非晶态Se及掺杂Sb的Se薄膜晶化特性研究 被引量：1

1

作者 叶水驰 鲍海飞 蓝慕杰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期70-74,共5页

利用光学显微镜和Ｘ射线衍射技术，分析了非晶态Ｓｅ和掺杂Ｓｂ的Ｓｅ薄膜的晶化特性。Ｓｅ薄膜由于保存周期不同以及Ｓｂ掺杂到Ｓｅ中的Ｓｂ含量的多少都会影响Ｓｅ的晶化特性；在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长。分析了晶... 利用光学显微镜和Ｘ射线衍射技术，分析了非晶态Ｓｅ和掺杂Ｓｂ的Ｓｅ薄膜的晶化特性。Ｓｅ薄膜由于保存周期不同以及Ｓｂ掺杂到Ｓｅ中的Ｓｂ含量的多少都会影响Ｓｅ的晶化特性；在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长。分析了晶化过程中微裂纹的产生，晶界的产生和体积收缩。薄膜与衬底之间的热应力是产生微裂纹的主要因素。 展开更多

关键词 掺杂 晶化 微裂纹 硒 薄膜 锑 非晶态

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掺镁PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能研究 被引量：1

2

作者 叶水驰 刘欣荣 +3 位作者 杨春晖 徐悟生 徐玉恒 陈刚 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1999年第5期41-44,共4页

用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透过率和发光效率高于Ｐｂ－ＷＯ４晶体。

关键词 掺镁 晶体生长 发光效率 衰减时间 钨酸铅

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外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体

3

作者 叶水驰 蓝慕杰 +2 位作者 鲍海飞 于杰 周士仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期326-326,共1页

随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长... 随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置? 展开更多

关键词 碲镉汞晶体 磁场 晶体生长 半导体

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非晶态Se薄膜晶化过程中微裂纹产生的研究

4

作者 叶水驰 鲍海飞 +1 位作者 蓝幕杰 王骐 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1998年第3期77-80,共4页

薄膜在热处理过程中存在微观结构的变化。利用光学显微镜对非晶态Ｓｅ薄膜在晶化过程中微裂纹的产生做了详细的分析和研究；利用位形坐标解释了非晶薄膜室温下转变的原因。并对三层结构的ＳｉＯ／Ｓｅ／ＳｉＯ的晶化做了进一步研究。结... 薄膜在热处理过程中存在微观结构的变化。利用光学显微镜对非晶态Ｓｅ薄膜在晶化过程中微裂纹的产生做了详细的分析和研究；利用位形坐标解释了非晶薄膜室温下转变的原因。并对三层结构的ＳｉＯ／Ｓｅ／ＳｉＯ的晶化做了进一步研究。结果表明微裂纹的产生与晶化过程中原子重新排序、原子迁移导致晶界的产生和体积收缩产生的应力有关，裂纹的产生还同薄膜与衬底间的热失配有关。 展开更多

关键词 微裂纹 位形坐标晶化 非晶态 薄膜 晶化 硒

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在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体 被引量：2

5

作者 蓝慕杰 叶水驰 +2 位作者 鲍海飞 周士仁 姚枚 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期76-81,共6页

在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．... 在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．当安瓿绕生长轴匀速旋转时、晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征，也没有常规 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性尾部呈现圆锥状的凸起。 展开更多

关键词 HGCDTE BRIDGMAN法 磁场 晶体生长 金属复合物

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磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用 被引量：1

6

作者 蓝慕杰 叶水驰 +2 位作者 于杰 鲍海飞 周士仁 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期212-214,共3页

在0～4．5KGs的横向磁场中用布里兹曼法生长了碲镉汞晶体，轴向组分分布略见平缓，而径向组分显示出明显的偏心分布。在2～3KGs下，径向组分均匀性有明显改善，并获得了组分分布更为均匀的“斜”平面。

关键词 磁场 碲镉汞 晶体 红外光学材料 生长

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GaAs半导体薄膜电沉积的研究 被引量：1

7

作者 杨春晖 徐吾生 +4 位作者 韩岩 杨兆明 韩爱珍 叶水驰 高元凯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期110-113,共4页

利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。

关键词 GaAs薄膜 电沉积 添加剂 半导体薄膜

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Sb/Se薄膜的晶化特性研究 被引量：2

8

作者 鲍海飞 叶水驰 +4 位作者 兰慕杰 袁保红 何代义 周士仁 王骐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期337-340,共4页

对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形... 对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌，发现双层膜表面出现较多的裂纹。 展开更多

关键词 硒 锑 半导体薄膜技术

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两段式结构赝三元材料热电模块的研究

9

作者 张国威 叶水驰 +1 位作者 李海军 刘振茂 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2004年第5期509-511,共3页

在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功... 在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功率和发电效率均比单段式结构的热电模块提高80%左右. 展开更多

关键词 三元 实验研究 左右 材料 利用 依据 温差 发电效率 模块 设计制作

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外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究

10

作者 蓝慕杰 叶水驰 +3 位作者 鲍海飞 于杰 周士仁 王培林 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期8-10,共3页

介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化... 介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。 展开更多

关键词 磁场 晶体生长 BRIDGMAN法 碲镉汞晶体

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相变光盘的膜层计算与分析

11

作者 鲍海飞 叶水驰 +1 位作者 张军 王骐 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期55-58,69,共5页

利用光学矩阵，计算了记录介质为Ｔｅ４ＧｅＳｂ２四层膜系相变光盘的光学特性参数（如反射率、透射率）及对比度与各层膜厚的关系，给出了理想的膜层厚度值，并分析了各层介质的特性及作用。

关键词 相变光盘 膜层计算 记录介质 光盘

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Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究

12

作者 杨春晖 叶水驰 +1 位作者 韩爱珍 高元凯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期239-242,共4页

在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。

关键词 ALGAAS 三元化合物 电共沉积 络合剂

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磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

13

作者 蓝慕杰 张文军 +1 位作者 叶水驰 鲍海飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第5期33-37,共5页

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。

关键词 碲镉汞 磁场 缺陷 半导体材料 化学腐蚀

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硫系非晶态半导体材料的研究进展

14

作者 鲍海飞 叶水驰 王骐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期13-18,共6页

硫系非晶态半导体材料的实验研究揭示出它具有许多新奇的光学特性和实际的应用价值。本文对较新的研究成果和发展作了阐述。

关键词 硫系非晶态 半导体材料 光学特性 材料特性

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估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法

15

作者 王培林 叶水驰 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期42-47,共6页

本文研究了在本征吸收技术中,硅片中氧外扩散后其浓度纵向分布的特点,提出了一种根据氧的外扩散时间来估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法。根据该方法能够很方便地估算出任意外扩散时间下的洁净区宽度,且在洁净区宽度小于20微米... 本文研究了在本征吸收技术中,硅片中氧外扩散后其浓度纵向分布的特点,提出了一种根据氧的外扩散时间来估算本征吸收技术中洁净区宽度的简捷方法。根据该方法能够很方便地估算出任意外扩散时间下的洁净区宽度,且在洁净区宽度小于20微米范围内,其结果与理论计算值之绝对误差小于1微米。 展开更多

关键词 本征吸收技术 洁净区宽度 硅

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一种高线性度CMOS混频器的设计 被引量：1

16

作者 吴明明 叶水驰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期117-120,共4页

采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1．8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10．3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3．5 dBm,增益为9．2 dB,单边带噪声系数为17... 采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1．8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10．3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3．5 dBm,增益为9．2 dB,单边带噪声系数为17 dB。 展开更多

关键词 双平衡混频器 互补金属氧化物半导体工艺 射频集成电路

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具有非平衡变换功能的CMOS LNA设计

17

作者 胡柳林 叶水驰 《微处理机》 2008年第3期47-50,共4页

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个工作在2.4GHz上,具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成,第一级主要实现高增益低噪声,第二级主要实现非平衡变换的功能。仿真结果显示噪声系数小于1dB,增益大于28.5dB,输入三截交调点为... 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个工作在2.4GHz上,具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成,第一级主要实现高增益低噪声,第二级主要实现非平衡变换的功能。仿真结果显示噪声系数小于1dB,增益大于28.5dB,输入三截交调点为-10.27dBm,输出差分信号相位误差小于0.2°,增益差小于0.1。 展开更多

关键词 CMOS射频集成电路 低噪声放大器 非平衡变换器

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非晶态Se薄膜的自发晶化研究 被引量：4

18

作者 鲍海飞 叶水驰 +1 位作者 王利平 王骐 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期499-503,共5页

利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜 ,测试了稳定的非晶Se薄膜、不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱。对透射率光谱曲线进行了拟合 ,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变化关系。在自发晶化过程中 ... 利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜 ,测试了稳定的非晶Se薄膜、不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱。对透射率光谱曲线进行了拟合 ,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变化关系。在自发晶化过程中 ,Se薄膜折射率逐渐增大 ;随波长增大 ,折射率则减小。初始自发晶化的Se薄膜其透射率低于非晶Se薄膜 ,光学吸收边向长波长方向移动。拉曼光谱测试表明 ,非晶Se薄膜在自发晶化过程中 ,出现标志Se8环和链的结构 ,不完整的环和链结构在自发晶化过程中得到了增强。 展开更多

关键词 非晶Se薄膜 自发晶化 拉曼光谱 非晶硒薄膜 透射率光谱 真空热蒸镀

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