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基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路
1
作者 李飞 吴洪江 +1 位作者 龚剑 曹慧斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期499-504,共6页
为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提... 为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。 展开更多
关键词 采样保持电路 SiGe BiCMOS工艺 射极跟随型采样开关 前馈电容 馈通补偿电路
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一种集成环行器的X波段三维异构集成T/R模组 被引量：1
2
作者 彭桢哲 李晓林 +2 位作者 董春晖 赵宇 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期37-42,共6页
微电子机械系统(MEMS)环行器被广泛应用于射频(RF)T/R微系统中,解决共用天线且收发隔离的问题。基于硅基三维(3D)异构集成工艺,设计了一种集成MEMS环行器的X波段T/R模组。该模组以高阻硅为介质基板,在硅基板上、下表面电镀金属图形,并... 微电子机械系统(MEMS)环行器被广泛应用于射频(RF)T/R微系统中,解决共用天线且收发隔离的问题。基于硅基三维(3D)异构集成工艺,设计了一种集成MEMS环行器的X波段T/R模组。该模组以高阻硅为介质基板,在硅基板上、下表面电镀金属图形,并堆叠多层硅基晶圆,在硅基模组上封装了集成无源器件(IPD)环行器,完成了多种微波芯片和MEMS环行器的系统级封装(SiP),将环行器紧凑集成在硅基T/R模组中。模组尺寸为12.0 mm×11.3 mm×2.0 mm。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,模组接收通道增益为27 dB,接收通道噪声系数小于3.2 dB;发射通道增益为33 dB,饱和输出功率大于2 W。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS)环行器 射频(RF)微系统 硅基三维(3D)异构集成 硅基T/R模组 系统级封装(SiP)
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一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善 被引量：26
3
作者 吴洪江 王威 龙春平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期433-439,共7页
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block... 在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block Mura进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,特别是对其产生的原因创新性地提出了两种方向上的理论观点。通过加强设备科学管理监控,减小耦合电容效应等一系列改善措施,产品质量得到了很大程度的提升,Vertical Block Mura从改善前的26.1%降到了1.3%,从而使Vertical Block Mura得以改善,很大程度地提高了产品的品质,并为今后相关问题的进一步研究和解决奠定了一定的理论基础。 展开更多
关键词 TFT-LCD Mura 抖动 耦合电容 画面品质
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小开距下直流真空断路器介质恢复试验及分析 被引量：5
4
作者 吴洪江 庄劲武 江壮贤 《低压电器》 2012年第20期1-5,19,共6页
介绍了一种能在小开距下分断高上升率短路电流的方法,并就其真空介质恢复特性展开试验研究。设计了等效真空介质恢复试验方案,从燃弧能量与零电压恢复时间两方面对真空介质恢复过程进行分析,得到直流真空断路器短路分断控制方法的设计... 介绍了一种能在小开距下分断高上升率短路电流的方法,并就其真空介质恢复特性展开试验研究。设计了等效真空介质恢复试验方案,从燃弧能量与零电压恢复时间两方面对真空介质恢复过程进行分析,得到直流真空断路器短路分断控制方法的设计依据。研制了额定1 000V/800A直流真空断路器试验样机,可在小于1ms内成功分断上升率约为20A/μs的短路电流,并将电流峰值限制在8kA以内。试验结果证明了所提出的小开距下分断高上升率短路电流的方法有效、可行。 展开更多
关键词 直流真空断路器 小开距 高上升率 介质恢复 零电压恢复
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急性主动脉夹层动脉瘤行全弓置换术后并发症的处理 被引量：1
5
作者 吴洪江 李俊 +3 位作者 王辉山 陈燕 方敏华 张宏家 《中国医药导报》 CAS 2012年第33期59-60,64,共3页
目的探讨急性主动脉夹层动脉瘤行全弓置换术后并发症的处理。方法选择沈阳军区总医院2009年2月~2011年2月收治的100例急性主动脉夹层动脉瘤患者,随机分为对照组和观察组,各50例,对照组对患者仅采取常规治疗;观察组对患者采取全弓置换术... 目的探讨急性主动脉夹层动脉瘤行全弓置换术后并发症的处理。方法选择沈阳军区总医院2009年2月~2011年2月收治的100例急性主动脉夹层动脉瘤患者,随机分为对照组和观察组,各50例,对照组对患者仅采取常规治疗;观察组对患者采取全弓置换术进行治疗,并对并发症进行有效防治;治疗工作的重点是及时缓解患者的心理压力,预防及减少并发症。结果治疗后,观察组患者的汉密尔顿抑郁量表（HAMD）和汉密顿焦虑量表（HAMA）值明显低于对照组,差异有统计意义（P〈0.05）;观察组患者术后出血的发生率为2%,急性肾功能损伤的发生率为4%,高血压的发生率为10%,神经系统功能障碍的发生率为6%,死亡率为8%,均明显低于对照组,差异均有统计学意义（均P〈0.05）。结论对急性主动脉夹层动脉瘤行全弓置换术后并发症进行有效治疗,可以明显提高治疗质量,值得推广应用。 展开更多
关键词 急性主动脉夹层动脉瘤 全弓置换 并发症
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SOC的现状与发展 被引量：16
6
作者 吴洪江 郑滨 《半导体情报》 2001年第4期10-14,共5页
介绍了 SOC,MEMS,MCM的进展 ,对 SOC在设计、 IP芯核开发方面作了简要说明 ,提出了我国在 SOC领域应开展的工作。
关键词 系统级芯片 微电子机械系统 多芯片模块 集成电路
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砷化镓集成电路CAD系统
7
作者 吴洪江 薛勇健 +5 位作者 赵正平 刘玲 高学邦 肖军锋 刘贵增.高建军 杜红彦 《半导体情报》 1996年第2期4-10,共7页
介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统已完成１５０余种砷化镓集成电路的优化设计，取得良好效果。
关键词 砷化镓 集成电路 毫米波 微波 计算机辅助设计
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GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术
8
作者 吴洪江 高学邦 +10 位作者 任怀龙 赵正平 杜红彦 廖斌 王小旭 高建军 王毅 孙先花 梁亚平 刘贵增 郭炳辉 《半导体情报》 2000年第1期2-6,共5页
介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成电路 CAD、 Ga As VHSIC CAD、微波高速 MCM CAD等 ,并简要介绍了针对 Ga As工艺线的建库工作。以上软件... 介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成电路 CAD、 Ga As VHSIC CAD、微波高速 MCM CAD等 ,并简要介绍了针对 Ga As工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。 展开更多
关键词 砷化镓 CAD 集成电路 通信电路
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微波单片集成电路的成品率优化
9
作者 吴洪江 薛勇健 《半导体情报》 1996年第2期30-33,共4页
采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，... 采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。 展开更多
关键词 微波 单片集成电路 灵敏度 成品率 优化
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新型真空直流限流断路器设计及其介质恢复特性 被引量：33
10
作者 徐国顺 江壮贤 +4 位作者 庄劲武 王晨 武瑾 刘路辉 吴洪江 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期171-177,共7页
针对传统强迫换流型断路器在关断高上升率短路电流时遇到的问题,本文提出了在高速真空开关两端反向并联续流二极管,并在小间隙下开断短路电流的改进方案。通过反向续流二极管的续流作用,使真空开关在电弧电流强迫过零后得到零电压介质... 针对传统强迫换流型断路器在关断高上升率短路电流时遇到的问题,本文提出了在高速真空开关两端反向并联续流二极管,并在小间隙下开断短路电流的改进方案。通过反向续流二极管的续流作用,使真空开关在电弧电流强迫过零后得到零电压介质恢复时间,提高了真空灭弧室的介质恢复能力,使其能够在小开距时关断高上升率短路电流。开展了新型强迫换流型限流断路器工作原理的仿真分析和高速电磁斥力机构、脉冲关断电路的设计。针对新型真空直流限流断路器关断短路电流的特殊过程,设计了与其等效的介质恢复试验,对方案可行性进行验证。设计了1kV/400A限流断路器样机并进行短路关断试验,该断路器可将初始上升率为5A/s的故障电流限流至2.5kA以下。试验结果证明所提出方案有效、可行。 展开更多
关键词 直流真空断路器 电流强迫过零 真空介质恢复 关断试验
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2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片 被引量：11
11
作者 刘志军 陈凤霞 +2 位作者 高学邦 崔玉兴 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期254-258,共5页
在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端... 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。 展开更多
关键词 增强 耗尽型 均方根衰减误差 TTL 数控衰减器 赝配高电子迁移率晶体管
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MMIC和RFIC的CAD 被引量：6
12
作者 王绍东 高学邦 +1 位作者 刘文杰 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期8-12,共5页
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在。本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述... 微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在。本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用。 展开更多
关键词 射频集成电路 RFIC 微波单片集成电路 MMIC 元器件 功能 集成度 仿真器 CAD 计算机辅助设计
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GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制 被引量：7
13
作者 赵宇 吴洪江 +1 位作者 高学邦 王绍东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1220-1223,共4页
采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5~3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC^0.8 GHz。该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗... 采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5~3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC^0.8 GHz。该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗与隔离度的同时,显著减小了芯片面积,整体芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 混频器 双平衡 巴伦 变频损耗 肖特基二极管
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基于GaAsPHEMT的6～10GHz多功能芯片 被引量：7
14
作者 徐伟 吴洪江 +1 位作者 魏洪涛 周鑫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期103-107,共5页
介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。... 介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计，并对版图进行电磁场仿真。测试结果表明，在6～10GHz频带内：小信号增益大于18．5dB，增益平坦度小于±0．2dB，输入／输出电压驻波比小于1．4：1，噪声系数小于2．2dB，1dB压缩点输出功率大于14dBm。芯片尺寸为2．4mm×2．6mm。 展开更多
关键词 多功能芯片(MFC) 砷化镓 赝高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 大信号模型
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毫米波单刀双掷开关的设计与制作 被引量：5
15
作者 李富强 方园 +2 位作者 高学邦 吴洪江 刘文杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期17-20,共4页
以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模... 以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取，建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑，开关的测试采用了微波探针在片测试系统，在18-30 GHz获得了优异的电性能，插入损耗IL≤1.5 dB，输入/输出驻波比VSWR≤1.5∶1，关断状态下的隔离度ISO≥30 dB，芯片尺寸为1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。 展开更多
关键词 毫米波 单刀双掷开关 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管
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Ku波段单片功率放大器设计与制作 被引量：4
16
作者 刘如青 吴洪江 +2 位作者 高学邦 付兴昌 倪涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期470-473,共4页
介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAsMM IC测试技术等进行了相应描述。在芯片... 介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAsMM IC测试技术等进行了相应描述。在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计。在4英寸(100 mm)0.25μmGaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5～15.0 GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率Po大于34.7 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4 dB。该芯片可以应用到许多微波系统中。 展开更多
关键词 KU波段 功率放大器 脉冲 芯片 砷化镓
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晶体管发射区归一化面积的温度谱 被引量：3
17
作者 苗庆海 杜文华 +2 位作者 张兴华 吴洪江 张德骏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期53-56,共4页
从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了... 从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。 展开更多
关键词 芯片表面 红外热像图 发射区热像图 晶体管结温不均匀性 发射区热谱 红外热像 峰值结温
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DC～20GHz宽带单片数控衰减器 被引量：4
18
作者 刘志军 方园 +1 位作者 高学邦 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期287-290,共4页
介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3... 介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5∶1。通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行。最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标。电路尺寸为2.7mm×1.4mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V,无直流功耗。 展开更多
关键词 宽带 衰减附加相移 微波单片集成电路 数控衰减器 电磁仿真
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L波段GaN HEMT器件的研制 被引量：3
19
作者 闫锐 银军 +6 位作者 崔玉兴 张力江 付兴昌 高学邦 吴洪江 蔡树军 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期357-360,369,共5页
基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场... 基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技术提高了器件击穿电压，采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔，提高了器件的散热能力及增益。结果表明，采用该技术研制的两胞内匹配GaNHEMT器件在工作频率1．5～1．6GHz下，实现了输出功率大于66W、功率增益大于15．2dB、功率附加效率大于62．2％。 展开更多
关键词 GAN 内匹配 L波段 功率 高效率
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Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC 被引量：3
20
作者 杜鹏搏 张务永 +5 位作者 孙希国 崔玉兴 高学邦 付兴昌 吴洪江 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期97-100,共4页
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilki... 采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。 展开更多
关键词 砷化镓 KA波段 单片微波集成电路 功率放大器 高效率
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