期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器
被引量：
3
1
作者
石柱
何伟
+1 位作者
覃文治
向秋澄
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010年第5期824-829,共6页
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器...
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器上,同时封装在一个带光窗的金属壳体中。中心雪崩探测器和四象限探测器的电压响应度、响应时间、等效噪声功率分别为:2.5×105 V/W(1 550 nm)和0.95×104 V/W(1 550 nm);7 ns和20 ns;0.15×10-12 W/Hz1/2和4×10-12 W/Hz1/2,象限间串扰小于3%,象限内不均匀性小于5%。这种探测器可同时用于人眼安全激光测距、激光定位和跟踪。
展开更多
关键词
四象限光电探测器
人眼安全激光测距
激光坐标定位
INGAAS
PIN和APD
原文传递
硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究
被引量：
2
2
作者
周小燕
何伟
+3 位作者
梁晨宇
向秋澄
李龙
邓敏
《科学技术与工程》
北大核心
2016年第16期199-201,211,共4页
为了通过加速寿命试验评估硅雪崩光电探测器的工作寿命,通过FMEA分析和摸底试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式、敏感应力和极限应力,设计并实施了加速工作寿命试验,得到了与理论分析和摸底试验相同的结果:温度应力是影响硅雪...
为了通过加速寿命试验评估硅雪崩光电探测器的工作寿命,通过FMEA分析和摸底试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式、敏感应力和极限应力,设计并实施了加速工作寿命试验,得到了与理论分析和摸底试验相同的结果:温度应力是影响硅雪崩光电探测器工作寿命的主要应力,最高工作温度应力极限是130℃,对温度应力敏感的参数是暗电流和前放静态输出电压,验证了加速工作寿命试验方案的合理性和可行性。
展开更多
关键词
工作寿命
温度应力
暗电流
加速寿命试验
下载PDF
职称材料
题名
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器
被引量：
3
1
作者
石柱
何伟
覃文治
向秋澄
机构
西南技术物理研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010年第5期824-829,共6页
文摘
介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器。这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上。探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器上,同时封装在一个带光窗的金属壳体中。中心雪崩探测器和四象限探测器的电压响应度、响应时间、等效噪声功率分别为:2.5×105 V/W(1 550 nm)和0.95×104 V/W(1 550 nm);7 ns和20 ns;0.15×10-12 W/Hz1/2和4×10-12 W/Hz1/2,象限间串扰小于3%,象限内不均匀性小于5%。这种探测器可同时用于人眼安全激光测距、激光定位和跟踪。
关键词
四象限光电探测器
人眼安全激光测距
激光坐标定位
INGAAS
PIN和APD
Keywords
Four-quadrant photo-detector
Eye-safe laser range finding
Laser coordinate determination
InGaAs PIN and APD
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究
被引量：
2
2
作者
周小燕
何伟
梁晨宇
向秋澄
李龙
邓敏
机构
西南技术物理研究所
驻
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2016年第16期199-201,211,共4页
基金
国防科技工业技术基础科研项目资助
文摘
为了通过加速寿命试验评估硅雪崩光电探测器的工作寿命,通过FMEA分析和摸底试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式、敏感应力和极限应力,设计并实施了加速工作寿命试验,得到了与理论分析和摸底试验相同的结果:温度应力是影响硅雪崩光电探测器工作寿命的主要应力,最高工作温度应力极限是130℃,对温度应力敏感的参数是暗电流和前放静态输出电压,验证了加速工作寿命试验方案的合理性和可行性。
关键词
工作寿命
温度应力
暗电流
加速寿命试验
Keywords
the working life
temperature stress
dark current
ALT
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器
石柱
何伟
覃文治
向秋澄
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010
3
原文传递
2
硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究
周小燕
何伟
梁晨宇
向秋澄
李龙
邓敏
《科学技术与工程》
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
