铝硅合金膜在MEMS电容式开关中的应用 被引量：3

1

作者 忻佩胜 丁玲 +2 位作者 石艳玲 朱自强 赖宗声 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期75-77,共3页

对几种可用于ＭＥＭＳ电容式开关中的弹性薄膜材料进行了分析，含硅４％的轻质量铝合金具有较佳的性能。应用该弹性膜制备了微波ＭＥＭＳ电容式开关，实验结果表明，开关具有较低的激励电压，约为２８Ｖ，在１０ＧＨｚ处的隔离度大于１... 对几种可用于ＭＥＭＳ电容式开关中的弹性薄膜材料进行了分析，含硅４％的轻质量铝合金具有较佳的性能。应用该弹性膜制备了微波ＭＥＭＳ电容式开关，实验结果表明，开关具有较低的激励电压，约为２８Ｖ，在１０ＧＨｚ处的隔离度大于１５ｄＢ。 展开更多

关键词 MEMS开关 铝硅合金膜 电容式开关 微电子

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RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究 被引量：9

2

作者 胡梅丽 赖宗声 +2 位作者 茅惠兵 忻佩胜 沈德新 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期5-7,共3页

目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不... 目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响。MEMS开关的梁结构 完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除。实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿 法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 牺牲层 固化 刻蚀 MEMS开关

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微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究 被引量：7

3

作者 茅惠兵 忻佩胜 +1 位作者 胡梅丽 赖宗声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期273-275,共3页

　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁... 　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5～5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30～50dB。 展开更多

关键词 射频开关 微机电微波 力学分析 共平面波导 悬管梁 插入损耗 隔离度 制备工艺

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用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜 被引量：5

4

作者 龙永福 朱自强 +2 位作者 赖宗声 忻佩胜 石艳玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期609-613,共5页

提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低... 提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW) 展开更多

关键词 集成电路 微波/射频 多孔硅/氧化多孔硅 介质膜 损耗

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微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究 被引量：6

5

作者 茅惠兵 忻佩胜 +1 位作者 胡梅丽 赖宗声 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期11-14,共4页

讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制... 讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。 展开更多

关键词 功能测量 微机械 微波/射频开关 悬臂梁 共平面波导 无线通信设备

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低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器 被引量：4

6

作者 石艳玲 卿健 +3 位作者 李炜 忻佩胜 朱自强 赖宗声 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1914-1916,共3页

通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果... 通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压 ,8V时即产生明显的相移量 ,在 36GHz处 15V驱动电压时相移量为 118°,2 5V时为 2 86°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明 ,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为 3× 10 6次 .为器件的实用化提供了重要保障 . 展开更多

关键词 微机械移相器 高阻硅 驱动电压 振动寿命 MEMS 共平面波导

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低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性 被引量：5

7

作者 李炜 石艳玲 +2 位作者 忻佩胜 朱自强 赖宗声 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期306-310,共5页

制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬... 制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。 展开更多

关键词 共面波导 插入损耗 聚酰亚胺 损耗特性 大规模集成电路 传输线

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高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器 被引量：3

8

作者 石艳玲 卿健 +2 位作者 忻佩胜 朱自强 赖宗声 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期972-976,共5页

级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电... 级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1～ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 . 展开更多

关键词 铝硅合金弹性膜 MEMS相移器 高阻硅 HR-Si 下拉电压

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微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究 被引量：3

9

作者 茅惠兵 忻佩胜 +1 位作者 柯菁华 赖宗声 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期262-265,共4页

本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波... 本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应 展开更多

关键词 微电子机械系统 光调制器 激励条例 响应

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电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响 被引量：3

10

作者 李炜 石艳玲 +2 位作者 忻佩胜 朱自强 赖宗声 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期514-519,共6页

详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获... 详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放 ,微桥应力约为 10 6 N/m2 ,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能。对长 1m m的 MEMS开关 ,当弹性膜厚为 0 .5μm,桥高为 3μm、桥宽为 30 μm、桥长为 2 50 μm时获得了 2 5V的驱动电压 ,S参数测试表明该电容式开关 1～ 4 0 GHz频段内的插入损耗低于 1d B。 展开更多

关键词 电容式MEMS开关 弹性膜 驱动电压 微电子机械系统 铝硅弹性膜

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微机械光调制器激励机制的理论和实验研究 被引量：5

11

作者 茅惠兵 忻佩胜 赖宗声 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期160-164,共5页

讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正... 讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波信号的测量结果显示,调制器的响应是对驱动力中各频率成分的响应,和理论分析符合得非常好。 展开更多

关键词 微电子机械系统 光调制器 固有频率

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相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制 被引量：1

12

作者 郭方敏 朱守正 +7 位作者 魏华征 郑莹 朱荣锦 忻佩胜 朱自强 赖宗声 杨根庆 陆卫 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期49-55,共7页

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布... MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。 展开更多

关键词 MEMS 毫米波相移器 相位连续可调 传输损耗 插入损耗 启动电压

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偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响 被引量：1

13

作者 龙永福 石艳玲 +4 位作者 赖宗声 朱自强 朱荣锦 忻佩胜 李炜 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期30-33,37,共5页

　理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄... 　理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄膜对介质膜最小的冲击速度和介质内的最小电场强度,从而极大地提高MEMS电容开关运行的可靠性和寿命。实验验证了上述结论。 展开更多

关键词 偏置电压 射频/微波电路 MEMS电容开关 寿命 电场强度 冲击速度

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压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜 被引量：1

14

作者 郭方敏 朱自强 +7 位作者 赖宗声 朱守正 朱荣锦 忻佩胜 范忠 贾铭 程知群 杨根庆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期631-636,共6页

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1... 介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5～ 90°/ d B。 展开更多

关键词 RF MEMS开关 移相器 下拉电压 铝硅合金

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低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现

15

作者 石艳玲 忻佩胜 +3 位作者 邵丽 游淑珍 朱自强 赖宗声 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期994-998,共5页

在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 5... 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 50Ω和 1 2 0Ω两种特性阻抗的传输线 .由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底 ,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善 .实验中 ,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了 1GHz到 40GHz频段的参数测试 ,利用多线分析技术对测试结果进行了分析 .结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低 ,30GHz处插入损耗约为 7dB/cm ,较腐蚀前降低了 1 0dB/cm . 展开更多

关键词 共平面波导 低阻硅衬底 微机械加工技术 插入损耗

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基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究

16

作者 游淑珍 石艳玲 +2 位作者 忻佩胜 朱自强 赖宗声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期203-206,共4页

　多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表... 　多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明,在20μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1～30GHz范围内为1～40dB/cm;而在70μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65%。 展开更多

关键词 多孔硅 共平面波导 传输特性 阳极氧化 插入损耗 有效介电常数

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微机械光可调式光衰减器的制备及动态测试

17

作者 茅惠兵 杨昌利 +3 位作者 忻佩胜 彭德艳 朱自强 赖宗声 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期9-12,共4页

　主要讨论了具有机械式抗反射开关(即MARS)结构的新型微机械可调式光衰减器。MARS结构可调式光衰减器由表面微机械工艺制备。当器件被正弦信号激励时,其响应信号也是正弦信号,但两者的相位相反。同时,微机械可调式光衰减器有一系列的... 　主要讨论了具有机械式抗反射开关(即MARS)结构的新型微机械可调式光衰减器。MARS结构可调式光衰减器由表面微机械工艺制备。当器件被正弦信号激励时,其响应信号也是正弦信号,但两者的相位相反。同时,微机械可调式光衰减器有一系列的固有频率。测量表明,器件反射率的上升时间为5μs,下降时间为3.3μs。如果器件由线性变化的锯齿信号驱动,当驱动信号小于23V时,器件的反射率变化也是线性的,当驱动信号大于23V时,器件的反射率响应出现非线性,信号越大,非线性越明显。 展开更多

关键词 微电子机械系统 可调式光衰减器 固有频率

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一种新型可调式微机械光衰减器 被引量：1

18

作者 杨震 李国栋 +3 位作者 彭德艳 忻佩胜 赖宗声 朱自强 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期71-75,共5页

讨论基于抗反射结构(Mechanical Anti-Reflection Structure,MARS)的硅基微机械式光衰减技术的基本原理和相关的制造方法,研制了一种工作在1320-1550nm波长范围内的静电力驱动的可调式微机械光衰减器.制各该衰减器使用常规的硅平面工艺... 讨论基于抗反射结构(Mechanical Anti-Reflection Structure,MARS)的硅基微机械式光衰减技术的基本原理和相关的制造方法,研制了一种工作在1320-1550nm波长范围内的静电力驱动的可调式微机械光衰减器.制各该衰减器使用常规的硅平面工艺,制作简单,成本较低.器件体积小,响应速度快,可适应日益增长的波分复用(wavelength division multiplex,WDM)全光网的发展. 展开更多

关键词 微光机电系统 抗反射结构 可调式光衰减器 静电力驱动

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Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响 被引量：1

19

作者 徐钰 石艳玲 +5 位作者 沈迪 胡红梅 忻佩胜 朱荣锦 刘赟 蒋菱 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-225,共5页

通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。... 通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。 展开更多

关键词 共平面波导 硅/二氧化硅系统电荷 高阻硅衬底

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Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究 被引量：1

20

作者 张蓓榕 忻佩胜 孙沩 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第1期35-40,共6页

本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁... 本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。 展开更多

关键词 电迁移 金属化 集成电路 互连

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