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刘会东作品欣赏
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作者 刘会东 《黄河之声》 2014年第4期128-128,共1页
刘会东,男,1961年7月1日生。北京市人。自幼喜爱书法。先后临摹褚遂良、二王、怀素、于右任等名家字帖,擅长行书、草书。兼隶属。1980年在北京军区51094部队政治处服役,期间师从苏怀清老师学习书法,(苏怀清:现为山西省朔州市老... 刘会东,男,1961年7月1日生。北京市人。自幼喜爱书法。先后临摹褚遂良、二王、怀素、于右任等名家字帖,擅长行书、草书。兼隶属。1980年在北京军区51094部队政治处服役,期间师从苏怀清老师学习书法,(苏怀清:现为山西省朔州市老年书画协会主席。内蒙古书法协会会员)。服役期间多次参加部队举办的书画展。并获奖。1986年退役后转入北京市公路局工会工作, 展开更多
关键词 简介 艺术 协会会员 北京军区 工会工作 北京市 书画展 服役期
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2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
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作者 李远鹏 陈长友 刘会东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期706-712,共7页
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选... 基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器
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X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
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作者 李远鹏 魏洪涛 刘会东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期805-811,共7页
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺... 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈
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E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC
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作者 陈长友 刘会东 崔璐 《现代信息科技》 2023年第9期60-62,67,共4页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 E波段 有源六倍频器
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胃癌根治术后患者远期生存情况及预后影响因素分析 被引量:7
5
作者 刘会东 王鹏 阚永丰 《现代消化及介入诊疗》 2016年第5期730-733,共4页
目的探讨胃癌根治术后患者远期生存情况及预后的影响因素。方法选择2008年7月至2010年7月医院收治的79例行胃癌根治术的胃癌患者作为研究对象,对患者进行远期随访,记录患者远期生存情况;以患者年龄、TMN分期、肿瘤直径、浸润深度、术后... 目的探讨胃癌根治术后患者远期生存情况及预后的影响因素。方法选择2008年7月至2010年7月医院收治的79例行胃癌根治术的胃癌患者作为研究对象,对患者进行远期随访,记录患者远期生存情况;以患者年龄、TMN分期、肿瘤直径、浸润深度、术后辅助放化疗、术后癌胚抗原(carcino-embryonic antigen,CEA)水平等作为观察指标,筛选出影响患者预后的危险因素。结果至末次随访,79例胃癌患者死亡45例,患者中位生存时间为37.2个月;1、3、5年生存率分为别94.3%、53.7%、25.4%。单因素分析显示,年龄、TMN分期、浸润深度、术后辅助放化疗、术后CEA水平均与患者预后有关(P均<0.05);多因素分析显示TMN分期、浸润深度是影响胃癌患者预后的独立危险因素(P均<0.05)。结论胃癌根治术后患者远期生存率较低,TMN分期、浸润深度是影响胃癌患者预后的独立危险因素。 展开更多
关键词 胃癌 手术 生存率 预后 影响因素
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乳腺癌患者外科治疗后疼痛的影响因素研究 被引量:8
6
作者 刘会东 王鹏 阚永丰 《癌症进展》 2016年第8期793-795,共3页
目的调查乳腺癌患者外科治疗后急性疼痛的流行病学特征,探究乳腺癌治疗后急性疼痛的相关因素。方法选取在本院接受治疗的120例乳腺癌患者,依据是否出现治疗后急性疼痛分为两组,乳腺切除术后疼痛(PMPS)组和非PMPS组,分别于治疗前及治疗... 目的调查乳腺癌患者外科治疗后急性疼痛的流行病学特征,探究乳腺癌治疗后急性疼痛的相关因素。方法选取在本院接受治疗的120例乳腺癌患者,依据是否出现治疗后急性疼痛分为两组,乳腺切除术后疼痛(PMPS)组和非PMPS组,分别于治疗前及治疗后记录患者的个体特征及治疗情况,对相关因素进行分析。结果两组患者在年龄、病程、分期、术前焦虑抑郁、肋间臂神经切除、腋淋巴结清扫、辅助化疗、术后出血或积液、合并其他疼痛综合征等方面的差异有统计学意义(P﹤0.05),其中年龄、术后出血或积液、腋淋巴结清扫、治疗前焦虑是乳腺癌治疗后急性疼痛的独立相关因素(P﹤0.05)。结论低龄乳腺癌患者更易出现治疗后急性疼痛。合理选择外科治疗范围和方式并对患者心理进行干预有助于缓解疼痛。 展开更多
关键词 乳腺癌 急性疼痛 出血 积液 腋淋巴结清扫
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一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器 被引量:2
7
作者 刘会东 朱宝石 +1 位作者 朱思成 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期931-935,956,共6页
基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹... 基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹配网络减小了输入热噪声,优化了电路的噪声系数;在级间匹配网络中引入电阻元件,通过降低Q值扩展电路工作带宽。采用SiC衬底0.15μm AlGaN/GaN HEMT工艺进行流片,在片测试结果表明,在频率14~34 GHz时,该LNA的增益为(18±1)dB、噪声系数小于4.5 dB,在频率为39 GHz时1 dB压缩点输出功率为19 dBm,最大输入承受功率为30 dBm,相对工作带宽大于100%。研制的MMIC LNA面积为1.71 mm^2,功耗为1.05 W。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 氮化镓(GaN) 微波单片集成电路(MMIC) 毫米波 超宽带
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具有数控衰减和放大功能的单片集成电路 被引量:1
8
作者 刘会东 文杰 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期501-505,511,共6页
报道了一款新颖单片集成电路,其集成了数控衰减功能及放大功能。在设计过程中,为实现单片集成电路的宽带特性,放大单元采用负反馈结构;为实现单片集成电路的低噪声特性和功率特性,精确测量器件的噪声特性,合理选择放大单元中器件的工作... 报道了一款新颖单片集成电路,其集成了数控衰减功能及放大功能。在设计过程中,为实现单片集成电路的宽带特性,放大单元采用负反馈结构;为实现单片集成电路的低噪声特性和功率特性,精确测量器件的噪声特性,合理选择放大单元中器件的工作点,合理布局放大单元和衰减单元衔接顺序;为实现单片集成电路的高精度衰减特性,针对不同衰减量合理选择T型和π型结构。通过以上设计手段,该单片集成电路在1.5~7 GHz增益达到20 dB、噪声系数2 dB、1 dB压缩点输出功率高达18 dBm;能够实现1 dB步进、最大衰减量达到31 dB的衰减功能。该单片集成电路把三款单功能电路集成在一个芯片上,在实现同样功能的前提下大幅缩减芯片面积,有效降低成本。 展开更多
关键词 宽带 多功能 放大器 衰减器 砷化镓
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0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计 被引量:1
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作者 刘会东 张海英 +1 位作者 孙肖磊 陈普峰 《电子器件》 CAS 2008年第6期1801-1803,1807,共4页
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗... 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°-2°之间。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 宽带 数字衰减器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管
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凹凸棒土/玉米秸秆生物炭制备及对四环素的吸附 被引量:1
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作者 董良飞 郜飞 +2 位作者 刘会东 陈云亮 鲁光辉 《常州大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第2期46-58,共13页
研究以NaOH为活化剂对凹凸棒土/玉米秸秆(ATP/CS)进行碱改性,在限氧条件下慢速共热解制备凹凸棒土/玉米秸秆生物炭(ATP/CSBC),用于去除水中的四环素(TC)。采用响应曲面法对NaOH浸渍浓度、NaOH浸渍时间、热解温度3种制备影响因素进行优... 研究以NaOH为活化剂对凹凸棒土/玉米秸秆(ATP/CS)进行碱改性,在限氧条件下慢速共热解制备凹凸棒土/玉米秸秆生物炭(ATP/CSBC),用于去除水中的四环素(TC)。采用响应曲面法对NaOH浸渍浓度、NaOH浸渍时间、热解温度3种制备影响因素进行优化研究,探讨各因素之间对ATP/CSBC吸附性能的交互影响。通过多种仪器对ATP/CSBC的微观形貌和理化性质进行了分析,同时考察了吸附剂投加量、pH、初始浓度及吸附时间等因素对TC吸附量的影响。实验结果表明,在投加量为0.6 g/L,pH=8,TC初始质量浓度为200 mg/L、吸附时间为240 min时,ATP/CSBC质量比为1∶1时,TC的吸附量最大为177.77 mg/g。ATP/CSBC对TC的吸附更符合Langmuir等温线模型和准二级动力学模型,且颗粒内扩散模型拟合结果表明该扩散行为非吸附过程中唯一限速因素,吸附速率可能由液膜扩散、颗粒内扩散和表面吸附等共同控制。 展开更多
关键词 凹凸棒土 玉米秸秆生物炭 复合材料 四环素 吸附剂
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Q波段双通道幅度控制多功能芯片
11
作者 刘会东 丁红沙 魏洪涛 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第5期946-950,共5页
设计了一款Q波段的双通道多功能单片电路,其内部集成了威尔金森功分器、六位0.5 dB步进数控衰减器和单刀双掷开关。在设计过程中,开关单元电路采用三级并联结构,有效降低电路插入损耗,提高隔离度;数控衰减器单元采用多节并联T型结构,改... 设计了一款Q波段的双通道多功能单片电路,其内部集成了威尔金森功分器、六位0.5 dB步进数控衰减器和单刀双掷开关。在设计过程中,开关单元电路采用三级并联结构,有效降低电路插入损耗,提高隔离度;数控衰减器单元采用多节并联T型结构,改善高频段插入损耗和衰减精确度指标。通过以上设计方法,该单片电路在40~50 GHz插入损耗为10 dB,隔离度为26 dB;能够实现幅度控制步进0.5 dB,最大衰减量31.5 dB。 展开更多
关键词 Q波段 双通道 多功能 衰减器 砷化镓
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液压自动迈步式上梁器的研制
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作者 刘会东 于明献 +1 位作者 张建强 何鑫 《中州煤炭》 2012年第2期21-22,79,共3页
郑煤集团公司米村煤矿炮掘工作面放炮后临时支护原采用传统的人工上梁方式,存在顶煤冒落的安全隐患。通过对架棚巷道支护工艺的分析研究,米村煤矿研制出一种新型矿用U型钢前探梁支护装置———液压自动迈步式上梁器。对该装置设计方案... 郑煤集团公司米村煤矿炮掘工作面放炮后临时支护原采用传统的人工上梁方式,存在顶煤冒落的安全隐患。通过对架棚巷道支护工艺的分析研究,米村煤矿研制出一种新型矿用U型钢前探梁支护装置———液压自动迈步式上梁器。对该装置设计方案进行了分析,对其工作原理进行了介绍。平地试验及井下推广使用情况表明,该装置可消除以往架棚工艺环节中的弊端,其使用效果良好。 展开更多
关键词 U型钢 上梁器 临时支护
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基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关 被引量:5
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作者 刘会东 魏洪涛 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期495-498,共4页
GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好。基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片。该开关采用单级并联结... GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好。基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片。该开关采用单级并联结构。通过微波在片测试,在小信号条件下,6~18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB。把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性。在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景。 展开更多
关键词 大功率 宽带 单刀双掷 砷化镓 PIN二极管
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NO_(3)^(-)-N和NH_(4)^(+)N联合生物炭对黑麦草修复镉污染的影响
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作者 董良飞 李芬 +1 位作者 刘会东 仲慧赟 《常州大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第2期36-45,共10页
为降低土壤中镉(Cd)的危害,研究探讨了生物炭配施氮肥对黑麦草富集Cd的影响。采用盆栽实验研究土壤Cd污染水平(0.3,3,5 mg/kg)、氮肥形态(硝酸盐氮和铵态氮)、氮肥水平(0.1,0.2,0.5,1 g/kg)对Cd形态和黑麦草富集的影响。结果表明,单施... 为降低土壤中镉(Cd)的危害,研究探讨了生物炭配施氮肥对黑麦草富集Cd的影响。采用盆栽实验研究土壤Cd污染水平(0.3,3,5 mg/kg)、氮肥形态(硝酸盐氮和铵态氮)、氮肥水平(0.1,0.2,0.5,1 g/kg)对Cd形态和黑麦草富集的影响。结果表明,单施生物炭可以固定土壤中游离的Cd,相比NH_(4)^(+)-N,配施NO_(3)^(-)-N黑麦草对Cd的吸收、迁移和富集能力更强。不同Cd污染浓度下,不同NO_(3)^(-)-N水平下Cd的最大去除率分别可以达到30.23%,36.06%和30.90%;不同NH_(4)^(+)-N水平下,Cd的最大去除率可以达到24.49%,28.05%和24.79%。结合相关性分析表明,pH对Cd形态变化和Cd的富集起着关键性作用,且生物炭与NO_(3)^(-)-N的配施可以更有效、快捷地降低土壤中的Cd,更利于Cd污染土壤的安全应用。 展开更多
关键词 生物炭 硝酸盐氮 铵态氮 镉污染 生物有效性
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多标记分类和标记相关性的联合学习 被引量:21
15
作者 何志芬 杨明 刘会东 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期1967-1981,共15页
提出了多标记分类和标记相关性的联合学习(JMLLC),在JMLLC中,构建了基于类别标记变量的有向条件依赖网络,这样不仅使得标记分类器之间可以联合学习,从而增强各个标记分类器的学习效果,而且标记分类器和标记相关性可以联合学习,从而使得... 提出了多标记分类和标记相关性的联合学习(JMLLC),在JMLLC中,构建了基于类别标记变量的有向条件依赖网络,这样不仅使得标记分类器之间可以联合学习,从而增强各个标记分类器的学习效果,而且标记分类器和标记相关性可以联合学习,从而使得学习得到的标记相关性更为准确.通过采用两种不同的损失函数:logistic回归和最小二乘,分别提出了JMLLC-LR(JMLLC with logistic regression)和JMLLC-LS(JMLLC with least squares),并都拓展到再生核希尔伯特空间中.最后采用交替求解的方法求解JMLLC-LR和JMLLC-LS.在20个基准数据集上基于5种不同的评价准则的实验结果表明,JMLLC优于已提出的多标记学习算法. 展开更多
关键词 多标记学习 多标记分类 标记相关性 条件依赖网络 再生核希尔伯特空间 交替求解
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急性腹痛伴糖尿病酮症酸中毒诊治分析 被引量:21
16
作者 志贤 刘会东 厉胜 《中国全科医学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第26期3113-3115,共3页
目的探讨急性腹痛伴糖尿病酮症酸中毒(DKA)患者的临床表现、误诊原因与诊疗对策。方法对2005年8月—2010年8月以腹痛为主要症状同时伴有DKA的84例患者的临床资料进行回顾性分析,根据主要诊断将84例患者分为急腹症组(急腹症伴DKA)58例、... 目的探讨急性腹痛伴糖尿病酮症酸中毒(DKA)患者的临床表现、误诊原因与诊疗对策。方法对2005年8月—2010年8月以腹痛为主要症状同时伴有DKA的84例患者的临床资料进行回顾性分析,根据主要诊断将84例患者分为急腹症组(急腹症伴DKA)58例、非急腹症组(由其他内科疾病引起腹痛伴DKA)21例、DKA组(仅有DKA)5例。结果急腹症组腹膜炎体征阳性率、影像学检查阳性结果与局部体征符合率均高于非急腹症组和DKA组,初诊误诊率和非手术治疗后24、48、72 h缓解率均低于非急腹症组和DKA组,差异有统计学意义(P<0.05)。3组死亡率〔5.2%(3/58)、4.8%(1/21)、0〕间差异无统计学意义(P>0.05)。结论出现腹膜炎体征、影像学检查阳性结果与局部体征符合以及保守性治疗后腹痛早期缓解,有助于腹痛伴DKA的病因诊断,并影响治疗措施和预后。 展开更多
关键词 糖尿病酮症酸中毒 腹痛 误诊
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K波段高效率GaAs收发一体多功能芯片 被引量:5
17
作者 韩芹 刘会东 +2 位作者 如青 曾志 魏洪涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期40-45,共6页
研制了一款K波段(23~25 GHz)收发一体化多功能芯片。该芯片集成了单刀双掷开关(SPDT)、接收支路低噪声放大器和发射支路高效率功率放大器。为兼顾低噪声和高效率功率特性,对电路的拓扑结构进行了优化选择和设计。在器件特征工作频点,采... 研制了一款K波段(23~25 GHz)收发一体化多功能芯片。该芯片集成了单刀双掷开关(SPDT)、接收支路低噪声放大器和发射支路高效率功率放大器。为兼顾低噪声和高效率功率特性,对电路的拓扑结构进行了优化选择和设计。在器件特征工作频点,采用开关模型、噪声模型和非线性大信号模型进行联合仿真设计。测试结果表明,该收发一体多功能芯片在23~25 GHz范围内,接收支路增益23 d B、噪声系数2.5 d B,工作电流仅为12 m A;发射支路增益为30 d B,1 d B压缩点输出功率为18.7 d Bm,功率附加效率达到30%,动态电流仅为70 m A。芯片尺寸小,仅为3.5 mm×2.5 mm。 展开更多
关键词 GAAS 多功能芯片 K波段 单片集成电路 噪声 效率
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采用电流复用拓扑的宽带收发一体多功能电路 被引量:5
18
作者 方园 高学邦 +1 位作者 韩芹 刘会东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期250-254,265,共6页
基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标... 基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标。收发开关采用浮地结构避免了使用负电源。芯片在14~24 GHz工作频率的实测结果显示:接收支路噪声系数小于3.0 dB,增益大于18 dB,输入及输出电压驻波比(VSWR)均小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于0 dBm,直流功耗为60 mW;发射支路增益大于21 dB,输入输出VSWR均小于1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,直流功耗为180 mW。芯片尺寸为2 600μm×1 800μm。该多功能收发电路的在片测试结果和仿真结果一致,性能达到了设计要求。 展开更多
关键词 收发一体多功能电路 GaAs单片微波集成电路(MMIC) 宽带 电流复用 浮地
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毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关 被引量:1
19
作者 刘会东 魏洪涛 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期581-584,共4页
采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p... 采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的GaAs pin二极管;最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25~40 GHz范围内插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于25 dB,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性;35 GHz下承受功率高达34 dBm,具有非常好的功率特性。 展开更多
关键词 毫米波 单刀双掷(SPDT) 砷化镓 PIN二极管 微波单片集成电路(MMIC)
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X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管(英文) 被引量:1
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作者 吴茹菲 张海英 +3 位作者 尹军舰 张健 刘会东 训春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期832-835,共4页
报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz^12.1GHz范围内,正向电流为10 mA时的开关电阻小于2.2Ω,而... 报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz^12.1GHz范围内,正向电流为10 mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10 V时开关电容小于20fF. 展开更多
关键词 GAAS PIN二极管 低损耗 高隔离 开关
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