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基于CMOS工艺的逆F类功率放大器设计
被引量：
1
1
作者
张
晨波
张铁笛
+1 位作者
范超
延波
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期164-166,共3页
基于SMIC55nm工艺设计了一款Ka波段(32~38GHz)的功率放大器。该功率放大器通过片上巴伦实现了功率合成,并在巴伦上加入了谐波控制网络来进一步改善功放的功率附加效率(PAE)。采用cadence软件原理图仿真,使用peakview软件进行电磁仿真,...
基于SMIC55nm工艺设计了一款Ka波段(32~38GHz)的功率放大器。该功率放大器通过片上巴伦实现了功率合成,并在巴伦上加入了谐波控制网络来进一步改善功放的功率附加效率(PAE)。采用cadence软件原理图仿真,使用peakview软件进行电磁仿真,仿真结果表明,在2.5V供电电压下,在中心频率35GHz功率增益为29.2dB,输出功率1dB压缩点为16.7dBm,最高功率附加效率(PAE)达到20%,芯片面积仅为0.55mm2。
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关键词
CMOS
功率放大器
巴伦
功率合成
原文传递
基于CMOS的96-105GHz太赫兹放大器的设计
被引量：
1
2
作者
程俊明
张铁笛
+1 位作者
延波
范超
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期312-314,共3页
采用SMIC55nm CMOS工艺设计了一款单级100GHz的放大器,该放大器采用共源共栅结构进行设计,相对共源级结构可提高其输出P1dB压缩点,进而可以输出更大的功率要求。共源共栅电路单级放大器具有更好的输入输出隔离,更好的增益,提高带宽,更...
采用SMIC55nm CMOS工艺设计了一款单级100GHz的放大器,该放大器采用共源共栅结构进行设计,相对共源级结构可提高其输出P1dB压缩点,进而可以输出更大的功率要求。共源共栅电路单级放大器具有更好的输入输出隔离,更好的增益,提高带宽,更高的输入阻抗,更高的输出阻抗,更好的稳定性,高的转换率等优点。仿真结果表明:这款放大器覆盖频段是96~105GHz,增益>1dB,噪声系数为3.4~5.7,输出1dB压缩点>1.4dBm。在2.5V电压下,功耗<110mW。
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关键词
CMOS
放大器
共源共栅
原文传递
基于CMOS工艺的太赫兹二倍频器研究
3
作者
赵诚
程俊明
+1 位作者
张铁笛
范超
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期315-317,共3页
基于SMIC 55nm工艺设计了一款太赫兹二倍频器芯片,二倍频器结构为经典的push-push结构,输入端利用低损耗、高平衡度的巴伦将单端信号转换成差分信号输入,由于频率较高,电感的寄生效应比较强,所以需利用微带线进行电路的匹配设计。仿真...
基于SMIC 55nm工艺设计了一款太赫兹二倍频器芯片,二倍频器结构为经典的push-push结构,输入端利用低损耗、高平衡度的巴伦将单端信号转换成差分信号输入,由于频率较高,电感的寄生效应比较强,所以需利用微带线进行电路的匹配设计。仿真结果表明,输入回波损耗在102.5GHz-112.5GHz优于15dB,输出回波损耗在205GHz-225GHz优于20dB,倍频损耗在全频段最大约为17.3dB,基波抑制大于13dBc。
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关键词
太赫兹
二倍频器
巴伦
原文传递
题名
基于CMOS工艺的逆F类功率放大器设计
被引量：
1
1
作者
张
晨波
张铁笛
范超
延波
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期164-166,共3页
文摘
基于SMIC55nm工艺设计了一款Ka波段(32~38GHz)的功率放大器。该功率放大器通过片上巴伦实现了功率合成,并在巴伦上加入了谐波控制网络来进一步改善功放的功率附加效率(PAE)。采用cadence软件原理图仿真,使用peakview软件进行电磁仿真,仿真结果表明,在2.5V供电电压下,在中心频率35GHz功率增益为29.2dB,输出功率1dB压缩点为16.7dBm,最高功率附加效率(PAE)达到20%,芯片面积仅为0.55mm2。
关键词
CMOS
功率放大器
巴伦
功率合成
Keywords
CMOS
power amplifier
transformer
power synthesis
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
基于CMOS的96-105GHz太赫兹放大器的设计
被引量：
1
2
作者
程俊明
张铁笛
延波
范超
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期312-314,共3页
文摘
采用SMIC55nm CMOS工艺设计了一款单级100GHz的放大器,该放大器采用共源共栅结构进行设计,相对共源级结构可提高其输出P1dB压缩点,进而可以输出更大的功率要求。共源共栅电路单级放大器具有更好的输入输出隔离,更好的增益,提高带宽,更高的输入阻抗,更高的输出阻抗,更好的稳定性,高的转换率等优点。仿真结果表明:这款放大器覆盖频段是96~105GHz,增益>1dB,噪声系数为3.4~5.7,输出1dB压缩点>1.4dBm。在2.5V电压下,功耗<110mW。
关键词
CMOS
放大器
共源共栅
Keywords
CMOS
amplifier
cascode
分类号
TN722.1 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
基于CMOS工艺的太赫兹二倍频器研究
3
作者
赵诚
程俊明
张铁笛
范超
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期315-317,共3页
基金
国家自然科学基金(61801103)
文摘
基于SMIC 55nm工艺设计了一款太赫兹二倍频器芯片,二倍频器结构为经典的push-push结构,输入端利用低损耗、高平衡度的巴伦将单端信号转换成差分信号输入,由于频率较高,电感的寄生效应比较强,所以需利用微带线进行电路的匹配设计。仿真结果表明,输入回波损耗在102.5GHz-112.5GHz优于15dB,输出回波损耗在205GHz-225GHz优于20dB,倍频损耗在全频段最大约为17.3dB,基波抑制大于13dBc。
关键词
太赫兹
二倍频器
巴伦
Keywords
THz
frequency doubler
balun
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于CMOS工艺的逆F类功率放大器设计
张
晨波
张铁笛
范超
延波
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020
1
原文传递
2
基于CMOS的96-105GHz太赫兹放大器的设计
程俊明
张铁笛
延波
范超
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020
1
原文传递
3
基于CMOS工艺的太赫兹二倍频器研究
赵诚
程俊明
张铁笛
范超
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020
0
原文传递
已选择
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