键词 光电子学 光电集成 异质结构 硅
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硅基光子材料和器件的进展
8
作者 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期1-11,共11页
评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片... 评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片,成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列,并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55μm波段,插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜,插入损耗会降低2～3dB,这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs. 展开更多
关键词 SOI 光开关阵列 光电二极管 光互连
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镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响 被引量：10
9
作者 左玉华 毛容伟 +11 位作者 黄昌俊 蔡晓 李传波 成步文 罗丽萍 高俊华 白云霞 姜磊 马朝华 王良臣 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期661-664,共4页
用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响 计算表明 :DBR生长... 用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响 计算表明 :DBR生长误差仅使主透射峰位置发生变化 ,而镜面起伏是导致主透射峰性能劣化的主要原因 ,它使得FWHM增大 ,透射峰强度下降 理论计算结果能较好地解释实验现像 在此基础上 ,进一步讨论了引起镜面起伏的多种原因 。 展开更多
关键词 光学模型 MEMS光滤波器 可调谐光滤波器 透射谱 DBR 镜面起伏 滤波特性 DWDM 密集波分复用系统 光通信
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 被引量：9
10
作者 成步文 李代宗 +5 位作者 黄昌俊 于卓 张春晖 王玉田 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期250-254,共5页
以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了... 以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si1- xGex/Si多量子阱材料的 展开更多
关键词 锗化硅 硅 异质结 UHV/CVD 生长
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1×8阵列波导光栅型波分复用/解复用器设计的一种简单方法 被引量：10
11
作者 欧海燕 雷红兵 +3 位作者 杨沁清 余金中 王启明 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期798-802,共5页
用有效折射率法 ,采用近轴近似和波导模场分布的高斯近似 ,简化了阵列波导光栅( AWG)器件的设计过程中繁杂的计算 ,且保证了器件的性能指标 .给出了设计思路 ,并给出了 1× 8路、中心波长为 1 550 .9nm,波长间隔为 1 .6nm的 AWG波... 用有效折射率法 ,采用近轴近似和波导模场分布的高斯近似 ,简化了阵列波导光栅( AWG)器件的设计过程中繁杂的计算 ,且保证了器件的性能指标 .给出了设计思路 ,并给出了 1× 8路、中心波长为 1 550 .9nm,波长间隔为 1 .6nm的 AWG波分复用 展开更多
关键词 阵列波导 波分复用 光栅 解复用器
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抑肝扶脾汤对HIV感染相关性腹泻患者疗效及血清GAS、MOT及SS水平的影响 被引量：10
12
作者 杨晓霞 余金中 +3 位作者 李超锋 王双利 焦敏 姚雪华 《中华中医药学刊》 CAS 北大核心 2017年第9期2382-2384,共3页
目的:探讨抑肝扶脾汤对HIV感染相关性腹泻患者疗效及血清胃泌素(GAS)、胃动素(MOT)及生长抑素(SS)水平的影响。方法:2013年6月—2016年6月选取医院收治的120例人类免疫缺陷病毒(HIV)感染相关性腹泻患者,根据随机数字表将患者分为观察组(... 目的:探讨抑肝扶脾汤对HIV感染相关性腹泻患者疗效及血清胃泌素(GAS)、胃动素(MOT)及生长抑素(SS)水平的影响。方法:2013年6月—2016年6月选取医院收治的120例人类免疫缺陷病毒(HIV)感染相关性腹泻患者,根据随机数字表将患者分为观察组(n=60)及对照组(n=60),对照组给予盐酸洛哌丁胺胶囊治疗,观察组在对照组基础上应用自拟抑肝扶脾汤口服治疗,以8周为1疗程。观察两组患者临床治疗效果、治疗前后中医症状体征积分变化及血清GAS、MOT及SS水平变化。结果:观察组总有效率分别为95.00%高于对照组63.33%,差异有统计学意义(P<0.05)。观察组治疗后腹泻次数、大便形状、腹胀腹痛、脓血黏液便、形体消瘦、神疲乏力、恶心反胃及总症状积分均低于对照组(P<0.05)。观察组治疗后血清GAS、MOT水平显著低于对照组,而SS水平高于对照组(P<0.05)。结论:抑肝扶脾汤能有效改善HIV感染性腹泻患者临床症状,提高患者治疗效果,其可能机制与抑肝扶脾汤能调节患者血清GAS、MOT及SS水平有关。 展开更多
关键词 抑肝扶脾汤 HIV感染相关性腹泻 疗效 胃泌素 胃动素 生长抑素
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用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析 被引量：8
13
作者 欧海燕 杨沁清 +4 位作者 雷红兵 王红杰 余金中 王启明 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期260-263,共4页
用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面... 用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 展开更多
关键词 厚二氧化硅 氧化多孔硅 薄膜 微观分析
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一个检测半导体激光器质量的有效方法 被引量：6
14
作者 石家纬 金恩顺 +5 位作者 李红岩 李正庭 郭树旭 高鼎三 余金中 郭良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期595-600,共6页
对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．
关键词 半导体激光器 质量检测 INGAASP INP 激光器
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硅基光波导及光波导开关的研究进展 被引量：11
15
作者 魏红振 余金中 +1 位作者 刘忠立 王启明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期369-376,共8页
ＳｉＯ２ 光波导、重掺杂光波导、ＳＯＩ光波导、合金光波导及聚合物光波导等低损耗硅基光波导的研究已取得了很大的进展，随着这些波导的硅基光开关不断研制出来，各种光开关结构也不断提出来了。为了解决硅的线性电光系数为零的问题... ＳｉＯ２ 光波导、重掺杂光波导、ＳＯＩ光波导、合金光波导及聚合物光波导等低损耗硅基光波导的研究已取得了很大的进展，随着这些波导的硅基光开关不断研制出来，各种光开关结构也不断提出来了。为了解决硅的线性电光系数为零的问题，采用了多种方法，以获得强的线性电光效应，实现高速光开关。文章回顾了近十年来硅基光波导及光开关的研究进展。 展开更多
关键词 光波导 光电集成 光开关 硅基光波导
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快速响应SOI马赫曾德热光调制器 被引量：6
16
作者 魏红振 余金中 +3 位作者 夏金松 严清峰 刘忠立 房昌水 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期509-512,共4页
给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3
关键词 集成光学 调制器 SOI 热光开关
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阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析 被引量：7
17
作者 雷红兵 欧海燕 +3 位作者 杨沁清 胡雄伟 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期359-364,共6页
阵列波导光栅复用 /解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数 .波导光栅孔径数值有限 ,部分光场将因未被耦合进而损失掉 .同时引起输出波导接收端焦场变形 ,增加了器件串扰 .本文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损... 阵列波导光栅复用 /解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数 .波导光栅孔径数值有限 ,部分光场将因未被耦合进而损失掉 .同时引起输出波导接收端焦场变形 ,增加了器件串扰 .本文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损耗和信号串扰 ,选择适当孔径参数可使其引入的信号损耗和串扰降到足够低 。 展开更多
关键词 阵列波导光栅 光波导 复用/解复用器
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利用金属过渡层低温键合硅晶片 被引量：6
18
作者 张小英 陈松岩 +2 位作者 赖虹凯 李成 余金中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期213-216,共4页
在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(X... 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度. 展开更多
关键词 硅片键合 界面特性 金属过渡层 键合机理
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估算SOI单模脊形弯曲波导最小弯曲半径的简单方法 被引量：4
19
作者 魏红振 余金中 +4 位作者 张小峰 刘忠立 王启明 史伟 房昌水 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期398-400,共3页
采用有效折射率方法计算了 SOI弯曲波导由于辐射损耗引起模式截止的最小弯曲半径 。
关键词 集成光学 光波导 SOI 最小弯曲半径 辐射损耗 弯曲波导
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SOI波导弯曲损耗改善方法的研究 被引量：4
20
作者 陈媛媛 余金中 +1 位作者 陈少武 樊中朝 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-55,共3页
采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,... 采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为 70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了 5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗. 展开更多
关键词 弯曲损耗 弯曲波导 SOI 有效折射率 束传播算法 插入损耗 附加损耗 效果 实验 方法
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