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聚四氟乙烯基固体润滑剂摩擦表面的X-光光电子能谱研究
被引量:
1
1
作者
胡萍
黄畴
+2 位作者
姜明
堵美军
王莹
《润滑与密封》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期35-37,共3页
利用扫描电镜 (SEM)对聚四氟乙烯基固体润滑剂摩擦表面及在 4 5 # 钢表面所形成的润滑转移膜形貌进行表征 ;采用X -光光电子能谱 (XPS)仪测定了聚四氟乙烯基固体润滑剂烧结前后、在 4 5 # 钢表面摩擦试验前后 ,试样表面的元素组成及价...
利用扫描电镜 (SEM)对聚四氟乙烯基固体润滑剂摩擦表面及在 4 5 # 钢表面所形成的润滑转移膜形貌进行表征 ;采用X -光光电子能谱 (XPS)仪测定了聚四氟乙烯基固体润滑剂烧结前后、在 4 5 # 钢表面摩擦试验前后 ,试样表面的元素组成及价态的变化。结果表明 :摩擦过程中固体润滑剂在 4 5 # 钢表面形成了润滑转移膜 ,在烧结及摩擦过程中发生了化学反应 ,并产生磨粒磨损、腐蚀金属等现象。
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关键词
烯基
聚四氟乙烯
45^#钢
固体润滑剂
光电子能谱
表征
形貌
摩擦表面
转移膜
磨粒磨损
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职称材料
高芯片键合质量与高生产率的新型银浆体系的研究
2
作者
堵美军
梁国正
《中国集成电路》
2021年第1期63-69,共7页
高键合强度与高生产率的银浆体系是芯片实现小型化、轻薄化的基础,本文研发了一种高芯片键合强度的新型银浆体系(银浆B),通过五元素三水平(53)正交实验,探讨了银浆量、点胶高度、芯片键合力、银浆固化时间、固化温度等五因素对芯片键合...
高键合强度与高生产率的银浆体系是芯片实现小型化、轻薄化的基础,本文研发了一种高芯片键合强度的新型银浆体系(银浆B),通过五元素三水平(53)正交实验,探讨了银浆量、点胶高度、芯片键合力、银浆固化时间、固化温度等五因素对芯片键合强度及结构的影响;以及基于实验设计(DOE)和响应曲面分析(RSM)等统计方法,分析了芯片键合的过程,优化了芯片键合过程的固化时间、固化温度和银浆量等参数。采用银浆B体系以及优化的制程参数,使得芯片键合强度制程能力指数(Cpk)从0.56提高到2.8。
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关键词
芯片键合
粘合促进剂
固化度
芯片键合强度制程能力指数
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职称材料
芯片键合制程中点胶浸润性问题的分析和改善
3
作者
堵美军
《中国集成电路》
2017年第1期66-70,88,共6页
芯片键合在半导体封装流程中是关键的一步。本文深入探讨了芯片键合时胶点缺失的特殊形成机理,并研究了键合胶的黏度的和胶点缺失不良率之间的关系,比较了不同材质点胶头对键合胶浸润性的影响,通过键合胶流变性的优化,点胶头材质的变更...
芯片键合在半导体封装流程中是关键的一步。本文深入探讨了芯片键合时胶点缺失的特殊形成机理,并研究了键合胶的黏度的和胶点缺失不良率之间的关系,比较了不同材质点胶头对键合胶浸润性的影响,通过键合胶流变性的优化,点胶头材质的变更和表面状况的提高,改善了键合胶的浸润速率,提高了点胶头的表面能,彻底解决了胶点缺失的问题。
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关键词
芯片键合
表面能
黏度
浸润性
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职称材料
题名
聚四氟乙烯基固体润滑剂摩擦表面的X-光光电子能谱研究
被引量:
1
1
作者
胡萍
黄畴
姜明
堵美军
王莹
机构
武汉理工大学化学工程学院
出处
《润滑与密封》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期35-37,共3页
文摘
利用扫描电镜 (SEM)对聚四氟乙烯基固体润滑剂摩擦表面及在 4 5 # 钢表面所形成的润滑转移膜形貌进行表征 ;采用X -光光电子能谱 (XPS)仪测定了聚四氟乙烯基固体润滑剂烧结前后、在 4 5 # 钢表面摩擦试验前后 ,试样表面的元素组成及价态的变化。结果表明 :摩擦过程中固体润滑剂在 4 5 # 钢表面形成了润滑转移膜 ,在烧结及摩擦过程中发生了化学反应 ,并产生磨粒磨损、腐蚀金属等现象。
关键词
烯基
聚四氟乙烯
45^#钢
固体润滑剂
光电子能谱
表征
形貌
摩擦表面
转移膜
磨粒磨损
Keywords
Carbon steel
Friction
Photoelectricity
Scanning electron microscopy
Solid lubricants
Spectrum analysis
Surfaces
分类号
TH117 [机械工程—机械设计及理论]
TQ325.4 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
高芯片键合质量与高生产率的新型银浆体系的研究
2
作者
堵美军
梁国正
机构
苏州大学材料与化学化工学部
出处
《中国集成电路》
2021年第1期63-69,共7页
文摘
高键合强度与高生产率的银浆体系是芯片实现小型化、轻薄化的基础,本文研发了一种高芯片键合强度的新型银浆体系(银浆B),通过五元素三水平(53)正交实验,探讨了银浆量、点胶高度、芯片键合力、银浆固化时间、固化温度等五因素对芯片键合强度及结构的影响;以及基于实验设计(DOE)和响应曲面分析(RSM)等统计方法,分析了芯片键合的过程,优化了芯片键合过程的固化时间、固化温度和银浆量等参数。采用银浆B体系以及优化的制程参数,使得芯片键合强度制程能力指数(Cpk)从0.56提高到2.8。
关键词
芯片键合
粘合促进剂
固化度
芯片键合强度制程能力指数
Keywords
Die Bonding
Adhesion Promoter
Degree of Curing
Die Bonding Strength Cpk
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
芯片键合制程中点胶浸润性问题的分析和改善
3
作者
堵美军
机构
英飞凌(无锡)科技有限公司
出处
《中国集成电路》
2017年第1期66-70,88,共6页
文摘
芯片键合在半导体封装流程中是关键的一步。本文深入探讨了芯片键合时胶点缺失的特殊形成机理,并研究了键合胶的黏度的和胶点缺失不良率之间的关系,比较了不同材质点胶头对键合胶浸润性的影响,通过键合胶流变性的优化,点胶头材质的变更和表面状况的提高,改善了键合胶的浸润速率,提高了点胶头的表面能,彻底解决了胶点缺失的问题。
关键词
芯片键合
表面能
黏度
浸润性
Keywords
Die bonding
Surface energy
Viscosity
Wettability
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚四氟乙烯基固体润滑剂摩擦表面的X-光光电子能谱研究
胡萍
黄畴
姜明
堵美军
王莹
《润滑与密封》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
2
高芯片键合质量与高生产率的新型银浆体系的研究
堵美军
梁国正
《中国集成电路》
2021
0
下载PDF
职称材料
3
芯片键合制程中点胶浸润性问题的分析和改善
堵美军
《中国集成电路》
2017
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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