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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
1
作者
刘中梦雪
黄伟
+4 位作者
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期476-481,487,共7页
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。
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关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
导通压降
正向阻断电压
p基区
静态特性
原文传递
CsPbBr_3/C8-BTBT复合薄膜的制备和光学性能研究
2
作者
刘中梦雪
张春雨
+2 位作者
黄玲玲
顾勋
王向华
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2019年第1期64-68,共5页
文章采用热注入法制备CsPbBr3量子点,使用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)分析量子点的晶相结构,通过吸收光谱和循环伏安法表征量子点的能带结构。实验制备的量子点禁带宽度为2.52eV,半峰宽仅为25nm,可与小分子有机半导体C8-BTBT共...
文章采用热注入法制备CsPbBr3量子点,使用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)分析量子点的晶相结构,通过吸收光谱和循环伏安法表征量子点的能带结构。实验制备的量子点禁带宽度为2.52eV,半峰宽仅为25nm,可与小分子有机半导体C8-BTBT共同溶解于有机溶剂中,形成稳定的胶体分散体系。通过滴注和浸渍提拉法制备了CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜,分别采用365nm的紫外光和470nm的蓝光LED作为激发光源,表征了量子点薄膜及复合薄膜的光致发光性能。实验结果表明,纯CsPbBr3量子点薄膜的转换效率可达90%,以有机半导体C8-BTBT作为复合基质的薄膜在紫外光激发下光致转换效率提高了44%。
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关键词
量子点
小分子半导体
禁带宽度
转换效率
复合薄膜
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职称材料
题名
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
1
作者
刘中梦雪
黄伟
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
机构
华东光电集成器件研究所
复旦大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期476-481,487,共7页
文摘
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。
关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
导通压降
正向阻断电压
p基区
静态特性
Keywords
MOS controlled thyristor(MCT)
on⁃state voltage drop
forward blocking voltage
p⁃base
static characteristic
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
CsPbBr_3/C8-BTBT复合薄膜的制备和光学性能研究
2
作者
刘中梦雪
张春雨
黄玲玲
顾勋
王向华
机构
合肥工业大学光电技术研究院
出处
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2019年第1期64-68,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51203039)
文摘
文章采用热注入法制备CsPbBr3量子点,使用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)分析量子点的晶相结构,通过吸收光谱和循环伏安法表征量子点的能带结构。实验制备的量子点禁带宽度为2.52eV,半峰宽仅为25nm,可与小分子有机半导体C8-BTBT共同溶解于有机溶剂中,形成稳定的胶体分散体系。通过滴注和浸渍提拉法制备了CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜,分别采用365nm的紫外光和470nm的蓝光LED作为激发光源,表征了量子点薄膜及复合薄膜的光致发光性能。实验结果表明,纯CsPbBr3量子点薄膜的转换效率可达90%,以有机半导体C8-BTBT作为复合基质的薄膜在紫外光激发下光致转换效率提高了44%。
关键词
量子点
小分子半导体
禁带宽度
转换效率
复合薄膜
Keywords
quantum dots(QDs)
small-molecule semiconductor
band gap
conversion efficiency
composite film
分类号
TN383.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
刘中梦雪
黄伟
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
原文传递
2
CsPbBr_3/C8-BTBT复合薄膜的制备和光学性能研究
刘中梦雪
张春雨
黄玲玲
顾勋
王向华
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2019
0
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职称材料
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