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Ga－In－As－Sb系合金固－液平衡和人工神经网络预报
1
作者 严六明 吴伟 +2 位作者 张靖巍 陈念贻 彭瑞伍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期603-607,共5页
本文用ＤＴＡ法测量了Ｇａ－Ｉｎ－Ａｓ－Ｓｂ系合金的液相线温度，并用滑舟法在Ｇａｓｈ衬底上生长液相外延膜，并用电子探针法分析膜的成分．在此基础上利用实验数据和文献数据训练人工神经网络模型，神经网络模型用交叉检验法测试是... 本文用ＤＴＡ法测量了Ｇａ－Ｉｎ－Ａｓ－Ｓｂ系合金的液相线温度，并用滑舟法在Ｇａｓｈ衬底上生长液相外延膜，并用电子探针法分析膜的成分．在此基础上利用实验数据和文献数据训练人工神经网络模型，神经网络模型用交叉检验法测试是否过拟合．经测试合格的神经网络可以预报液相线温度和外延层组成． 展开更多
关键词 固-液平衡 神经网络 半导体材料 GaInAsSb系
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应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 被引量：3
2
作者 邹吕凡 王占国 +4 位作者 孙殿照 张靖巍 李建平 孔梅影 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期333-336,共4页
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对... 用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面． 展开更多
关键词 GSMBE 异质结材料 外延生长 X射线双晶衍射
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As~＋注入Si_（1－x）Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究 被引量：1
3
作者 邹吕凡 王占国 +3 位作者 孙殿照 何沙 范缇文 张靖巍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期946-950,共5页
作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究，并与未注入ＡＳ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的应变弛豫进行了比较．结果表明，退火后，注入ＡＳ_的Ｓｉ１－ｘＧ... 作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究，并与未注入ＡＳ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的应变弛豫进行了比较．结果表明，退火后，注入ＡＳ_的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ外延层中的应变分布不同于未注入ＡＳ＋的应变分布．对于未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，其Ｘ射线衍射峰的半宽度ＦＷＨＭ由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽．对于注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，９５０℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤，使晶格得以恢复，且其退火后的Ｘ射线衍射峰的半宽度比未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品的半宽度窄，甚至比部分弛豫的原生样品的半宽度窄．这可能是退火后一部分Ｇｅ的晶格位置被Ａｓ原子占据，导致晶格体积收缩，应变弛豫，因而失配位错密度低的缘故． 展开更多
关键词 砷离注入 Sid1-xGex 应变驰豫 X射线衍射
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As＋注入Si1—xGex的快速退火行为
4
作者 邹吕凡 王占国 +4 位作者 孙殿照 何沙 范缇文 刘学锋 张靖巍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期717-720,共4页
用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅ... 用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快扩散可能与未激活Ａｓ的快速退火行为有关．就作者所知，离子注入Ａｓ在Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中的扩散研究，以前未见报道． 展开更多
关键词 砷离子注入 退火 SIGE
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