狭窄区域地下建筑施工技术及措施研究

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作者 惠峰 李坤 +3 位作者 彭德坤 邓小华 李大可 徐子昂 《建筑安全》 2024年第8期57-60,共4页

通过一个简化案例模型详细阐述了狭窄区域超深地下建筑结构的施工方法和技术措施,即将整个空间区域按照上、下、横、纵、前、后几个维度划分为多个区块,分区分块施工,按照工艺顺序和进度计划进行施工组织,先施工核心筒底部区域,预留反... 通过一个简化案例模型详细阐述了狭窄区域超深地下建筑结构的施工方法和技术措施,即将整个空间区域按照上、下、横、纵、前、后几个维度划分为多个区块,分区分块施工,按照工艺顺序和进度计划进行施工组织,先施工核心筒底部区域,预留反压土保证基坑和周边建筑环境稳定,核心筒施工领先,周边穿插作业跟进,中心与周边紧密配合相互穿插,实现地下建筑低碳快速施工从支护选型与施工、挖土施工以及结构施工的技术路线进行研究,并展开了详细介绍,同时对挖土作业及基坑监测也提出了相关要求。 展开更多

关键词 狭窄区域地下建筑 分区分块 穿插配合 快速施工

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VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性

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作者 韩家贤 韦华 +5 位作者 刘汉保 惠峰 雷云 何永彬 唐康中 王茺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期825-831,共7页

针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化... 针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化了坩埚的旋转和下降速度,以调节掺杂剂Fe在熔体中的分凝、固液界面形状及晶体头部与尾部的生长速度。这些措施不仅改善了晶体的固液界面形状,使其由较凹变得平缓,同时实现了晶体生长速率的合理匹配与温度梯度的精确控制,显著提升了晶体的位错密度和电学参数的均匀性。与传统VGF法相比,VB/VGF法掺Fe InP晶体的轴向电阻率差值降低了259%,径向电阻率均匀性提高了2.0%~7.1%。 展开更多

关键词 INP 晶体生长 垂直布里奇曼(VB)法 垂直梯度凝固(VGF)法 电阻率 均匀性

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2022年灌南县水稻新品种安全性测试简报

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作者 张增环 吴云 +1 位作者 贾玉书 惠峰 《上海农业科技》 2024年第1期50-52,共3页

为筛选出适合江苏省连云港市灌南县种植的高产、优质水稻新品种,特于2022年在灌南县李集镇新民村对12个水稻新品种进行安全性测试。结果表明,‘苏秀852’‘润农17’‘明粳816’可在灌南县扩大种植,‘南粳66’‘连粳20号’可在灌南县作... 为筛选出适合江苏省连云港市灌南县种植的高产、优质水稻新品种,特于2022年在灌南县李集镇新民村对12个水稻新品种进行安全性测试。结果表明,‘苏秀852’‘润农17’‘明粳816’可在灌南县扩大种植,‘南粳66’‘连粳20号’可在灌南县作为优质食味稻进行推广种植,‘淮稻40’‘宁粳12号’‘新丰5号’可在灌南县作为机插秧搭配品种进行栽培,‘苏秀8608’‘泗稻23号’‘扬粳3012’‘连粳307’不建议在灌南县扩大种植。 展开更多

关键词 水稻新品种 安全性测试 生育期 产量 灌南县

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湍流效应对支撑剂铺置规律的影响 被引量：6

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作者 惠峰 《石油化工应用》 CAS 2017年第1期36-38,88,共4页

进行水力压裂的目的就是将支撑剂铺置于已产生的裂缝中,支撑剂在裂缝内的分布规律决定了压裂后填砂裂缝的导流能力和增产效果。为了研究湍流对支撑剂铺置的影响,利用大型可视化裂缝模拟装置进行了支撑剂铺置模拟实验,同时运用Fluent模... 进行水力压裂的目的就是将支撑剂铺置于已产生的裂缝中,支撑剂在裂缝内的分布规律决定了压裂后填砂裂缝的导流能力和增产效果。为了研究湍流对支撑剂铺置的影响,利用大型可视化裂缝模拟装置进行了支撑剂铺置模拟实验,同时运用Fluent模拟软件中的欧拉两相流模型对支撑剂的铺置进行数值模拟研究。实验结果表明,随着压裂施工排量的增大,裂缝入口处形成的湍流强度越强,致使靠近裂缝入口处铺置的支撑剂越来越少,直至无支撑剂铺置,大大降低了裂缝的导流能力。其研究结果可为水力压裂施工中设计合理的施工排量提供帮助。 展开更多

关键词 湍流 支撑剂 铺置规律 模拟实验

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滑溜水压裂主裂缝内支撑剂输送规律实验及数值模拟 被引量：26

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作者 周德胜 张争 +3 位作者 惠峰 师煜涵 赵超能 周媛 《石油钻采工艺》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期499-508,共10页

滑溜水压裂时通过泵送大排量压裂液在储层中形成主裂缝为主干的裂缝网络,主裂缝内支撑剂的铺置状况直接影响油气井的产能。采用自主设计的大型可视化平板裂缝装置来研究大排量泵送时主裂缝内支撑剂的输送规律,建立了相应的数值模型模拟... 滑溜水压裂时通过泵送大排量压裂液在储层中形成主裂缝为主干的裂缝网络,主裂缝内支撑剂的铺置状况直接影响油气井的产能。采用自主设计的大型可视化平板裂缝装置来研究大排量泵送时主裂缝内支撑剂的输送规律,建立了相应的数值模型模拟了砂堤在不同时刻的铺置形态,并分析了湍流对支撑剂铺置的影响规律,为滑溜水压裂时主裂缝内支撑剂的有效铺置提供一定的理论指导。研究表明,滑溜水压裂时支撑剂在主裂缝内的铺置规律与小排量压裂时不同:支撑剂首先在主裂缝入口处形成一个较低的砂堤,而在距入口较远处形成一个较高的砂堤,之后才一层一层周期性的覆盖在两处砂堤之上,直到达到最终的平衡高度;大排量压裂时易引起湍流,将主裂缝进口端暂时沉降的支撑剂重新卷入裂缝深处,形成类似"卷云状"的沉降结构;数值模拟与物理实验模拟得到的支撑剂铺置结果相似,证明了研究的数值模型具有一定的实用性。 展开更多

关键词 滑溜水压裂 主裂缝 支撑剂输送 湍流 数值模拟

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泥页岩井钻井液滤失机理研究

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作者 惠峰 《石化技术》 CAS 2015年第11期216-,共1页

通过大量的文献调研和室内实验和现场资料的分析评价工作,认识钻井液在不同阶段的滤失渗流机理。

关键词 钻井液 滤失 渗流理论

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砷化镓晶片表面损伤层分析 被引量：6

7

作者 郑红军 卜俊鹏 +4 位作者 曹福年 白玉柯 吴让元 惠峰 何宏家 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期241-244,共4页

采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度。

关键词 砷化镓 切片 磨片 抛光片 表面损伤层 晶片

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X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度 被引量：7

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作者 曹福年 卜俊鹏 +5 位作者 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期635-638,共4页

本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种... 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论． 展开更多

关键词 SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测

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400ml献血固定队伍的建立和管理 被引量：6

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作者 肖利涛 惠峰 +1 位作者 赵英 王俊平 《中国输血杂志》 CAS CSCD 2007年第5期422-423,共2页

关键词 400ml献血固定队伍 无偿献血 固定献血者 服务

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GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析 被引量：2

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作者 郑红军 卜俊鹏 +4 位作者 何宏家 吴让元 曹福年 白玉珂 惠峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期111-115,共5页

采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶... 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。 展开更多

关键词 砷化镓 抛光 亚表面损伤层

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西安地区首次献血后再次献血人群分析 被引量：1

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作者 赵晓华 王文 惠峰 《中国输血杂志》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1060-1062,共3页

固定献血者属于低危人群,其血液安全度高;又因为具有献血经验,献血前后的注意事项也较初次献血者更了解,很少有因为身体问题而延期献血的情况发生,因此将首次献血者转变为固定献血者是血站管理者的工作目标。

关键词 返回献血者 人群分析 西安地区

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Sl-GaAs单晶的热稳定性研究

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作者 曹福年 杨锡权 +3 位作者 刘巽琅 吴让元 惠峰 何宏家 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期241-244,共4页

SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光... SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10^(15)cm^(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个～0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响. 展开更多

关键词 SI-GAAS 热稳定性 离子注入

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过渡性利率政策:银行业放松价格管制的现实选择

13

作者 李维林 鞠源 惠峰 《山东金融》 1999年第6期18-21,共4页

一、银行业放松价格管制的必然性与政策趋向长期以来，由于计划经济的影响，我国对于银行业的认识较为偏狭，加上银行业自身的特殊性、重要性以及我国金融发展滞后的状况，我国一直对其实施非常严格的政府管制制度，避免竞争，维护垄断... 一、银行业放松价格管制的必然性与政策趋向长期以来，由于计划经济的影响，我国对于银行业的认识较为偏狭，加上银行业自身的特殊性、重要性以及我国金融发展滞后的状况，我国一直对其实施非常严格的政府管制制度，避免竞争，维护垄断，力图将银行业及整个金融业牢牢地控... 展开更多

关键词 利率政策 利率市场化改革 价格管制 市场利率 银行业 商业银行 中央银行 金融体制改革 过渡性 国有企业

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江苏灌南县绿色优质农产品水稻基地建设现状与优化措施

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作者 惠峰 贾玉书 何建国 《农业工程技术》 2023年第10期107-108,共2页

水稻是灌南县的主要粮食作物之一,近几年,灌南县农产品质量监督检测中心按照县政府要求,积极开展绿色优质水稻基地的建设任务,取得了显著效果。在今后的发展中,需建立基地农业投入品管理制度、明确各部门管理职责、加强推广与宣传力度,... 水稻是灌南县的主要粮食作物之一,近几年,灌南县农产品质量监督检测中心按照县政府要求,积极开展绿色优质水稻基地的建设任务,取得了显著效果。在今后的发展中,需建立基地农业投入品管理制度、明确各部门管理职责、加强推广与宣传力度,确保基地持续良好发展。 展开更多

关键词 绿色 优质 水稻 基地建设 农资管理 灌南县

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中国证券市场:以结构创新应对入世挑战

15

作者 李维林 惠峰 《济南金融》 2002年第1期12-13,共2页

加入WTO将大大加速我国证券市场的国际化进程,使国内证券市场迎来与国际接轨的新的发展机遇。但是,由于我国证券市场所存在的一系列问题,将使其面临市场开放的严峻挑战。在证券市场全面开放前的过渡期内,通过结构创新,尽快克服市场缺陷... 加入WTO将大大加速我国证券市场的国际化进程,使国内证券市场迎来与国际接轨的新的发展机遇。但是,由于我国证券市场所存在的一系列问题,将使其面临市场开放的严峻挑战。在证券市场全面开放前的过渡期内,通过结构创新,尽快克服市场缺陷,将是我们应对入世挑战的理性选择。 展开更多

关键词 中国 证券市场 结构创新 入世

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VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 被引量：2

16

作者 于会永 赵有文 +2 位作者 占荣 高永亮 惠峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1775-1778,共4页

研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-G... 研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析. 展开更多

关键词 垂直温度梯度凝固法 GAAS 微缺陷 单晶

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高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 被引量：2

17

作者 占荣 赵有文 +2 位作者 于会永 高永亮 惠峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1770-1774,共5页

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs... 垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能. 展开更多

关键词 垂直梯度凝固法 半绝缘砷化镓 电学补偿 缺陷

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LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷 被引量：1

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作者 朱蓉辉 曾一平 +4 位作者 卜俊鹏 惠峰 郑红军 赵冀 高永亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期137-140,共4页

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验... 通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因. 展开更多

关键词 GAAS 砷沉淀 微缺陷 抛光晶片 表面缺陷 光散射

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非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质

19

作者 朱蓉辉 曾一平 +4 位作者 卜俊鹏 惠峰 郑红军 赵冀 高永亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1779-1782,共4页

通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域... 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低. 展开更多

关键词 砷化镓 LEC 砷沉淀 微缺陷 位错分布

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关于商业银行做好单位活期账户对账工作的探讨 被引量：1

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作者 赵海英 惠峰 《济南金融》 2003年第7期53-54,共2页

关键词 商业银行 单位活期账户 对账工作 会计资料 内部控制

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