用 DNA 体外重组技术,将嗜热硫杆菌(Thiobacillus sp.)染色体 DNA 的 Hind Ⅲ片段插入启动子探测质粒 pSDSI(Ap^r、Tc^s)的 Hind Ⅲ位点,在四环素平板上获得一批转化子。四环素抗性能力测定表明,有12个转化子可以在含240μg/ml 四环素...用 DNA 体外重组技术,将嗜热硫杆菌(Thiobacillus sp.)染色体 DNA 的 Hind Ⅲ片段插入启动子探测质粒 pSDSI(Ap^r、Tc^s)的 Hind Ⅲ位点,在四环素平板上获得一批转化子。四环素抗性能力测定表明,有12个转化子可以在含240μg/ml 四环素的平板上生长,有2个可以在360μg/ml 的四环素平板上生长,对这二个抗性表达能力较高、分子量较小的质粒pSDH7和pSDH11作了限制性酶切图谱分析,并利用 PstI 位点,通过亚克隆将 pSDH11 插入片段上的启动子定位在0.25kb 片段内。分子杂交实验证明克隆的启动子活性片段确实来源于嗜热硫杆菌染色体 DNA。展开更多
文摘用 DNA 体外重组技术,将嗜热硫杆菌(Thiobacillus sp.)染色体 DNA 的 Hind Ⅲ片段插入启动子探测质粒 pSDSI(Ap^r、Tc^s)的 Hind Ⅲ位点,在四环素平板上获得一批转化子。四环素抗性能力测定表明,有12个转化子可以在含240μg/ml 四环素的平板上生长,有2个可以在360μg/ml 的四环素平板上生长,对这二个抗性表达能力较高、分子量较小的质粒pSDH7和pSDH11作了限制性酶切图谱分析,并利用 PstI 位点,通过亚克隆将 pSDH11 插入片段上的启动子定位在0.25kb 片段内。分子杂交实验证明克隆的启动子活性片段确实来源于嗜热硫杆菌染色体 DNA。
