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微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用
1
作者 孙建 俞远高 +5 位作者 王锐 侯国付 薛俊明 赵颖 耿新华 李乙钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期697-701,共5页
高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32nm/s,晶化率达58.2%。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和... 高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32nm/s,晶化率达58.2%。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%。 展开更多
关键词 高速生长 微晶硅电池 高压耗尽
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微晶硅NIP太阳电池
2
作者 俞远高 杨瑞霞 +1 位作者 侯国付 薛俊明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期193-196,共4页
微晶硅NIP太阳电池具有许多优点,如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间,保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能,以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等。综合介绍了微晶硅NIP太阳电池的基本原... 微晶硅NIP太阳电池具有许多优点,如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间,保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能,以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等。综合介绍了微晶硅NIP太阳电池的基本原理、研究现状、存在的问题并展望其发展前景。 展开更多
关键词 微晶硅 NIP 太阳电池
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微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用 被引量：10
3
作者 俞远高 侯国付 +4 位作者 王锐 薛俊明 赵颖 耿新华 杨瑞霞 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第8期48-55,共8页
微晶硅(μc-Si：H)是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性,器件质量级材料的表征参量,材料的生长技术,微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。
关键词 微晶硅 转化效率 等离子体增强化学气相沉积 太阳电池
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NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究 被引量：7
4
作者 王锐 薛俊明 +7 位作者 俞远高 侯国付 李林娜 孙建 张德坤 杨瑞霞 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期511-514,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法。通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5min,N层沉积12min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%。通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。 展开更多
关键词 非晶硅(a-Si) 太阳能电池 I/P界面 NIP电池
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