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Pt/Ti电极的扩散行为及其对铁电薄膜的影响 被引量:7
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作者 屈新萍 丁爱丽 +2 位作者 罗维根 仇萍荪 陈先同 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期499-504,共6页
采用直流磁控溅射方法制备Pt/Ti电极,用RBS、XRD、SEM方法研究了Pt和Ti的扩散行为,发现在氧气氛中进行热处理造成Ti层的快速氧化,Ti厚度对Pt/Ti的扩散有很大影响.Pt/Ti的扩散造成其上的铁电薄膜较... 采用直流磁控溅射方法制备Pt/Ti电极,用RBS、XRD、SEM方法研究了Pt和Ti的扩散行为,发现在氧气氛中进行热处理造成Ti层的快速氧化,Ti厚度对Pt/Ti的扩散有很大影响.Pt/Ti的扩散造成其上的铁电薄膜较差的显微结构和性能. 展开更多
关键词 磁控溅射 电极 铁电薄膜 半导体薄膜
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Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜 被引量:5
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作者 屈新萍 李炳宗 +5 位作者 茹国平 顾志光 徐鸿涛 莫鸿翔 刘京 朱剑豪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期641-645,共5页
本文研究Si中间淀积层对CoSi2/Si(100)固相异质外延的影响.用离子束溅射方法在Si(100)衬底上制备了Co/Si/Ti/Si多层薄膜结构,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.实验表明,利用Co/Si/T... 本文研究Si中间淀积层对CoSi2/Si(100)固相异质外延的影响.用离子束溅射方法在Si(100)衬底上制备了Co/Si/Ti/Si多层薄膜结构,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.实验表明,利用Co/Si/Ti/Si固相反应得到的CoSi2薄膜具有良好的外延特性,薄膜也具有良好的电学特性和热稳定性.实验发现在较低温度退火时,生成Co2Ti4O之类化合物,作为扩散阻挡层有利于CoSi2薄膜的外延.在多层薄膜结构中加入Si非晶层,既能减少衬底Si消耗量。 展开更多
关键词 外延生长 多层薄膜 固相反应 二硅化钴
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超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性 被引量:6
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作者 屈新萍 茹国平 +1 位作者 徐蓓蕾 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期473-479,共7页
研究了超薄 (~ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K... 研究了超薄 (~ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K温度范围内测试了 Co Si2 /Si的肖特基势垒特性 .用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度 .测试表明 ,用 Co/Ti/Si方法形成的超薄Co Si2 /Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性 ,I- V方法测得的势垒高度为 0 .59e V,其理想因子为 1 .0 1 ;在低温时 ,I- V方法测得的势垒高度随温度降低而降低 ,理想因子则升高 .采用肖特基势垒不均匀性理论 ,并假设势垒高度呈高斯分布 。 展开更多
关键词 硅化硅 肖特基势垒 固相外延 超薄 接触
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Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2 被引量:1
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作者 屈新萍 徐蓓蕾 +4 位作者 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期63-67,共5页
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经... 采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经快速热退火 ,可以在 Si(10 0 )衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的 Co Si2 薄膜 .C层的加入阻碍了 Co和 Si的互扩散和互反应 ,从而促进了 Co Si2 在硅衬底上的外延 . 展开更多
关键词 固相反应 固相外延 金属硅化物 二硅化钴 中间层诱导
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不同氮氩比制备的W-Si-N薄膜的阻挡特性研究 被引量:1
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作者 屈新萍 陆华 +1 位作者 茹国平 李炳宗 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期554-558,共5页
研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄(10nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-... 研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄(10nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-N/SiO2/Si结构的热稳定性、电学稳定性的影响。实验发现,W-Si-N薄膜中氮含量对材料的阻挡特性起重要作用,高的氮氩比使薄膜中氮含量增高,薄膜对Cu的扩散阻挡特性增强。 展开更多
关键词 铜互连 扩散阻挡层 非晶扩散阻挡层 三元阻挡层
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Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
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作者 屈新萍 茹国平 +2 位作者 李炳宗 C.Detavernier R.Van Meirhaeghe 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1173-1177,共5页
研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经... 研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经典成核理论解释了该现象 . 展开更多
关键词 NISI 成核 固熔体 热稳定性 硅化镍 集成电路 镍钯硅三元化合物 Ni/Pd/Si固相反应
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用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究
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作者 屈新萍 茹国平 +3 位作者 刘建海 房华 徐鸿涛 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期197-203,共7页
为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅,提出添加非晶Si的新方法,并探索了Co/Si/Ti/Si及Co/Si(×7)/Ti/Si多层薄膜固相反应的两种途径.实验采用四探针、XRD、RBS等多种方法对固相反应过程进行... 为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅,提出添加非晶Si的新方法,并探索了Co/Si/Ti/Si及Co/Si(×7)/Ti/Si多层薄膜固相反应的两种途径.实验采用四探针、XRD、RBS等多种方法对固相反应过程进行了研究,对反应形成的CoSi2 薄膜进行了测试分析,并探索了在SiO2/Si及图形片上的选择腐蚀工艺.结果表明,当选择合适的Co∶Si原子比,恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液,两种方法都可以形成自对准硅化物结构.研究了这两种固相反应过程,发现在一定的Co∶Si原子比范围内,这两种方法制备的CoSi2 薄膜都有一定的外延特性,其中第一种途径得到的CoSi2 展开更多
关键词 固相反应 硅化物 多层薄膜
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新型纳米压印光刻技术的研究和应用 被引量:2
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作者 屈新萍 《世界科学》 2009年第6期39-41,共3页
纳米压印(nanoimprint)这个词汇从1995年发明到现在,目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米,已经越来越走进我们的生活,随着纳米技术的大量应用,纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电... 纳米压印(nanoimprint)这个词汇从1995年发明到现在,目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米,已经越来越走进我们的生活,随着纳米技术的大量应用,纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电视宣传所赐,越来越多人知道我们使用的电脑里Intel双核CPU采用的芯片是“45纳米技术”.这个技术就是目前大规模集成电路生产技术。 展开更多
关键词 纳米压印 光刻技术 应用 大规模集成电路 纳米技术 双核CPU Intel 电视宣传
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硅衬底上异质外延生长硅化钴研究进展
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作者 屈新萍 李炳宗 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期449-461,共13页
综述近年国内外在CoSi2/Si异质外延生长技术领域的研究进展,在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物,从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用Co/Ti/Si多层薄膜固相反应实现CoSi2/Si异质外延,是近年取得重要... 综述近年国内外在CoSi2/Si异质外延生长技术领域的研究进展,在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物,从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用Co/Ti/Si多层薄膜固相反应实现CoSi2/Si异质外延,是近年取得重要进展的新方法。应用这种方法在(111)和(100)硅衬底上都可实现CoSi2外延生长,无需在超高真空下进行,与硅器件基本工艺相容性好,可形成自对准硅化物接触结构,对发展新器件制造技术有重要作用。在简要介绍分子束外延和离子合成CoSi2外延薄膜生长技术后,重点介绍和评述新型固相异质外延方法的工艺技术、机理和应用研究进展。 展开更多
关键词 金属硅化物 异质外延 分子束外延 硅化钴
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红外微辐射元的研制 被引量:7
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作者 李守荣 梁平治 屈新萍 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期277-280,共4页
利用表面微机械加工技术 ,研制出微桥结构红外微辐射元 .该辐射元是电阻阵列动态红外景象产生器的基本组成单元 .辐射元可以产生等效黑体辐射温度为 30 0~ 5 0 0K的红外辐射 ,能够满足中波、长波红外半实物仿真的需求 .
关键词 红外微辐射元 电阻阵列 动态红外景象产生器 等效黑体辐射温度 红外辐射 表面机械加工技术
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超薄W-Si-N作为铜与硅之间的扩散阻挡层 被引量:5
11
作者 陆华 屈新萍 +2 位作者 王光伟 茹国平 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期612-616,共5页
研究了 W- Si- N三元化合物对铜的扩散阻挡特性 .在 Si ( 10 0 )衬底上用离子束溅射方法淀积 W- Si- N ,Cu/W- Si- N薄膜 ,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火 ,用俄歇电子能谱原子深度分布与 X射线衍射以及电流 -电压特性测试等方法... 研究了 W- Si- N三元化合物对铜的扩散阻挡特性 .在 Si ( 10 0 )衬底上用离子束溅射方法淀积 W- Si- N ,Cu/W- Si- N薄膜 ,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火 ,用俄歇电子能谱原子深度分布与 X射线衍射以及电流 -电压特性测试等方法研究了 W- Si- N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性 .实验分析表明 W- Si- N三元化合物具有较佳的热稳定性 ,在 80 0℃仍保持非晶态 ,当 W- Si- N薄层的厚度仅为 6nm时 。 展开更多
关键词 W-Si-N 扩散阻挡层 热稳定性 铜互连
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LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性 被引量:3
12
作者 王光伟 屈新萍 +2 位作者 茹国平 郑宏兴 李炳宗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期168-172,共5页
采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物... 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。 展开更多
关键词 锗硅薄膜 LPCVD 热扩散 热退火 固相结晶
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用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触 被引量:3
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作者 茹国平 屈新萍 +1 位作者 竺士炀 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期778-785,共8页
采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电压 ( C- V)测试结果进行了对比 .研究了 Ar离子轰击对超薄Pt Si/n- Si肖特基接触特性的影响 .BEEM、I- V/C... 采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电压 ( C- V)测试结果进行了对比 .研究了 Ar离子轰击对超薄Pt Si/n- Si肖特基接触特性的影响 .BEEM、I- V/C- V技术对多种样品的研究结果表明 ,I- V/C- V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差 ;BEEM测试则不受影响 .随着离子轰击能量增大 ,肖特基势垒高度降低 ,且其不均匀性也越大 .用 BEEM和变温 I- V对超薄 Co Si2 /n- Si肖特基二极管的研究结果表明 ,变温 I- V测试可在一定程度上获得肖特基势垒在整个界面上的不均匀性信息 ,但它依赖于假设的势垒高度分布模型 ;BEEM测试则可直接获得金 -半接触界面的肖特基势垒高度 。 展开更多
关键词 肖特基势垒 弹道电子显微术 硅化物 薄膜
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Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶 被引量:3
14
作者 段鹏 屈新萍 +3 位作者 刘萍 徐展宏 茹国平 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1453-1457,共5页
采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni... 采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni的参与可以显著降低非晶 Si Ge薄膜的结晶时间以及结晶温度 ;退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶有明显阻碍作用 ;采用先在高纯 N2 (99.99% )气氛下快速热退火 (RTA)预处理 ,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶 Si 展开更多
关键词 金属诱导结晶 非晶SiGe薄膜 固相结晶
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钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性 被引量:2
15
作者 王光伟 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期36-40,共5页
采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟... 采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟合I-V曲线得到接触参数,两样品的表观势垒高度都在0.56~0.59ev之间.实验结果表明,300~600℃退火对肖特基势垒高度没有显著影响. 展开更多
关键词 离子束溅射 多晶锗硅 热扩散 固相反应 肖特基接触特性
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Study of NiSi/Si Interface by Cross-Section Transmission Electron Microscopy 被引量:1
16
作者 蒋玉龙 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期223-228,共6页
Different silicidation processes are employed to form NiSi,and the NiSi/Si interface corresponding to each process is studied by cross-section transmission electron microscopy (XTEM). With the sputter deposition of ... Different silicidation processes are employed to form NiSi,and the NiSi/Si interface corresponding to each process is studied by cross-section transmission electron microscopy (XTEM). With the sputter deposition of a nickel thin film,nickel silicidation is realized on undoped and doped (As and B) Si(001) substrates by rapid ther mal processing (RTP). The formation of NiSi is demonstrated by X-ray diffraction and Raman scattering spectros- copy. The influence of the substrate doping and annealing process (one-step RTP and two-step RTP) on the NiSi! Si interface is investigated. The results show that for one-step RTP the silicidation on As-doped and undoped Si substrates causes a rougher NiSi/Si interface,while the two-step RTP results in a much smoother NiSi/Si interface. High resolution XTEM study shows that axiotaxy along the Si(111) direction forms in all samples, in which specific NiSi planes align with Si(111) planes in the substrate. Axiotaxy with spacing mismatch is also discussed. 展开更多
关键词 contact interface NISI nickel silieide solid-state reaction rapid thermal processing
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Schottky Barrier Characteristics of Polycrystalline and Epitaxial CoSi_2/n-Si(111) Contacts Formed by Solid State Reaction
17
作者 竺士炀 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期689-694,共6页
Polycrystalline and epitaxial CoSi 2 films are formed on the n-Si (111) substrates by solid state reaction of the as-deposited Co single-layer and Co/Ti bilayer with Si,respectively at different annealing phase.The C... Polycrystalline and epitaxial CoSi 2 films are formed on the n-Si (111) substrates by solid state reaction of the as-deposited Co single-layer and Co/Ti bilayer with Si,respectively at different annealing phase.The CoSi 2/Si Schottky contacts are measured with the current-voltage and capacitance-voltage (I-V/C-V) techniques within the range of temperature from 90K to room temperature.The measured I-V characteristics have been analyzed with a model based on the inhomogeneity in Schottky barrier height,i.e.,at high temperatures (≥~200K) or low temperatures but with a large bias,the I-V curves can be described by using the thermionic emission theory with a Gaussian distributed barrier height over the whole junction,while at low temperatures and with a small bias,the current is dominated by some small patches with low barrier height.It results in a plateau-like section in the low temperature I-V curves around 10 -7 A.At room temperature,the barrier height of polycrystalline CoSi 2/Si deduced from the I-V curve is about 0 57eV.For epitaxial CoSi 2,the barrier height depends on its final annealing temperature and increases from 0 54eV to 0 60eV with the annealing temperature increasing from 700℃ to 900℃. 展开更多
关键词 Schottky barrier SILICIDE I-V/C-V INHOMOGENEITY
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非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用
18
作者 蒋玉龙 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期385-388,共4页
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非... 在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明,这种非晶化所需能量需要合理优化. 展开更多
关键词 硅化物 NISI 非晶化注入 固相反应
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Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜
19
作者 徐蓓蕾 屈新萍 +5 位作者 韩永召 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期149-154,共6页
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。... 研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2 展开更多
关键词 金属硅化物 固相外延 扩散阻挡层 晶格失配 Co/Ti/Si结构 钴钛硅化合物
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Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
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作者 蒋玉龙 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期45-48,共4页
在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产... 在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成. 展开更多
关键词 硅化物 NISI 固相反应
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