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激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性
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作者 岑展鸿 徐骏 +5 位作者 李鑫 李伟 陈三 刘艳松 黄信凡 陈坤基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1016-1020,共5页
结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样... 结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关. 展开更多
关键词 纳米硅 激光晶化 光致发光
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等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响
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作者 李伟 岑展鸿 +3 位作者 钱波 梅嘉欣 徐骏 陈坤基 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期346-350,共5页
氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂... 氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂.通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化,对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的测量表明,在氮表面掺杂后其场电子发射特性有了明显改善,特别是场发射的阈值电场从掺杂前的3.2 V/μm下降到掺杂后的1.0 V/μm.初步实验分析表明:由于氮表面掺杂后,在碳膜表面形成N-H键,从而导致碳膜表面的有效功函数降低使场电子发射特性得以提高. 展开更多
关键词 场发射 氢化非晶碳 表面掺杂
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Preparation of a Single Layer of Luminescent Nanocrystalline Si Structures by Laser Irradiation Method
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作者 岑展鸿 徐骏 +4 位作者 刘艳松 韩培高 李伟 黄信凡 陈坤基 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期1029-1031,共3页
KrF 前 cimer 激光在非结晶的 Si 与各种各样的起始的 Si 厚度拍摄的极端薄 hydrogenated 上退火被执行获得 nanocrystalline Sistructures 的单个层。Si nanograms 能与象 10 一样高的区域密度(11 ) 被获得,这被发现厘米(在有合适的激... KrF 前 cimer 激光在非结晶的 Si 与各种各样的起始的 Si 厚度拍摄的极端薄 hydrogenated 上退火被执行获得 nanocrystalline Sistructures 的单个层。Si nanograms 能与象 10 一样高的区域密度(11 ) 被获得,这被发现厘米(在有合适的激光 fluence 的照耀下面的 -2) 。拉曼和平面传播电子显微镜学被用来从非结晶的阶段描绘 Si nanocrystals 的形成过程。而且,强壮的光致发光从 well-relaxednanocrystalline Si 结构在房间温度被观察。 展开更多
关键词 单一层 发光微晶硅结构 厚度 晶体学 纳米晶粒
原文传递
Step-by-Step Laser Crystallization of Amorphous Si:H/SiNx:H Multilayer for Active Layer in Microcavities
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作者 钱波 陈三 +6 位作者 岑展鸿 陈坤基 刘艳松 徐骏 马忠元 李伟 黄信凡 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第5期1302-1305,共4页
我们报导结晶化和非结晶的 Si 的光致发光(PL ) 性质: H/SiNx : H 多层(ML ) 电影由一步一步的激光退火对待。结果 ofRaman 大小证明 nanocrystalline Si (nc-Si ) 谷物在 a-Si 被形成: 在抑制生长机制下面的 H 层。有谷物尺寸的 PL 山... 我们报导结晶化和非结晶的 Si 的光致发光(PL ) 性质: H/SiNx : H 多层(ML ) 电影由一步一步的激光退火对待。结果 ofRaman 大小证明 nanocrystalline Si (nc-Si ) 谷物在 a-Si 被形成: 在抑制生长机制下面的 H 层。有谷物尺寸的 PL 山峰的蓝移动被观察并且能被归因于量监禁效果。为比较,我们也报导 a-Si 的结晶化和 PL : H/SiNx : 由正常一步舞处理的 H ML 样品。这个方法 ofstep-by-step 激光处理将是一个候选人在非结晶的 Si 使 nc-Si 成为量点: H/SiNx : HML 作为在微洞的活跃的层。 展开更多
关键词 激光器结晶化 无定形Si:H/SiNx:H多分层 活跃分层 微空腔
原文传递
微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光
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作者 陈三 钱波 +7 位作者 陈坤基 岑展鸿 刘艳松 韩培高 马忠元 徐骏 李伟 黄信凡 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期25-28,共4页
研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约... 研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3~4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景. 展开更多
关键词 微腔 光子晶体 光致发光
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