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多功能硅酸铋晶体的生长与掺杂
1
作者 徐家跃 张彦 +6 位作者 田甜 陈媛芝 申慧 肖学峰 熊正烨 李永攀 马云峰 《应用技术学报》 2024年第1期22-34,共13页
硅酸铋(Bi_(4)Si_(3)O_(12),BSO)晶体是重要的闪烁材料,具有较快的衰减时间、适中的熔点和密度、原料成本低等优势。掺杂不仅能够提高BSO晶体闪烁性能,还可以使其成为多功能材料,比如荧光晶体、激光晶体。总结了BSO晶体的主要研究进展,... 硅酸铋(Bi_(4)Si_(3)O_(12),BSO)晶体是重要的闪烁材料,具有较快的衰减时间、适中的熔点和密度、原料成本低等优势。掺杂不仅能够提高BSO晶体闪烁性能,还可以使其成为多功能材料,比如荧光晶体、激光晶体。总结了BSO晶体的主要研究进展,采用坩埚下降法成功生长了大尺寸BSO晶体,浓度3%以上的稀土掺杂能有效抑制组分偏析;稀土掺杂BSO晶体是导热性能良好的荧光发光材料,紫外光激发下Dy掺杂BSO晶体发黄光,Dy/Tm共掺BSO晶体可实现白光LED发光;研究了Yb、Er、Ho、Tm等稀土掺杂BSO晶体的光谱特性,在Ho:BSO、Tm:BSO晶体中分别实现了0.73 W、0.65 W的激光输出;纯BSO晶体是以Bi3+为发光中心的闪烁晶体,微量Dy掺杂可使BSO晶体光输出提高50%,1%Ta掺杂也能显著提高光输出;BGSO混晶也具有闪烁、激光等发光性能,通过调节组分可以开发出梯度闪烁晶体,稀土掺杂BGSO还可能成为激光晶体。 展开更多
关键词 硅酸铋 晶体生长 闪烁体 荧光体 激光
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主编寄语
2
作者 徐家跃 《应用技术学报》 2024年第1期F0003-F0003,共1页
时光荏苒,岁月如歌。上海应用技术大学迎来了建校70周年庆典,《应用技术学报》也迎来了第24个春秋。70年来,学校始终坚持应用型人才培养和科学技术创新,服务国家战略和区域经济发展,成为一所具有学士、硕士和博士培养层次的应用创新型大... 时光荏苒,岁月如歌。上海应用技术大学迎来了建校70周年庆典,《应用技术学报》也迎来了第24个春秋。70年来,学校始终坚持应用型人才培养和科学技术创新,服务国家战略和区域经济发展,成为一所具有学士、硕士和博士培养层次的应用创新型大学;学报依托学校办刊,携手上海科学院、上海化工研究院,从校刊逐步发展成为应用技术领域的学术期刊。 展开更多
关键词 应用技术大学 科学技术创新 学术期刊 一所 时光荏苒 岁月如歌 应用型人才培养 区域经济发展
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近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展 被引量：8
3
作者 徐家跃 陆宝亮 夏宗仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期626-630,共5页
本文总结了近化学计量比铌酸锂晶体的不同生长方法及它们各自的特色,分析了锂铌摩尔比对晶体性能的影响及Li含量的各种表征方法。通过比较看出,采用K_2O助熔剂生长近化学计量比铌酸锂晶体是一种较为实用的途径。基于此,我们采用K_2O助... 本文总结了近化学计量比铌酸锂晶体的不同生长方法及它们各自的特色,分析了锂铌摩尔比对晶体性能的影响及Li含量的各种表征方法。通过比较看出,采用K_2O助熔剂生长近化学计量比铌酸锂晶体是一种较为实用的途径。基于此,我们采用K_2O助熔剂提拉法和助熔剂-坩埚下降法生长了近化学计量比铌酸锂晶体,所得晶体的最大尺寸分别达到φ45mm×60mm和φ25mm×40mm。 展开更多
关键词 铌酸锂晶体 近化学计量比 晶体生长 区熔法 连续供料法 助熔剂法 晶体性能 助熔剂-坩埚下降法
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铌酸钾锂晶体的生长研究 被引量：4
4
作者 徐家跃 孙仁英 +2 位作者 林雅芳 范世 徐学武 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期589-592,共4页
首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5＋xO15＋2x（0＜x＜0．5），探讨了该晶体的最佳生长条件，包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等，成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体．
关键词 铌酸钾锂 坩埚下降法 晶体生长 非线性光学
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0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长 被引量：6
5
作者 徐家跃 范世(?) 孙仁英 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期721-724,共4页
研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只... 研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。PbO助溶剂比较适合于生长具有铁电性的钙钛矿相PZNT91/9单晶。助溶剂法生长的工艺参数为:溶质与PbO助溶剂的摩尔比为l:l,泡料温度1 150-1 200℃,泡料时间10 h,晶体生长时降温速度0.8-2℃/h,当温度降到900℃时停止生长,以50℃/h快速冷却至室温。所得晶体为琥珀色,最大尺寸达φ30 mm×15 mm,其压电系数和机电偶合系数分别为2000 pc/N和0.92。 展开更多
关键词 0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3 析晶行为 助溶剂法 铌锌钛酸铅 钙钛矿相 晶体生长
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弛豫铁电单晶PZNT93/7的生长与电性能研究 被引量：3
6
作者 徐家跃 童健 +3 位作者 侍敏莉 陆宝亮 张爱琼 范世骥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期264-268,共5页
以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降... 以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mm×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求. 展开更多
关键词 PZNT 弛豫铁电单晶 甘埚下降法 晶体生长 PbO助溶剂
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工业应用氧化物闪烁晶体的下降法生长(英文) 被引量：3
7
作者 徐家跃 叶崇志 +3 位作者 储耀卿 廖晶莹 葛增伟 范世(马豈) 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期957-961,共5页
闪烁晶体广泛应用于高能物理、核医学成像和辐射探测等领域。工业应用通常要求闪烁晶体具有高性能、大尺寸和低成本等。本文报道了中国科学院上海硅酸盐研究所在锗酸铋、钨酸铅和氧化碲等闪烁晶体工业化生长方面的最新研究进展,讨论了... 闪烁晶体广泛应用于高能物理、核医学成像和辐射探测等领域。工业应用通常要求闪烁晶体具有高性能、大尺寸和低成本等。本文报道了中国科学院上海硅酸盐研究所在锗酸铋、钨酸铅和氧化碲等闪烁晶体工业化生长方面的最新研究进展,讨论了坩埚下降法作为工业晶体生长技术的优缺点。 展开更多
关键词 氧化物闪烁晶体 下降法 锗酸铋 钨酸铅 氧化碲
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壳熔法生长技术及其应用 被引量：5
8
作者 徐家跃 展宗贵 +1 位作者 张道标 何雪梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期101-106,共6页
壳熔法是利用高频感应电源加热使原料内部熔化并由水冷系统在其外围形成硬壳作为坩埚的一种晶体生长技术,特别适合于高温和难熔晶体的生长。本文介绍了壳熔法晶体生长原理和特点,综述了壳熔法生长立方氧化锆晶体的研究进展,探讨了壳熔... 壳熔法是利用高频感应电源加热使原料内部熔化并由水冷系统在其外围形成硬壳作为坩埚的一种晶体生长技术,特别适合于高温和难熔晶体的生长。本文介绍了壳熔法晶体生长原理和特点,综述了壳熔法生长立方氧化锆晶体的研究进展,探讨了壳熔法的其它工业应用,包括高温合金的铸造、核废料的处理、多晶硅的制备等。 展开更多
关键词 壳熔法 立方氧化锆 晶体生长
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GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应 被引量：2
9
作者 徐家跃 王冰心 +1 位作者 金敏 房永征 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2632-2640,共9页
作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,... 作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了Ga As晶体坩埚下降法生长的研究成果。坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为Ga As晶体产业化的重要途径。掺杂不仅能调节Ga As晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响。本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂Ga As晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用。 展开更多
关键词 坩埚下降法 晶体生长 砷化镓晶体 掺杂
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声表面波用压电晶体的新进展(英文) 被引量：1
10
作者 徐家跃 武安华 +3 位作者 陆宝亮 张爱琼 范世■ 夏宗仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期553-558,共6页
报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3～ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga... 报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3～ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作工序 ,而且使成品率提高了 5～ 8百分点。此外 ,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3 晶体 ,观察到一些新的现象。 展开更多
关键词 声表面波 压电晶体 改进型坩埚下降法 晶体生长 LiB4O7 硼酸锂 低静电黑片 Sr3Ga2Ge4O14晶体
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铁电铌酸钾锂晶体的缺陷研究 被引量：2
11
作者 徐家跃 范世 +1 位作者 林雅芳 孙仁英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期201-,共1页
铌酸钾锂 (K3 Li2 -xNb5 +xO15 +2x∶KLN)铁电固溶体晶体被认为是具有良好应用前景的蓝光倍频晶体之一。到目前为止 ,有关相图、晶体生长和性能等方面的工作已经有了大量的研究 ,而关于KLN晶体缺陷研究少见报道。本文研究了KLN晶体的云... 铌酸钾锂 (K3 Li2 -xNb5 +xO15 +2x∶KLN)铁电固溶体晶体被认为是具有良好应用前景的蓝光倍频晶体之一。到目前为止 ,有关相图、晶体生长和性能等方面的工作已经有了大量的研究 ,而关于KLN晶体缺陷研究少见报道。本文研究了KLN晶体的云层、裂纹、畴结构等宏观缺陷以及晶体化学组成的不均匀性。本实验所用KLN晶体是坩埚下降法生长的。尺寸为1 0mm× 2 8mm、浅黄色透明KLN晶体被切割为小圆片并抛光 ,加工好的圆片厚度为 1mm。将KLN圆片在煮沸的氢氟酸或 2HNO3∶HF混合酸中腐蚀 5～ 1 0min ,然后用清水冲洗干净。用光学显微镜观察晶体样品表面的腐蚀形貌 ,放大倍数为 1 0 0或 2 0 0。可以看到正负 ( 0 0 1 )面的腐蚀坑皆为三角锥形 ,但表面粗糙度不同 ,说明正负〈0 0 1〉方向的腐蚀速率不同。云层部分经短时间腐蚀后显示出大量蚀坑 ,同时出现不少垂直于云层的腐蚀坑 ,这可能是应力垂直于云层缺陷释放的缘故。有些腐蚀面可以观察到清晰的 1 80°柱状畴结构。KLN晶体在生长后的冷却过程中很容易开裂。大多数开裂面光滑 ,有明显的解理面特征。经X射线定向仪测定 ,这些解理面为 ( 0 0 1 )面。粗糙的开裂面多为 ( 1 1 0 )面。造成KLN晶体开裂的主要原因是该晶体显著的各向异性生长速率和c、a轴向膨胀系数的明? 展开更多
关键词 铌酸钾锂晶体 坩埚下降法生长 缺陷 畴结构
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四硼酸锂晶体圆片的加工与表征 被引量：3
12
作者 徐家跃 范世 马山豆 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第6期403-406,共4页
介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明。
关键词 四硼酸锂晶体 圆片 加工 声表面波 压电晶体
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四硼酸锂晶体的声表面波应用 被引量：2
13
作者 徐家跃 费一汀 钱国兴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第5期293-296,共4页
介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器件的研究成果。
关键词 四硼酸锂晶体 声表面波 压电器件
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四硼酸锂单晶的光学性能表征 被引量：2
14
作者 徐家跃 徐一斌 +1 位作者 范世 王文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期417-422,共6页
本工作测试了 LBO 单晶的折射率、电光系数、光吸收谱、红外光谱和喇曼光谱,详细分析了 LBO 晶体的光谱及其相应的晶格振动情况.实验表明,透明的、未掺杂的 LBO 晶体没有观察到明显的光折变效应.
关键词 电光系数 光谱 振动 四硼酸锂 单晶
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弛豫铁电晶体PZNT生长的几个关键问题 被引量：11
15
作者 徐家跃 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期378-383,共6页
新型弛豫铁电晶体 (1-x)Pb(Zn1 /3Nb2 /3)O3xPbTiO3(PZNT)是一种复合钙钛矿结构的固溶体晶体 ,具有比传统压电陶瓷PZT远为优越的压电性能 ,在医用超声成像、声纳、微位移器等方面有着广阔的应用前景。由于该晶体组成复杂 ,熔体析晶时存... 新型弛豫铁电晶体 (1-x)Pb(Zn1 /3Nb2 /3)O3xPbTiO3(PZNT)是一种复合钙钛矿结构的固溶体晶体 ,具有比传统压电陶瓷PZT远为优越的压电性能 ,在医用超声成像、声纳、微位移器等方面有着广阔的应用前景。由于该晶体组成复杂 ,熔体析晶时存在钙钛矿与焦绿石两相的竞争 ,且PbO组分对Pt坩埚和籽晶均能产生腐蚀 ,采用提拉法等传统生长工艺很难获得钙钛矿结构的实用化的PZNT晶体。目前普遍采用助熔剂来抑制焦绿石相的生成 ,并且在传统生长工艺的基础上发展了多种改进工艺。结合作者实验室近几年来在PZNT晶体生长方面的研究结果和实践经验 ,讨论了助熔剂及其配比的选择、生长技术的发展、工艺参数与晶体性能优化等关键技术问题。 展开更多
关键词 铌锌酸铅-钛酸铅 弛豫铁电体 晶体生长 助熔剂 坩埚下降法
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新型弛豫铁电单晶及其超声医学应用 被引量：11
16
作者 徐家跃 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1091-1095,共5页
新型弛豫铁电单晶是一类钙钛矿结构的固溶体材料,具有比传统压电陶瓷Pb(Zr,Ti)O_3更为优越的压电性能,在医用超声成像、声纳、微位移器等方面具有广阔的应用前景。综述了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZNT),Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3... 新型弛豫铁电单晶是一类钙钛矿结构的固溶体材料,具有比传统压电陶瓷Pb(Zr,Ti)O_3更为优越的压电性能,在医用超声成像、声纳、微位移器等方面具有广阔的应用前景。综述了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZNT),Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMNT)等新型弛豫铁电单晶在生长、性能等方面的研究进展,介绍了弛豫铁电单晶在医用超声换能器方面的应用。 展开更多
关键词 弛豫铁电体 单晶生长 压电性 超声换能器 超声医学
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四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究 被引量：2
17
作者 徐家跃 范世 华王祥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期857-861,共5页
以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30℃/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办... 以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30℃/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数k33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力. 展开更多
关键词 压电晶体 四硼酸锂 坩埚下降法 晶体生长
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弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究 被引量：2
18
作者 徐家跃 范世骥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期315-317,共3页
采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。... 采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10～15min。 展开更多
关键词 PZNT 弛豫铁电单晶 坩埚下降法 晶体生长 PbO助溶剂
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底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法 被引量：6
19
作者 徐家跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-6,共6页
为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做“底部籽晶法”的新生长方法。通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂。采用底部籽晶法,成功地生长了新... 为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做“底部籽晶法”的新生长方法。通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂。采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1 x)Pb(Zn1 /3Nb2 /3 )O3 xPbTiO3 (0≤x≤0. 2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2 xNb5+xO15+2x( 0 <x<0. 5 )。研究表明,底部籽晶法是解决高质量非一致熔融晶体生长问题的一种有效途径。 展开更多
关键词 籽晶 熔融 铌酸 溶液 新型 单晶材料 新方法 晶体生长 近化学计量比 LINBO3晶体
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单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战 被引量：7
20
作者 徐家跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期469-475,共7页
近年来,宽带隙半导体 GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi_2,超导体MgB_2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注。这些材料大多具有非常优异的性能和巨大的应用前景,但生长工业应用的体单晶非常困难。本文从晶体生长技术角... 近年来,宽带隙半导体 GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi_2,超导体MgB_2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注。这些材料大多具有非常优异的性能和巨大的应用前景,但生长工业应用的体单晶非常困难。本文从晶体生长技术角度综述了这些晶体的研究进展,结合其物理化学特性探讨了单晶生长中遇到的一些关键问题。通观这些热点单晶材料的研究现状,一方面我们可以把晶体膜的制备技术看作是传统晶体生长技术的延伸,另一方面,膜技术的发展和单晶生长中存在的问题,也是对传统生长工艺的挑战。 展开更多
关键词 单晶材料 生长技术 晶体生长 生长工艺 半导体
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