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微腔真空场对辐射过程的调控及应用(特邀)
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作者 程晓天 汪玲芳 +5 位作者 于家望 丁舒宁 倪之博 王宏斌 周晓青 金潮渊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期57-79,共23页
真空电磁模式与辐射源之间的相互耦合决定了辐射源的辐射特性。光学微腔能够对真空光子态密度进行有效调控,进而影响辐射源的辐射过程。微腔内真空电磁场的局域分布可以通过微纳结构来改变,从而调节辐射源与光子的相互作用,为微纳激光... 真空电磁模式与辐射源之间的相互耦合决定了辐射源的辐射特性。光学微腔能够对真空光子态密度进行有效调控,进而影响辐射源的辐射过程。微腔内真空电磁场的局域分布可以通过微纳结构来改变,从而调节辐射源与光子的相互作用,为微纳激光、量子光源、片上光学网络等应用领域提供新颖的功能性器件。然而,真空场的静态调控方法存在其固有限制,即一旦完成制备无法更改其性能,因此微腔光子器件迫切需要动态或者准动态的调控技术来实现相应的功能。本文综述了基于材料性质、环境参数和耦合效应的多种调控手段,以期实现对器件真空场分布的后端调控。总结了国内外在半导体微腔真空场调控方面的研究进展,并提出了未来的研究展望。主动后端调控手段有望在集成微纳光学和量子信息处理等领域得到广泛的应用。 展开更多
关键词 半导体微腔 辐射过程 纳米光子学及光子晶体 半导体激光器件
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