一种功率可调的X波段雷达收发组件的设计与实现 被引量：1

1

作者 姚常飞 张炎 凌清岚 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2023年第10期896-902,共7页

采用混合微波集成电路(Hybrid Microwave Integrated Circuit,HMIC)形式设计了一款X波段雷达收发组件。该收发组件分为频综器、功放及内定标源和接收链路三个模块,各模块间通过外接同轴电缆实现信号的互联。充分利用数控衰减器的功能,... 采用混合微波集成电路(Hybrid Microwave Integrated Circuit,HMIC)形式设计了一款X波段雷达收发组件。该收发组件分为频综器、功放及内定标源和接收链路三个模块,各模块间通过外接同轴电缆实现信号的互联。充分利用数控衰减器的功能,通过调节放大链路的衰减量,从而达到调节发射输出功率的目的。实物测试表明:在10.5 GHz~12 GHz频率范围内,该收发组件发射输出信号功率10 W、5 W、2 W、1 W四档可调,杂散抑制≥65 dBc,接收通道增益为27.5 dB,噪声系数≤4.8 dB。该组件具有输出信号功率可调、噪声系数小、杂散抑制大等特点,满足项目指标要求。 展开更多

关键词 X波段 收发组件 功率可调 噪声系数

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W波段十二通道直接检波式辐射计前端设计 被引量：1

2

作者 顾希雅 姚常飞 崔灿 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2023年第7期83-88,共6页

文中研制了一种W波段十二通道直接检波式辐射计前端,该辐射计前端将矩形喇叭天线、低噪声放大器、检波器以及积分放大电路集成在一个模块,整个模块体积为66 mm×67 mm×49 mm,具有高集成度和小型化的特点。该辐射计前端在积分... 文中研制了一种W波段十二通道直接检波式辐射计前端,该辐射计前端将矩形喇叭天线、低噪声放大器、检波器以及积分放大电路集成在一个模块,整个模块体积为66 mm×67 mm×49 mm,具有高集成度和小型化的特点。该辐射计前端在积分放大部分通过调整各支路的放大倍数,使得每个通道最终输出电压相对稳定和一致,输出电压范围为4.11 V~4.36 V。同时,各通道检波器灵敏度在75 GHz~100 GHz范围内最高达1200 mV/mW,辐射计温度灵敏度达0.39 K。该多通道辐射计具有宽带高灵敏度、高集成度、低功耗等特点。 展开更多

关键词 W波段 辐射计 检波器 高灵敏度 多通道 宽带

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330 GHz集成化T/R组件的设计与实现

3

作者 凌清岚 姚常飞 张炎 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期79-84,共6页

针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号... 针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号的低噪声接收。该组件采用收发一体化、单级四次倍频的设计思想,通过简化电路拓扑结构实现高集成度、高输出功率的指标要求。所设计的收发组件整体尺寸为65 mm×38 mm×19 mm。实测后得出该收发组件在329 GHz~341 GHz频率范围内,倍频发射功率为2 mW~5 mW,接收机变频损耗为11 dB~13 dB,模块功耗为10.38 W。该组件具备良好的射频性能,并成功应用于某机载雷达系统中。 展开更多

关键词 太赫兹 收发组件 集成化 四倍频器 混频器

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基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究 被引量：16

4

作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 吴刚 许从海 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1809-1814,共6页

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波... 基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波段全频段低插损限幅器．在26～40GHz，测得限幅器小信号插损小于4．3dB，最小插损2．2dB，驻波比小于1．95：1；当输入的连续波功率为0．5W时，限幅输出功率小于10．5dBm；整个限幅器尺寸为20×12×6mm3，限幅器性能达到国外同类产品水平． 展开更多

关键词 毫米波 等效电路模型 巴特沃斯低通滤波器 限幅器

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基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制 被引量：12

5

作者 姚常飞 周明 +3 位作者 罗运生 许从海 寇亚男 陈以钢 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期438-443,共6页

本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率... 本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11～0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474～0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15～0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135～0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165～0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21～0.24THz变频损耗典型值为11.5dB. 展开更多

关键词 太赫兹 倍频器 检波器 谐波混频器

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基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文) 被引量：10

6

作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 王毅刚 许从海 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期102-107,共6页

利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4～152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150～200 GHz效率典型值为8.0%. 展开更多

关键词 二倍频器 肖特基平面二极管 谐波平衡分析 效率

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基于倒扣技术的190～225GHz肖特基二极管高效率二倍频器（英文） 被引量：5

7

作者 姚常飞 周明 +1 位作者 罗运生 寇亚男 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期6-9,28,共5页

基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻... 基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6%,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190~225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平. 展开更多

关键词 GaAs肖特基二极管 二倍频器 太赫兹 效率

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基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源 被引量：4

8

作者 姚常飞 周明 +6 位作者 罗运生 林罡 李姣 许从海 寇亚男 吴刚 王继财 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期256-262,共7页

基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结... 基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%. 展开更多

关键词 太赫兹 GaAs肖特基二极管 倍频器

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基于功率合成技术的75～115GHz六倍频源 被引量：3

9

作者 姚常飞 陈振华 +3 位作者 周明 罗运生 许从海 郁建 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1864-1869,共6页

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工... 本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线设计实现，三倍频信号经功率合成后输出．考虑到倍频二极管各种寄生参数的影响，本文采用去嵌入阻抗计算方法，提取二极管的输入阻抗及三次谐波输出阻抗，综合分析匹配电路，优化倍频器效率．在75～115GHz测得六倍频源输出功率大于8．0dBm、输出功率平坦；在112GHz测得最大输出功率为10．2dBm，合成倍频效率大于1．3％，其性能达到了国外同类产品水平，可将微波信号源扩展至75～115GHz，解决了w波段TR组件本振源及发射源的产生问题． 展开更多

关键词 W波段 砷化镓肖特基二极管 功率合成 倍频 效率

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X波段低变频损耗混频器设计 被引量：3

10

作者 姚常飞 徐金平 +1 位作者 陈墨 丁德志 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期226-230,共5页

采用商用肖特基势垒二极管HSMS-2822,研制了低变频损耗、高隔离度X波段单平衡混频器。为实现所需要的混频带宽,本振信号和射频信号采用三分支定向耦合器耦合输入,仿真研究表明其能有效地改善工作频率带宽,提高本振端口与射频端口间的隔... 采用商用肖特基势垒二极管HSMS-2822,研制了低变频损耗、高隔离度X波段单平衡混频器。为实现所需要的混频带宽,本振信号和射频信号采用三分支定向耦合器耦合输入,仿真研究表明其能有效地改善工作频率带宽,提高本振端口与射频端口间的隔离度。通过设计合理的空闲频率回收电路,回收利用空闲频率能量,能有效地降低混频器变频损耗,提高本振信号、射频信号及空闲频率信号到中频端口的隔离度。在10.6GHz,测得最小变频损耗5.67dB;在10～11.5GHz,混频器变频损耗为6.4±0.7dB,变频损耗平坦度好,RF-IF隔离度优于27dB,LO-IF隔离度高于24dB,LO-RF隔离度优于14dB。 展开更多

关键词 单平衡混频器 变频损耗 隔离度 空闲频率电路 谐波平衡分析法

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基于GaAs肖特基二极管的330 GHz接收前端技术研究 被引量：2

11

作者 姚常飞 陈振华 葛俊祥 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期446-452,465,共8页

基于GaAs肖特基二极管,设计实现了310~330 GHz的接收机前端.接收机采用330 GHz分谐波混频器作为第一级电路,为降低混频器变频损耗,提高接收机灵敏度,分析讨论了反向并联混频二极管空气桥寄生电感和互感,采用去嵌入阻抗计算方法,提取了... 基于GaAs肖特基二极管,设计实现了310~330 GHz的接收机前端.接收机采用330 GHz分谐波混频器作为第一级电路,为降低混频器变频损耗,提高接收机灵敏度,分析讨论了反向并联混频二极管空气桥寄生电感和互感,采用去嵌入阻抗计算方法,提取了二极管的射频、本振和中频端口阻抗,实现了混频器的优化设计,提高了变频损耗仿真精度.接收机的165 GHz本振源由×6×2倍频链实现,其中六倍频采用商用有源器件,二倍频则采用GaAs肖特基二极管实现,其被反向串联安装于悬置线上,实现了偶次平衡式倍频,所设计的倍频链在165 GHz处输出约10 dBm的功率,用以驱动330 GHz接收前端混频器.接收机第二级电路采用中频低噪声放大器,以降低系统总的噪声系数.在310~330 GHz范围内,测得接收机噪声系数小于10.5 dB,在325 GHz处测得最小噪声系数为8.5 dB,系统增益为(31±1)dB. 展开更多

关键词 GaAs肖特基二极管 倍频器 分谐波混频器 接收机

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W波段混合集成高速脉冲检波器 被引量：2

12

作者 姚常飞 王玲 +1 位作者 唐小宏 毛睿杰 《微波学报》 CSCD 北大核心 2008年第3期53-56,共4页

基于混合集成技术,利用HSCH-9161梁式引线检波二极管,成功研制了一种W波段高速脉冲检波器。为了满足检波器实验测试的需要,设计了同波段的高速脉冲调制器,其采用典型的单刀单掷开关电路结构。实验测试得到:在92~98GHz工作频带内,调制脉... 基于混合集成技术,利用HSCH-9161梁式引线检波二极管,成功研制了一种W波段高速脉冲检波器。为了满足检波器实验测试的需要,设计了同波段的高速脉冲调制器,其采用典型的单刀单掷开关电路结构。实验测试得到:在92~98GHz工作频带内,调制脉冲信号上升时间为700ps时,连续波信号源经调制和检波后输出脉冲包络的上升时间为2ns^3ns。实验测试表明,该检波器工作频率高、响应速度快,可应用于W波段脉冲检测系统。 展开更多

关键词 W波段 高速脉冲调制器 高速脉冲检波器

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W波段宽带正交模转换器研制 被引量：1

13

作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 冯真俊 许从海 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第5期76-80,共5页

为满足W波段双通道接收系统的需要,实现将天线接收到的线极化或圆极化电磁波分离出正交的垂直极化和水平极化电磁波,研制出了工作频带宽、性能优、结构简单、适合大批量生产的波导正交模转换器(OMT)。在80～102GHz频带内,即相对于中心频... 为满足W波段双通道接收系统的需要,实现将天线接收到的线极化或圆极化电磁波分离出正交的垂直极化和水平极化电磁波,研制出了工作频带宽、性能优、结构简单、适合大批量生产的波导正交模转换器(OMT)。在80～102GHz频带内,即相对于中心频率91GHz的24%频带内,测得水平极化传输损耗典型值为0.8dB、垂直极化传输损耗典型值为0.4dB;各端口回波损耗优于15dB;隔离度典型值为21dB。 展开更多

关键词 W波段 正交模转换器 垂直极化 水平极化

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91～98GHz集成单刀单掷开关设计 被引量：1

14

作者 姚常飞 罗运生 +1 位作者 周明 赵博 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期513-517,544,共6页

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。 展开更多

关键词 W波段 单刀单掷开关 PIN二极管 插损 隔离度

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基于滤波器综合分析法的118 GHz单刀二掷开关（英文）

15

作者 姚常飞 陈振华 +2 位作者 葛俊祥 周明 魏翔 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期526-533,共8页

采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0... 采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0.1mm^3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究,研制出了低插损的118GHz开关模块,在110~120GHz,测得开关插损小于3.0dB,插损典型值2.6dB;开关隔离度大于22dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18ns、20ns、10ns、18ns,该准单片作为通道切换开关可集成应用于118GHz收发组件中. 展开更多

关键词 单刀二掷开关 PIN二极管 插损 隔离度

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664GHz接收前端技术研究

16

作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 魏翔 张君直 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S1期14-17,共4页

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结果表明,混频二极管在0.3m W本振驱动功率及0.35V直流偏置下,在650-680GHz带宽内,仿真得到的单边带变频损耗小于12d B,666GHz最小损耗为10.8d B。 展开更多

关键词 GaAs肖特基二极管 太赫兹 倍频 谐波混频

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基于肖特基二极管的450 GHz二次谐波混频器 被引量：7

17

作者 赵鑫 蒋长宏 +2 位作者 张德海 孟进 姚常飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期301-306,共6页

为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二... 为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二极管管芯的输入阻抗,然后考虑二极管的封装、匹配电路,仿真得到混频器的单边带变频损耗为8.0dB,所需本振功率为4mW.测试表明,本混频器的单边带变频损耗的最佳值为14.0dB,433~451GHz之间的损耗小于17.0dB,3dB带宽为18GHz,所需的本振功率为5mW. 展开更多

关键词 谐波混频器 变频损耗 肖特基二极管 石英基片 亚毫米波

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225 GHz三倍频器实用设计方法 被引量：6

18

作者 孟进 张德海 +2 位作者 蒋长宏 赵鑫 姚常飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期190-195,共6页

结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的... 结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的影响.设计完成以后,器件加工以及电装过程均在国内完成.测试结果表明在221 GHz处,有最大输出功率3.1 m W,在219~227 GHz频率范围内输出功率均大于2 m W.以上研究为今后设计高效率亚毫米波倍频器提供重要的参考价值. 展开更多

关键词 三倍频器 变容二极管 自偏置 阻抗匹配

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W波段宽带高效率电阻性三倍频器设计

19

作者 周明 姚常飞 +2 位作者 罗运生 李姣 吴刚 《火控雷达技术》 2013年第2期71-73,82,共4页

本文基于TSC-AP-03020混频二极管设计了W频带全波段三倍频器,考虑到二极管各种寄生参数的影响,采用去嵌入阻抗的方法,提取二极管物理结构的S参数文件,结合二极管SPICE模型,提取二极管的输入阻抗和三次谐波输出阻抗。基于计算的阻抗,综... 本文基于TSC-AP-03020混频二极管设计了W频带全波段三倍频器,考虑到二极管各种寄生参数的影响,采用去嵌入阻抗的方法,提取二极管物理结构的S参数文件,结合二极管SPICE模型,提取二极管的输入阻抗和三次谐波输出阻抗。基于计算的阻抗,综合分析输入输出阻抗匹配网络和波导-鳍线过渡,采用一体化设计方法,提取倍频器无源电路的整体S参数,通过谐波平衡分析方法,优化倍频器的倍频效率。设计的W波段倍频器在100GHz测得最高倍频效率4.2%。在75-110GHz倍频效率典型值为3.5%,倍频效率响应曲线平坦,性能优于国外同类产品水平,解决了W波段宽带信号源的问题。 展开更多

关键词 W波段 砷化镓肖特基二极管 倍频器 效率

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AlGaAs梁式引线PIN管及其应用 被引量：2

20

作者 李熙华 胡永军 +5 位作者 姚常飞 吴翔 王霄 顾晓春 周剑明 杨立杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期111-114 141,共5页

介绍了采用AlGaAs/GaAs异质结材料制作的梁式引线PIN管。该PIN管采用P+AlGaAs阳极异质结结构,GaAs圆片工艺,采用空气桥工艺连接正负电极引线。研制的PIN管VBR≥90V,CT≤0.022pF(VR=5V,f=1 MHz),RS≤4.9Ω(f=470 MHz,IF=20mA),τ≥5ns(IF... 介绍了采用AlGaAs/GaAs异质结材料制作的梁式引线PIN管。该PIN管采用P+AlGaAs阳极异质结结构,GaAs圆片工艺,采用空气桥工艺连接正负电极引线。研制的PIN管VBR≥90V,CT≤0.022pF(VR=5V,f=1 MHz),RS≤4.9Ω(f=470 MHz,IF=20mA),τ≥5ns(IF=10mA)。使用该器件制作了W波段的SPST开关,实现在f=91GHz下,隔离度>30dB,插入损耗≤1.4dB,开关时间≤20.0ns。 展开更多

关键词 ALGAAS PIN管 AlGaAs/GaAs异质结 梁式引线 单刀单掷开关

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