GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究

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作者 张峰翊 田玉莲 等 《北京同步辐射装置年报》 1998年第1期33-35,共3页

利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界... 利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。 展开更多

关键词 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉 水平布里支曼 垂直梯度凝固 缺陷

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高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响

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作者 张峰翊 黄宇营 《北京同步辐射装置年报》 1998年第1期233-236,共4页

通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

关键词 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓 半导体

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φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟 被引量：12

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作者 宇慧平 隋允康 +2 位作者 张峰翊 常新安 安国平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期453-458,共6页

直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获... 直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如 何影响晶体生长的质量的,而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容,为单晶硅的生 长提供有利的指导.本文采用低雷诺数的K-ε紊流模型,对直径300mm的大直径单晶硅生 长进行了数值模拟,通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析,阐明了勾形磁 场影响熔体流动的机理. 展开更多

关键词 直拉法 勾形磁场 数值模拟

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勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟 被引量：11

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作者 宇慧平 隋允康 +1 位作者 张峰翊 王学锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期217-222,共6页

本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,... 本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析。 展开更多

关键词 单晶硅 提拉法 勾形磁场 磁场强度 计算公式 洛伦兹力

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勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟 被引量：5

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作者 宇慧平 隋允康 +1 位作者 张峰翊 常新安 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期517-523,共7页

采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semi—implic... 采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semi—implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长． 展开更多

关键词 单晶硅 勾形磁场 氧浓度 紊流模型

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采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长 被引量：4

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作者 宇慧平 隋允康 +1 位作者 张峰翊 王学锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期648-656,共9页

为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流... 为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流项,采用延时修正来实施QUICK格式获得满足主对角占优的代数方程组,采用SIMPLE(Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场,给出了基于上述方法的方程、算法,并发展了程序,计算了Wheeler标准问题,计算结果与文献相当一致,同时本算法能模拟计算高葛拉晓夫数时的流动,显示出非均匀网格QUICK格式模拟晶体生长的优越性;另外本文将这一算法运用到单晶硅的数值模拟中,计算结果令人满意。 展开更多

关键词 QUICK格式 提拉法 单晶体 晶体生长 延时修正法 数值模拟

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紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响 被引量：3

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作者 宇慧平 隋允康 +2 位作者 张峰翊 常新安 安国平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期835-840,共6页

本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚... 本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降。晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长。 展开更多

关键词 紊流模型 模拟分析 晶体旋转 提拉法 单晶硅 坩埚旋转

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气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响 被引量：2

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作者 李金权 苏小平 +4 位作者 那木吉拉图 黎建明 张峰翊 李楠 杨海 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期236-239,247,共5页

本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中... 本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中得到了很好的验证,并提出了三种解决方案。 展开更多

关键词 气体对流 温场 蓝宝石单晶 数值模拟

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激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

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作者 屠海令 张峰翊 +2 位作者 王永鸿 钱嘉裕 马碧春 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期450-451,共2页

采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型... 采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。 展开更多

关键词 复合寿命 半绝缘 砷化镓 LM-PCD

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运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体 被引量：4

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作者 詹琳 苏小平 +1 位作者 张峰翊 李金权 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1056-1059,共4页

在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统... 在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统。这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面。 展开更多

关键词 数值模拟 VGF法 固液界面 GAAS

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Raman Back-scattering study of Damaged and Strain Subsurface Layers in GaAs Wafers 被引量：1

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作者 张峰翊 屠海令 +3 位作者 钱嘉裕 王永鸿 宋萍 王敬 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第3期179-182,共6页

The damaged and strain subsurface layers of semi insulating(SI) GaAs substrate were characterized non destructively by Raman back scattering.The study shows that the thicknesses of the damaged and strain layers are le... The damaged and strain subsurface layers of semi insulating(SI) GaAs substrate were characterized non destructively by Raman back scattering.The study shows that the thicknesses of the damaged and strain layers are less than 3μm.The damaged and strain layer can be removed after being etched in H 2SO 4·H 2O 2·H 2O for 1.5 min. 展开更多

关键词 Damaged and Strain layers Raman back scattering GaAs wafer

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