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太赫兹功率放大单片封装技术研究
1
作者 张博 张勇 +3 位作者 江伟佳 刘广儒 徐锐敏 延波 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期2724-2732,共9页
本文对太赫兹功率放大单片封装技术进行研究,主要包括波导-微带垂直过渡和模块内的模式谐振抑制技术.不同于常规的矩形探针平面过渡,本文提出了一种基于分叉探针的垂直过渡结构,适用于多层电路排布的系统/模块封装,并在WR-4波导频段(170... 本文对太赫兹功率放大单片封装技术进行研究,主要包括波导-微带垂直过渡和模块内的模式谐振抑制技术.不同于常规的矩形探针平面过渡,本文提出了一种基于分叉探针的垂直过渡结构,适用于多层电路排布的系统/模块封装,并在WR-4波导频段(170~260 GHz)进行了背靠背结构的实验验证,在整个波导频带内,回波损耗优于16 dB,单个过渡的插入损耗约0.42 dB,这包括了波导模块接触不良造成的额外的损耗.为进一步降低过渡损耗,提出了一种开口谐振环结构,用来抑制不良接触导致的电磁泄漏,使过渡损耗降低为原来的一半.此外,为避免功率放大模块内部发生模式谐振,提出将电磁带隙结构设置在平面传输线的上腔来抑制高次模的激励、传输和谐振.应用上述技术对工作于210~230 GHz的功率放大单片进行封装及测试.在210 GHz,小信号增益达到最大值20.75 dB,单端封装损耗约0.8 dB;在217 GHz达到最大输出功率15.6 dBm,与芯片手册数据吻合较好. 展开更多
关键词 波导探针过渡 模式谐振 电磁带隙结构 低损耗封装 功率放大器 毫米波与太赫兹
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基于石墨烯-VO_(2)的可重构太赫兹超宽带吸波器
2
作者 刘广儒 张勇 +4 位作者 朱华利 叶龙芳 骆祥 徐锐敏 延波 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期2700-2707,共8页
本文提出了一种基于石墨烯和二氧化钒(VO_(2))的伞状结构可重构太赫兹超宽带吸波器,极大地拓展了太赫兹吸波器的吸收带宽,具有功能可重构、调制深度大等优点.该吸波器由伞状VO_(2)贴片、聚乙烯环烯烃共聚物(To⁃pas)介电层、石墨烯层以... 本文提出了一种基于石墨烯和二氧化钒(VO_(2))的伞状结构可重构太赫兹超宽带吸波器,极大地拓展了太赫兹吸波器的吸收带宽,具有功能可重构、调制深度大等优点.该吸波器由伞状VO_(2)贴片、聚乙烯环烯烃共聚物(To⁃pas)介电层、石墨烯层以及金属反射层组成.当VO_(2)处于绝缘态、石墨烯的费米能级为0 eV时,该吸波器在整个太赫兹波段内表现为全反射特性.当VO_(2)处于金属态、石墨烯的费米能级为0.75 eV时,该吸波器在3.57~10 THz频率范围内实现了超宽带吸收,平均吸收率达到了94%以上,吸收带宽高达6.43 THz.同时调节VO_(2)的电导率和石墨烯的费米能级,可在两个完美吸收点处实现最大分别为97.9%(4.3 THz处)、96.8%(8.25 THz处)的调制深度,具有良好的开关特性.此外,该吸波器还具有极化不敏感和广角吸收特性,在0°~35°的入射角范围内,该吸波器在3.57~10 THz带宽范围内均保持着90%以上的吸收率.该可重构太赫兹超宽带吸波器在可调宽带吸收器件、隐身器件、热探测、太赫兹开关等领域具有潜在的应用价值. 展开更多
关键词 光学器件 超材料吸波器 太赫兹 超宽带 可重构
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基于自动门控电源的微光像增强器动态范围研究 被引量：5
3
作者 延波 智强 +5 位作者 李军国 王钰 杨晔 姚泽 杜木林 邓广绪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第5期300-303,共4页
像增强器作为微光夜视装备的核心器件,其动态范围研究具有重要意义。论述了基于自动门控电源的微光像增强器动态范围扩展的意义,分析讨论了自动门控电源MCP电压、阴极脉冲宽度、阴极脉冲频率、阴极开启电压与微光像增强器动态范围的关系... 像增强器作为微光夜视装备的核心器件,其动态范围研究具有重要意义。论述了基于自动门控电源的微光像增强器动态范围扩展的意义,分析讨论了自动门控电源MCP电压、阴极脉冲宽度、阴极脉冲频率、阴极开启电压与微光像增强器动态范围的关系,提出了微光像增强器动态范围估算模型。 展开更多
关键词 自动门控电源 像增强器 动态范围
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阴极脉冲占空比与荧光屏电流关系研究 被引量：3
4
作者 延波 杨晔 +3 位作者 倪小兵 智强 李军国 邓广绪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期757-760,共4页
自动门控电源作为微光像增强器的能量来源,其阴极脉冲占空比与荧光屏电流的关系对完善自动门控电源的自动亮度控制(ABC)电路设计具有重要意义。从自动门控电源与微光像增强器的匹配应用方面分析了阴极脉冲占空比对荧光屏电流的影响,又... 自动门控电源作为微光像增强器的能量来源,其阴极脉冲占空比与荧光屏电流的关系对完善自动门控电源的自动亮度控制(ABC)电路设计具有重要意义。从自动门控电源与微光像增强器的匹配应用方面分析了阴极脉冲占空比对荧光屏电流的影响,又从自动门控电源ABC电路设计方面分析了阴极脉冲占空比如何跟随荧光屏电流变化,才能确保微光像增强器荧光屏亮度的基本恒定,给出了自动门控电源阴极脉冲占空比与荧光屏电流的曲线图。 展开更多
关键词 自动门控电源 像增强器 自动亮度控制 阴极脉冲占空比 荧光屏电流
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微波放大器增益与噪声关系的分析方法 被引量：1
5
作者 延波 徐静 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期483-486,共4页
提出了一种在微波宽带低噪声放大器设计中，放大器增益性能与噪声性能之间关系的解析表达式，对其解析解进行了详尽的讨论，大大简化了传统的设计过程，并对微波低噪声ＨＥＭＴ器件ＪＳ８９０５－ＡＳ的性能进行了分析设计，经验证，与... 提出了一种在微波宽带低噪声放大器设计中，放大器增益性能与噪声性能之间关系的解析表达式，对其解析解进行了详尽的讨论，大大简化了传统的设计过程，并对微波低噪声ＨＥＭＴ器件ＪＳ８９０５－ＡＳ的性能进行了分析设计，经验证，与传统方法的结果相吻合。 展开更多
关键词 微波 宽带 低噪声放大器 增益 噪声 解析表达式
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城轨交通高架桥墩顶纵向刚度的设计探讨 被引量：4
6
作者 延波 《都市快轨交通》 2007年第3期30-32,共3页
对桥墩纵向刚度进行计算,分析影响桥梁下部结构刚度的主要因素,包括桩径、桩间距以及墩截面几何尺寸。探讨在相同刚度的条件下,如何合理选择墩柱刚度及基础刚度,以保证结构受力合理且经济性好。
关键词 轨道交通 高架桥 墩顶纵向刚度 优化
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花瓶式桥墩顶部结构分析与配筋 被引量：3
7
作者 延波 胡达和 赵荣花 《都市快轨交通》 2010年第5期80-82,共3页
对花瓶式桥墩墩顶部受力进行空间计算,分析该类型桥墩墩顶的受力特点和影响因素,提出合理的配筋方式,并结合工程实例进行配筋计算,供类似结构设计参考。
关键词 城市轨道交通 花瓶式桥墩 墩顶配筋 空间分析
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城市轨道交通箱梁横隔梁实用简化计算 被引量：3
8
作者 延波 《都市快轨交通》 2007年第1期52-54,共3页
通过对混凝土连续箱梁在恒载和列车活载作用下的空间分析,得到横隔梁内力计算的简化计算模型及计算方法,为类似的箱梁横隔梁的计算提供了简便可行的方法。
关键词 轨道交通 箱梁 横隔梁 简化计算方法
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微光像增强器自动门控电源技术研究 被引量：11
9
作者 邓广绪 延波 +5 位作者 智强 杨晔 李军国 王钰 杜木林 刘术林 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第3期155-158,共4页
针对微光像增强器在高照度下出现的输出图像饱和现象,提出了混合式自动亮度控制方法,论述了微光像增强器自动门控技术、光电子快门控制原理,以及大动态范围自动亮度控制方法,给出了自动门控电源设计框图和混合式自动亮度控制工作时序以... 针对微光像增强器在高照度下出现的输出图像饱和现象,提出了混合式自动亮度控制方法,论述了微光像增强器自动门控技术、光电子快门控制原理,以及大动态范围自动亮度控制方法,给出了自动门控电源设计框图和混合式自动亮度控制工作时序以及实验结果,分析讨论了设计中的4个关键问题。 展开更多
关键词 微光管 自动门控技术 电源 脉冲 自动亮度控制
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采用二极管的模拟预失真毫米波功放线性化器 被引量：24
10
作者 李少岚 延波 +1 位作者 李晨飞 谢小强 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期70-72,共3页
研制了一款用于毫米波频段的线性化器,采用模拟预失真技术,基于90°电桥和两个肖特基二极管,在外加直流偏置的情况下,产生预失真信号,通过矢量网络分析仪测试表明,当工作频率为30GHz时,其增益扩展了3～4dB,相位延迟了20°左右... 研制了一款用于毫米波频段的线性化器,采用模拟预失真技术,基于90°电桥和两个肖特基二极管,在外加直流偏置的情况下,产生预失真信号,通过矢量网络分析仪测试表明,当工作频率为30GHz时,其增益扩展了3～4dB,相位延迟了20°左右。将该线性化器与毫米波功率放大器级联,双音测试结果表明,当功放的输出功率为1dB压缩点回退3dB时,三阶交调指标在工作频率30GHz和31GHz时均改善了10dB左右。该线性化器结构简单、成本较低、实用性强。 展开更多
关键词 肖特基二极管 90°电桥 预失真线性化器 毫米波频段
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SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究 被引量：3
11
作者 徐跃杭 国云川 +2 位作者 徐锐敏 延波 吴韵秋 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期443-446,453,共5页
基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可... 基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。 展开更多
关键词 金属半导体场效应晶体管 非线性模型 碳化硅 符号定义器件
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小型Ka频段锁相倍频源 被引量：3
12
作者 徐锐敏 延波 李积微 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期555-558,共4页
介绍了小型毫米波跳频频率合成器的研究方法。为了满足系统小型化要求,采用微波频段锁定后倍频到毫米波频段的锁相倍频方案,选用超小型、无任何补偿措施的普通10 MHz晶振。整个毫米波锁相源在150 cm3体积内实现。测试结果为:输出频率29... 介绍了小型毫米波跳频频率合成器的研究方法。为了满足系统小型化要求,采用微波频段锁定后倍频到毫米波频段的锁相倍频方案,选用超小型、无任何补偿措施的普通10 MHz晶振。整个毫米波锁相源在150 cm3体积内实现。测试结果为:输出频率29～31 GHz,步进 20 MHz,相噪优于-65 dBc/Hz@10 kHz,输出功率大于10 dBm,可用于8 mm接收机作本振或发射机基准源使用。 展开更多
关键词 振荡器 毫米波 锁相倍频源 KA频段 频率合成器
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一种新颖的鳍线单刀双掷开关 被引量：2
13
作者 徐锐敏 谢俊 +1 位作者 延波 薛良金 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期301-303,共3页
介绍一种只需要一个偏置控制端口 ,采用正负脉冲驱动的 T形结鳍线单刀双掷开关的设计方法 .在电路中采取改进措施 ,提高了隔离度、降低了插入损耗 .测量结果表明 ,开关在 Ka频段内 ,插入损耗≤ 1.5 d B,隔离度≥30 d B;在 W频段内 ,插... 介绍一种只需要一个偏置控制端口 ,采用正负脉冲驱动的 T形结鳍线单刀双掷开关的设计方法 .在电路中采取改进措施 ,提高了隔离度、降低了插入损耗 .测量结果表明 ,开关在 Ka频段内 ,插入损耗≤ 1.5 d B,隔离度≥30 d B;在 W频段内 ,插入损耗≤ 2 d B,隔离度≥ 2 5 d 展开更多
关键词 毫米波 鳍线电路 T形SPDT开关 控制端口 单刀双掷开关
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基于PLD器件的门控技术在微光像增强器中的应用 被引量：3
14
作者 智强 延波 +5 位作者 杨晔 李军国 姚泽 王钰 苗壮 邓广绪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第3期180-184,共5页
针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理... 针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理电路和试验结果。 展开更多
关键词 像增强器 门控技术 光阴极门控 PLD
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Ka频段上变频模块的设计 被引量：5
15
作者 张凯 延波 徐锐敏 《电讯技术》 2007年第5期100-103,共4页
介绍了Ka频段上变频模块的方案设计与性能测试。该模块采用单一本振源两次变频方案,将L频段500MHz带宽信号上变频至Ka频段。通过整体方案的优化设计和高性能滤波器的使用,在信号带内获得极低的杂散、优良的相噪特性和较为理想的幅频响... 介绍了Ka频段上变频模块的方案设计与性能测试。该模块采用单一本振源两次变频方案,将L频段500MHz带宽信号上变频至Ka频段。通过整体方案的优化设计和高性能滤波器的使用,在信号带内获得极低的杂散、优良的相噪特性和较为理想的幅频响应特性。经加工、测试,整套模块性能优良,工作状态稳定,满足设计指标的要求。 展开更多
关键词 发射机 上变频模块 两次变频
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毫米波三端器件漏极混频器的研究 被引量：1
16
作者 徐锐敏 肖绍球 +1 位作者 延波 薛良金 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期120-122,共3页
对 Ka频段三端器件漏极混频器电路进行了分析和优化设计 .由三端器件小信号 S参数和直流特性测试值拟合出该器件非线性等效电路模型和参数 ;采用谐波平衡和变换矩阵分析法推导出漏极混频器变频增益 ,由此优化设计混频器电路 .实验测试... 对 Ka频段三端器件漏极混频器电路进行了分析和优化设计 .由三端器件小信号 S参数和直流特性测试值拟合出该器件非线性等效电路模型和参数 ;采用谐波平衡和变换矩阵分析法推导出漏极混频器变频增益 ,由此优化设计混频器电路 .实验测试结果射频为 2 7.4GHz、本振为 33.4GHz/ 10 d Bm,获得变频增益为 4d 展开更多
关键词 毫米波 三端器件 漏极混频器 谐波平衡法 变换矩阵法 变频增益 优化设计
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4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型 被引量：1
17
作者 徐跃杭 徐锐敏 +2 位作者 延波 国云川 王磊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-4,共4页
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,... 提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。 展开更多
关键词 4H-SIC MESFET I-V特性 解析模型
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微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究 被引量：1
18
作者 徐跃杭 徐锐敏 +1 位作者 延波 王磊 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第B08期130-133,共4页
在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取... 在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取SiC MESFET小信号等效电路寄生参数的方法。该模型应用于国内SiC MESFET工艺线,在0.5-18GHz范围内S参数的仿真值和实测值非常吻合。 展开更多
关键词 SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管) 小信号等效电路 GAAS MESFET
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毫米波LTCC组件中的波导-微带转换 被引量：1
19
作者 赵琳 汪海 延波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期171-172,176,共3页
介绍了Ka波段LTCC(低温共烧陶瓷)组件中矩形波导-微带的一种新型转换结构。这种转换结构通过波导和微带间的开槽耦合以及在LTCC多层布线基板中用金属填充通孔阵列等效替换波导壁而实现。此类型波导到微带的转换无需将安装在波导内的LTC... 介绍了Ka波段LTCC(低温共烧陶瓷)组件中矩形波导-微带的一种新型转换结构。这种转换结构通过波导和微带间的开槽耦合以及在LTCC多层布线基板中用金属填充通孔阵列等效替换波导壁而实现。此类型波导到微带的转换无需将安装在波导内的LTCC基板加工成特殊形状,便于加工,而且转换对LTCC基板和波导的机械安装公差要求较低。 展开更多
关键词 毫米波 波导-微带转换 低温共烧陶瓷
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一种毫米波宽带波导-SIW过渡 被引量：1
20
作者 夏雷 徐锐敏 延波 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S2期348-350,共3页
本文设计了一种新型宽带波导基片集成波导(SIW)过渡结构,工作于Ka频段,该结构通过基片与波导结构之间形成两个谐振腔进一步拓宽频带,增加了耦合效果。通过背靠背结构加工测试表明,该过渡结构相对带宽达到17%,在频带31.8-37.8GHz内回波... 本文设计了一种新型宽带波导基片集成波导(SIW)过渡结构,工作于Ka频段,该结构通过基片与波导结构之间形成两个谐振腔进一步拓宽频带,增加了耦合效果。通过背靠背结构加工测试表明,该过渡结构相对带宽达到17%,在频带31.8-37.8GHz内回波损耗优于13d B,插损小于2.5d B。 展开更多
关键词 KA波段 矩形波导 基片集成波导 过渡
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