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GaN异质外延中的侧向生长技术
1
作者
温连健
尚宗峰
吴慈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期536-541,553,共7页
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外...
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因。侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结。ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污。
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关键词
氮化物
异质外延
掩膜
位错
侧向生长(ELOG)技术
原文传递
题名
GaN异质外延中的侧向生长技术
1
作者
温连健
尚宗峰
吴慈刚
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国石油化工集团公司中原油田
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期536-541,553,共7页
文摘
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因。侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结。ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污。
关键词
氮化物
异质外延
掩膜
位错
侧向生长(ELOG)技术
Keywords
nitride
heteroepitaxy
mask
threading dislocation
epitaxial lateral overgrowth（ELOG） technology
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN异质外延中的侧向生长技术
温连健
尚宗峰
吴慈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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