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一种低电源电压灵敏度RC振荡器的设计 被引量:10
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作者 刘超 李昌红 +3 位作者 于臻 冯纯益 张军 于奇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期30-33,共4页
基于传统RC振荡器的理论分析,采用电阻串分压提供参考电压的方式,设计了一种低电源电压灵敏度的振荡器。基于HHNEC 0.5μm BiCMOS工艺,完成了HSPICE仿真。仿真结果显示,该振荡器输出一个频率为63kHz、占空比为50%的方波信号,当电源电压... 基于传统RC振荡器的理论分析,采用电阻串分压提供参考电压的方式,设计了一种低电源电压灵敏度的振荡器。基于HHNEC 0.5μm BiCMOS工艺,完成了HSPICE仿真。仿真结果显示,该振荡器输出一个频率为63kHz、占空比为50%的方波信号,当电源电压在4.5~5.5V之间变化时,频率变化范围在±0.52%内,有效降低了电源电压对振荡频率的影响。该振荡器可应用于开关电源芯片。 展开更多
关键词 低电源电压灵敏度 RC振荡器 电阻串
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一种全MOS低温漂电压基准源的研究 被引量:1
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作者 宋文青 于奇 +3 位作者 冯纯益 张军 朱波 郑杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期210-212,217,共4页
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:... 通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃~125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。 展开更多
关键词 Tracking-VGS 温度补偿 NMOS栅源电压 电压基准源
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一种采用电阻串复用结构的12位SAR ADC 被引量:3
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作者 关允超 宁宁 +4 位作者 张军 杜翎 吴克军 范洋 冯纯益 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期311-314,共4页
针对带数字校准功能的逐次逼近模/数转换器(SAR ADC),提出将主DAC、校准DAC和基准电压产生电路的电阻串进行复用,从而显著减少了芯片面积,降低了功耗。相比6+6两段电容结构DAC,采用电阻电容混合结构的主DAC和校准DAC节约了37%的版图面... 针对带数字校准功能的逐次逼近模/数转换器(SAR ADC),提出将主DAC、校准DAC和基准电压产生电路的电阻串进行复用,从而显著减少了芯片面积,降低了功耗。相比6+6两段电容结构DAC,采用电阻电容混合结构的主DAC和校准DAC节约了37%的版图面积。在0.18μm CMOS工艺下,通过Hspice仿真,SAR ADC的DNL和INL均小于0.4LSB,SNR为75dB。系统正常工作时,总功耗为3.1mW,比不采用电阻串复用的结构减少0.9mW。 展开更多
关键词 模/数转换器 电阻串复用 逐次逼近寄存器 数字校准
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0.35μm高速真随机数芯片设计
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作者 侯二林 朱翔 +2 位作者 冯纯益 张建国 王云才 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2019年第6期842-846,共5页
设计了一种基于混合布尔网络的混沌真随机数发生器,其熵源由18节点自治布尔网络构成,用于产生高幅值(~3V)、大带宽(~780 MHz)的布尔混沌;利用同步布尔网络对布尔混沌进行采样、量化,最终实现了实时速率为100 Mbps的真随机数产生。同时... 设计了一种基于混合布尔网络的混沌真随机数发生器,其熵源由18节点自治布尔网络构成,用于产生高幅值(~3V)、大带宽(~780 MHz)的布尔混沌;利用同步布尔网络对布尔混沌进行采样、量化,最终实现了实时速率为100 Mbps的真随机数产生。同时完成了真随机数发生器的ASIC芯片设计,芯片采用中芯国际SMIC 0.35μm 3.3 V CMOS标准工艺,核心电路面积0.02 mm^2.利用Cadence Spectre仿真器,对芯片版图进行了后端仿真验证。仿真结果表明,该芯片可以在100 MHz时钟下输出满足随机性检测标准的真随机数序列。 展开更多
关键词 ASIC 布尔混沌 随机数发生器 随机性测试 自治布尔网络
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一种用于安全芯片的光检测防护电路
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作者 朱翔 范伟力 +1 位作者 冯纯益 何卫国 《通信技术》 2017年第7期1581-1586,共6页
安全芯片自身的安全性非常重要。它受到众多的安全威胁和攻击,其中光攻击是一种重要的攻击手段。因此,提出了一种用于安全芯片的光检测防护电路,可有效实现对光攻击的检测和防护,从而提升安全芯片的安全性。电路采用基于电流比较的结构... 安全芯片自身的安全性非常重要。它受到众多的安全威胁和攻击,其中光攻击是一种重要的攻击手段。因此,提出了一种用于安全芯片的光检测防护电路,可有效实现对光攻击的检测和防护,从而提升安全芯片的安全性。电路采用基于电流比较的结构实现,无需使用大电阻和运放,降低了电路复杂度,减小了电路面积,同时增加了暗电流消除功能,可有效减少温度等环境条件的干扰。电路采用标准CMOS工艺实现,可直接集成在安全芯片中使用,具有较好的实用价值。 展开更多
关键词 安全芯片 光攻击 光检测与防护 电流比较
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基于一款安全SoC芯片的物理验证方案
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作者 程福军 冯纯益 朱翔 《中国集成电路》 2020年第12期54-58,62,共6页
物理验证是集成电路设计流程中的一个重要步骤。本文介绍了一款安全SoC(System on chip)芯片物理验证方案,所验证的SoC芯片为300万门量级,包括LDO、OSC、SRAM、eFlash等电路模块。采用Mentor公司的Calibre工具进行物理验证,包括DRC(Desi... 物理验证是集成电路设计流程中的一个重要步骤。本文介绍了一款安全SoC(System on chip)芯片物理验证方案,所验证的SoC芯片为300万门量级,包括LDO、OSC、SRAM、eFlash等电路模块。采用Mentor公司的Calibre工具进行物理验证,包括DRC(Design rule check)、ANT(Antenna rule check)、LVS(Layout versus schematic),并对存在的问题做了分析处理。Calibre提供丰富的脚本命令和可视化界面,能够快速、高效的定位问题,提高工作效率,缩短了芯片设计的周期。 展开更多
关键词 物理验证 可视化界面 SOC芯片 FLASH 电路模块 定位问题 脚本命令
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