采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密...采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.展开更多
对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法,水溶液共沉淀法,电解法,溶胶-凝胶法,喷雾燃烧法,喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述。阐述了各种制备工艺过程和工作原理,比较和...对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法,水溶液共沉淀法,电解法,溶胶-凝胶法,喷雾燃烧法,喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述。阐述了各种制备工艺过程和工作原理,比较和分析了各工艺方法的优缺点,并提出了制备高品质ITO粉末及ITO靶的努力方向。展开更多
文摘采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.
文摘对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法,水溶液共沉淀法,电解法,溶胶-凝胶法,喷雾燃烧法,喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述。阐述了各种制备工艺过程和工作原理,比较和分析了各工艺方法的优缺点,并提出了制备高品质ITO粉末及ITO靶的努力方向。
