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非掺SI-GaAs单晶热处理的研究
1
作者 徐玉忠 唐发俊 杨连生 《半导体情报》 1997年第5期36-38,50,共4页
采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的特性有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀性≤１５％... 采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的特性有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀性≤１５％；ＥＬ２ＲＳＤ≤５％；ＰＬ－Ｍａｐ－ｐｉｎｇ≤９％。 展开更多
关键词 非掺SI-GaAs 热处理工艺 砷化镓 单晶
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质量成本控制——减少硅外延电阻率测试频次的实验研究
2
作者 李杨 薛兵 唐发俊 《天津科技》 2020年第9期61-63,共3页
质量成本包括预防成本、鉴定成本、内部损失成本和外部损失成本等内容,通过数据分析讨论减少硅外延电阻率测试频次的可行性。经分析发现,在LPE3061D外延炉批量生产硅外延片的过程中,掺杂效率稳定,产品在正常生产过程中,整批次的掺杂剂... 质量成本包括预防成本、鉴定成本、内部损失成本和外部损失成本等内容,通过数据分析讨论减少硅外延电阻率测试频次的可行性。经分析发现,在LPE3061D外延炉批量生产硅外延片的过程中,掺杂效率稳定,产品在正常生产过程中,整批次的掺杂剂用量调节幅度相对较小,由其引起的电阻率变化不会大幅度超出控制线。以此为依据将测试频次由每24片测试1片更改为每48片测试1片,按产量统计每年可节省约4 000片硅抛光片,降低鉴定成本约40万元,并且提高了硅外延片出片率。 展开更多
关键词 质量成本 电阻率测试 测试频次 出片率
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高温与电子束辐照共同作用下SiO_(x)材料的结构演化研究 被引量：2
3
作者 梁芮 陈国新 +5 位作者 黄钦 王楠 唐发俊 张志佳 卢焕明 康建立 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期367-372,共6页
本文利用透射电子显微镜原位加热技术研究了高温下SiO_(x)材料的结构演化行为,并通过EELS谱分析了SiO_(x)材料结构的化学组成变化。研究结果表明:在高温作用下,电子束辐照对SiO_(x)材料的相分离过程起到了促进作用;高密度电子束辐照是Si... 本文利用透射电子显微镜原位加热技术研究了高温下SiO_(x)材料的结构演化行为,并通过EELS谱分析了SiO_(x)材料结构的化学组成变化。研究结果表明:在高温作用下,电子束辐照对SiO_(x)材料的相分离过程起到了促进作用;高密度电子束辐照是SiO_(x)材料中产生孔状结构的主要原因;SiO_(x)材料在高温和电子束辐照作用下,会快速形成纳米硅镶嵌在多孔二氧化硅薄膜中的特殊结构。 展开更多
关键词 SiO_(x)材料 电子束辐照 原位TEM加热
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应用于半导体工业的硅外延炉发展历程 被引量：2
4
作者 唐发俊 赵扬 +1 位作者 黄钦 王楠 《天津科技》 2020年第1期29-31,共3页
随着半导体产业的快速发展,传统的硅抛光片已不能完全满足半导体器件的需求。硅外延片具有质量高、电学性能优越的特点,在分立器件和IC领域已被广泛应用。硅外延片质量的不断提高有赖于外延生长工艺的改进,生长工艺的进步有得益于硅外... 随着半导体产业的快速发展,传统的硅抛光片已不能完全满足半导体器件的需求。硅外延片具有质量高、电学性能优越的特点,在分立器件和IC领域已被广泛应用。硅外延片质量的不断提高有赖于外延生长工艺的改进,生长工艺的进步有得益于硅外延炉设计的改进。通过对各个时期出现的硅外延炉的主要技术特点进行讨论,回顾硅外延炉50年来的发展历程,为今后外延炉设计的发展提供参考借鉴。 展开更多
关键词 硅外延炉 电磁感应加热 辐照加热 单片式硅外延炉
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硅外延材料制造过程中先进配套条件的研究
5
作者 唐发俊 赵扬 +2 位作者 李明达 马丽颖 王楠 《天津科技》 2020年第4期18-19,22,共3页
应用于半导体产业的硅外延材料,其制造工艺的发展迄今已将近50年。一方面,为了满足硅外延片从小尺寸向大尺寸发展以及材料均匀性要求的不断提高,其制造设备从多片式外延炉向单片式外延炉发展;另一方面,随着半导体元器件制造对硅外延片... 应用于半导体产业的硅外延材料,其制造工艺的发展迄今已将近50年。一方面,为了满足硅外延片从小尺寸向大尺寸发展以及材料均匀性要求的不断提高,其制造设备从多片式外延炉向单片式外延炉发展;另一方面,随着半导体元器件制造对硅外延片的质量如材料洁净度、生产稳定性等方面提出了更高的要求,硅外延材料制造过程中的配套条件也经历了一系列的发展,例如,气体纯化器、起泡器、气体流量补偿器等配套装置的应用,极大改善了硅外延片的质量。通过对气体纯化器、起泡器、气体流量补偿器原理进行介绍,阐述其与硅外延片质量改善的关系。 展开更多
关键词 硅外延炉 气体纯化器 起泡器 气体流量补偿器
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Applied Materials Centura系列单片式硅外延炉的先进性研究
6
作者 唐发俊 赵扬 +2 位作者 李明达 马丽颖 王楠 《天津科技》 2020年第5期40-42,共3页
随着半导体元器件制造要求的不断提高,对硅外延片的质量要求也不断提高。一方面,为了改善硅外延片的厚度和电阻率均匀性,硅外延炉从多片式逐步转向单片式发展;另一方面,硅外延片的尺寸从小尺寸(4英寸)向大尺寸(8英寸、12英寸)发展。鉴... 随着半导体元器件制造要求的不断提高,对硅外延片的质量要求也不断提高。一方面,为了改善硅外延片的厚度和电阻率均匀性,硅外延炉从多片式逐步转向单片式发展;另一方面,硅外延片的尺寸从小尺寸(4英寸)向大尺寸(8英寸、12英寸)发展。鉴于面向大尺寸的单片式硅外延炉将是未来主导硅外延材料生长的主流设备,对Applied Materials Centura系列单片式硅外延炉的先进性进行分析,分别介绍其设备结构、工艺性能、产量效率等特点,进而提出一些可能需要改进的方向。 展开更多
关键词 硅外延炉 辐照加热 单片式硅外延炉
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