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80C31单片机电路总剂量效应研究被引量：1: 1; 作者匡治兵郭旗 +2 位作者任迪远李爱武汪东《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期584-586,590,共4页; 研究了80C31单片机电路在60Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照后其电离辐照敏感参数在室温和100℃高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐射损伤的机理。; 关键词单片机 ^60Coγ辐照辐射损伤退火; 下载PDF 职称材料

大规模存储器电离辐射试验方法被引量：1: 2; 作者匡治兵郭旗 +2 位作者吾勤之任迪远陆妩《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期489-492,共4页; 提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器(Flash ROM)的60Coγ总剂量效应,以及辐照后在100℃高温条件下退火的实验结果。对实验现象进行了分析。; 关键词测试方法电离辐射总剂量效应存储器; 下载PDF 职称材料

双极晶体管不同温度的退火效应与机理被引量：1: 3; 作者汪东陆妩 +3 位作者任迪远李爱武匡治兵张华林《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期150-153,共4页; 研究了双极晶体管不同温度下的退火效应,发现双极晶体管的退火与温度有关,而且不同类型晶体管的退火效应是有差异的,最后文章讨论了其中可能的内在机制。; 关键词双极晶体管退火效应界面态; 下载PDF 职称材料

CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究被引量：2: 4; 作者李爱武余学峰 +3 位作者任迪远汪东匡治兵牛振红《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期470-473,495,共5页; 预辐照筛选成功的关键取决于预辐照后器件损伤的可恢复性及再次辐照时器件损伤的可重复性。通过对CMOS器件进行大量不同条件下的60Coγ总剂量辐照实验和退火实验,探讨了能使器件预辐照后的损伤得到尽可能大地恢复的辐照、特别是退火条件... 展开更多; 关键词 CMOS 预辐照筛选退火; 下载PDF 职称材料

总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析被引量：1: 5; 作者李爱武余学峰 +3 位作者任迪远汪东匡治兵刘刚《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期665-669,共5页; 本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件(CMOS)CC4069电路辐照前后的数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管阈电压值在辐照前和累积一定辐照剂量后的标准差及统计分布,研究了样品阈电压漂移值的分布规律,由此对... 展开更多; 关键词互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件总剂量辐照阈电压统计; 下载PDF 职称材料

一种无起爆药雷管的研究被引量：2: 6; 作者匡治兵占必文 +1 位作者聂煜莫元玲《煤矿爆破》 2013年第2期13-14,28,共3页; 阐述了无起爆雷管重要意义。设计了一种新的无起爆药雷管,并进行了起爆试验,取得良好效果,为实现无起爆药雷管在工业上广泛应用打下基础。; 关键词无起爆药雷管起爆试验; 下载PDF 职称材料

一种激光起爆系统检测技术: 7; 作者匡治兵《爆破器材》 CAS 北大核心 2012年第4期20-22,共3页; 介绍激光起爆系统的主要构成及研究进展,针对激光起爆系统检测的难点,提出了一种简单、可行的检测方法。该文重点进行了激光起爆系统的外置式检测技术研究,包括激光起爆器的光路设计、检测光纤设计和耦合结构设计,并通过试验验证,解决... 展开更多; 关键词激光起爆器检测反射; 下载PDF 职称材料

激光起爆器光学窗口的研究被引量：3: 8; 作者聂祥进匡治兵《爆破器材》 CAS 2011年第5期22-25,共4页; 文章设计了平面透镜、单凸透镜、双凸透镜组及格林透镜等几种光学窗口,并通过发火试验详细讨论了几种窗口的优劣。研究结果表明,自聚焦透镜发火阈值要远低于其它光学透镜结构发火能量,是目前最为理想的窗口透镜。; 关键词激光起爆器光学窗口格林透镜起爆; 下载PDF 职称材料

金属薄膜电桥火工品研制: 9; 作者潘涛匡治兵聂煜《现代矿业》 CAS 2013年第8期132-134,共3页; 介绍了金属薄膜电桥的发火原理,采用掩膜法,利用磁控溅射技术设备制造了一种金属薄膜电桥,并进行了安全电流试验、抗静电试验及发火试验。结果表明,薄膜电桥具有良好的抗静电性能和发火性能,对火工品的技术改进具有重要意义。; 关键词金属薄膜电桥掩膜法磁控溅射火工品; 下载PDF 职称材料

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