实现“人机共存”的上层空间紫外辐照系统的应用及研究进展

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作者 季耀洲 何张卫 +8 位作者 叶新建 罗美林 曹承福 袁文涵 朱凤一 俞容文 宋承华 吴荣谦 李虞锋 《中国医疗设备》 2024年第2期22-27,共6页

目前预防空气中病原体传播的重要性日益凸显,寻求有效的空气消杀技术变得至关重要。上层空间紫外辐照技术作为一种高效、经济且满足“人机共存”的空气消杀解决方案,已应用于针对预防结核传播中。随着固态紫外光源的发展,新型上层空间... 目前预防空气中病原体传播的重要性日益凸显,寻求有效的空气消杀技术变得至关重要。上层空间紫外辐照技术作为一种高效、经济且满足“人机共存”的空气消杀解决方案,已应用于针对预防结核传播中。随着固态紫外光源的发展,新型上层空间紫外辐照系统相较于传统系统,在光源升级、光束整形、结构设计等方面均有提升。光束整形的优化可使紫外线更精准地照射目标区域,提高消毒效果。本文综述了上层紫外线辐照系统的技术原理、研发现状、应用领域,并对未来发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 上层空间紫外辐照 C波段紫外线 人机共存 空气消杀

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无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系 被引量：1

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作者 俞容文 吕毅军 郑健生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期22-24,共3页

研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系．在低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构．随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，谱线半宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移（５２ｍｅＶ），同时强度减小了两个数量级．对实验结果的拟合表明... 研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系．在低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构．随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，谱线半宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移（５２ｍｅＶ），同时强度减小了两个数量级．对实验结果的拟合表明，在两个温度区存在着两个不同的激活能．温度小于１００Ｋ，激活能为４ｍｅＶ；温度大于１００Ｋ，激活能变为３５ｍｅＶ．我们认为低温温度行为由带边载流子的热离化伴随的无辐射跃迁所控制。 展开更多

关键词 光致发光 有序度 Ⅲ-Ⅴ族 半导体 镓铟磷 温度

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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究

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作者 俞容文 黄旭光 +1 位作者 郑健生 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期216-220,共5页

采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．

关键词 Ⅲ-Ⅴ族 半导体 杂质 发光瞬态过程 混晶半导体

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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线

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作者 俞容文 郑健生 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期852-855,共4页

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细... 采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线．这个结果在实验上有力地证实了在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ中的确存在着ＮＮ１发光中心． 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族半导体 激子 声子 混晶 光致发光谱

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混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

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作者 俞容文 郑健生 颜炳章 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期429-432,共4页

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移... 本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ；在温度Ｔ＞５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果，我们提出，ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分子的发光． 展开更多

关键词 混晶 发光带 半导体 光致发光光谱 激发发光谱

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混晶GaAs_(1-x)P_(x)∶N中N_(x)发光的声子伴线结构

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作者 俞容文 郑健生 +2 位作者 肖梅杰 林之融 颜炳章 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期28-32,共5页

本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究．在低温下，选择激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ∶Ｎ低温发光谱中类似的声子伴线结构．根据实... 本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究．在低温下，选择激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ∶Ｎ低温发光谱中类似的声子伴线结构．根据实验结果，给出了混晶中各种声子的能量．另外，对组分为ｘ＝０．７６的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ混晶样品，我们还首次观察并分析了多声子重现光谱． 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶 光致发光 声子伴线

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GaAs_(1-x)Px:N中氮浓度的光吸收法测量

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作者 俞容文 郑健生 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期152-155,共4页

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60<x<0.90)样品中的掺氮浓度,对其中较低组分和较小掺氮浓度的样品采用多片样品重叠增强吸收的方法,测量效果有很大改善,根据实验得到的样品组分和N_x带吸收蜂能量... 在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60<x<0.90)样品中的掺氮浓度,对其中较低组分和较小掺氮浓度的样品采用多片样品重叠增强吸收的方法,测量效果有很大改善,根据实验得到的样品组分和N_x带吸收蜂能量位置的关系式:E_(N_x)(x,77K)=(0.3095)x^2+(0.0797)x+1.9236(eV),可以简便地从吸收谱中确定样品组分。 展开更多

关键词 氮浓度 光吸收 混晶 发光材料

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混晶GaAs_(1-x)P_(x):N中等电子杂质束缚激子的发光

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作者 俞容文 郑健生 +1 位作者 糜东林 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期189-193,共5页

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带... 在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃． 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族半导体 混晶无序 束缚激子 能量转移

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低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光

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作者 俞容文 郑健生 +1 位作者 糜东林 颜炳章 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期444-449,共6页

在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱... 在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程． 展开更多

关键词 混晶 发光 GaAsi-xPx:N

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无序和有序GaInP_2的光致发光谱 被引量：4

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作者 吕毅军 俞容文 郑健生 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期362-365,共4页

对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热... 对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭． 展开更多

关键词 有序 无序 半导体 光致发光谱 镓铟磷化合物

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有序Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)光致发光谱研究

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作者 吕毅军 俞容文 郑健生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期14-16,共3页

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８... 报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８５Ｋ左右完全消失．高能端的发光峰（以下简称Ｂ峰）积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭．采用低激发功率密度激发样品，Ａ峰较Ｂ峰强．增大激发功率密度，Ｂ峰强度逐渐超过Ａ峰强度并占据主导地位．激发功率密度增加约两个数量级时，发现Ｂ峰峰值位置不随激发功率密度移动，而Ａ峰出现微小蓝移（６．２ｍｅＶ）．初步分析表明，Ａ峰与空间分离中心的复合有关，而Ｂ峰来自本征激子复合； 展开更多

关键词 有序度 Ⅲ-Ⅴ族 半导体 光致发光谱 镓铟磷

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混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射 被引量：1

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作者 俞容文 郑健生 +2 位作者 肖梅杰 林之融 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期908-911,共4页

研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇... 研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据． 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族混晶半导体 共振喇曼散射

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混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究

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作者 林之融 俞容文 +1 位作者 郑健生 颜炳章 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期876-879,共4页

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的... 采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎг与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心，有着不同的束缚激子的机制． 展开更多

关键词 混晶 光致发光 束缚激子 砷化镓 半导体材料

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