一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件

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作者 吴家旭 成建兵 +2 位作者 孙旸 周成龙 姜圣杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期289-294,共6页

为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设... 为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设置在栅极与漏极之间,降低了沟槽对栅极控制的影响,保证了栅极的稳定性。对所提结构在ESD条件下的电流泄放能力进行了仿真验证,结果表明,相比于常规的GaN HEMT结构,沟槽结构GaN HEMT的泄放电流提高了32.7%,并且当沟槽与栅极距离大于0.3μm时,沟槽对阈值电压几乎没有影响。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 静电放电 高泄放电流 沟槽

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一种新型双Fin ESD防护单元研究

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作者 成建兵 周嘉诚 +2 位作者 刘立强 张效俊 孙旸 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期321-325,共5页

为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构... 为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构失效电流It2/Wlayout从21.67 mA/μm增加到28.33 mA/μm;触发电压V_(t1)从14.08 V减小到9.64 V。在ESD来临时,新结构能够实现有效的开启,泄放大电流。 展开更多

关键词 鳍式场效应晶体管 电导调制 深掺杂 静电放电

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屈服强度500MPa级耐候焊丝焊缝的强韧化机制

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作者 任学堂 肖丙政 +2 位作者 胡兵 成建兵 黄俊文 《上海金属》 CAS 2024年第2期34-39,共6页

采用ER65NH-A焊丝对Q500qENH钢进行了CO_(2)保护焊。分析了焊丝的Ni含量与焊缝的显微组织和力学性能之间的关系。结果表明:当焊丝的Ni质量分数从0.78%增加至1.65%时,焊缝抗拉强度从706 MPa提高到了732 MPa,屈服强度从579 MPa提高到了614... 采用ER65NH-A焊丝对Q500qENH钢进行了CO_(2)保护焊。分析了焊丝的Ni含量与焊缝的显微组织和力学性能之间的关系。结果表明:当焊丝的Ni质量分数从0.78%增加至1.65%时,焊缝抗拉强度从706 MPa提高到了732 MPa,屈服强度从579 MPa提高到了614 MPa,-40℃冲击吸收能量(KV2)从46 J提高到了84 J。焊缝力学性能改善的机制为:Ni含量的增加提高了奥氏体的稳定性,细化了焊缝柱状晶区和焊道热影响区组织,焊缝发生脆性断裂的倾向减小。 展开更多

关键词 耐候焊丝 Ni含量 焊缝 低温韧性 抗拉强度

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一种新型小电容ESD箝位电路

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作者 李瑛楠 成建兵 +2 位作者 张效俊 吴家旭 孙旸 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第5期827-833,共7页

为了解决RC触发机制在小电容条件下开启时间不足的问题,设计了一种新型ESD箝位电路。电路采用反馈和分流机制与电容组合的方法,将小电容与一个受反馈nMOS控制的分流nMOS并联。分流nMOS分流了电容的充电电流,从而延长了电路的开启时间。... 为了解决RC触发机制在小电容条件下开启时间不足的问题,设计了一种新型ESD箝位电路。电路采用反馈和分流机制与电容组合的方法,将小电容与一个受反馈nMOS控制的分流nMOS并联。分流nMOS分流了电容的充电电流,从而延长了电路的开启时间。仿真结果显示,新提出的电路开启时间足够长且能够快速响应ESD事件,能够实现ESD保护。此外,该电路引入可调节的最小开启电压,能够有效避免快速上电条件下的误触发现象。 展开更多

关键词 ESD 小电容 开启时间 最小开启电压 误触发

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基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究

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作者 张效俊 成建兵 +2 位作者 李瑛楠 孙旸 吴家旭 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第6期1109-1113,共5页

为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结... 为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结果表明,新结构能够泄放较高的二次击穿电流,具有可调节的触发电压。 展开更多

关键词 全耗尽绝缘体上硅 静电放电 双辅助触发 二次击穿电流

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一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT 被引量：2

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作者 成建兵 刘立强 +2 位作者 周嘉诚 吴家旭 李瑛楠 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期347-351,共5页

为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而... 为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而降低位移电流对栅极地充电,使得器件有较低的EMI噪声。仿真结果表明,在相同的开启功耗下,该结构相对于普通空穴路径的IGBT结构,能够明显降低器件的dIC/dt的最大值,抑制了器件的EMI噪声。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 浮空P区 小电流开启 电磁干扰噪声

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大国工匠精神的培养——以微电子器件设计课程教学为例 被引量：1

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作者 成建兵 于舒娟 +2 位作者 陈德媛 许杰 刘蕾蕾 《中国现代教育装备》 2022年第21期123-125,共3页

目前,我国微电子相关产业的人才缺口高达几十万。随着集成电路产业向纵深发展,对微电子相关的教育工作者提出了更多量、更高质的人才培养要求。在当前国内外形势下,培养贴合产业需要、支撑集成电路产业发展的大国工匠已成为高校微电子... 目前,我国微电子相关产业的人才缺口高达几十万。随着集成电路产业向纵深发展,对微电子相关的教育工作者提出了更多量、更高质的人才培养要求。在当前国内外形势下,培养贴合产业需要、支撑集成电路产业发展的大国工匠已成为高校微电子专业教育工作者迫在眉睫的任务。从精于工、匠于心、品于行三个方面阐述了大国工匠精神的内涵,介绍了在微电子器件设计课程教学过程中对学生进行大国工匠精神培养的措施,同时研究了学生的学习成绩与践行大国工匠精神之间参与度的关系,并对这种关系进行了剖析。 展开更多

关键词 大国工匠 工匠精神 集成电路 微电子 电子器件

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全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性

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作者 成建兵 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期344-347,共4页

提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压... 提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%. 展开更多

关键词 LDMOS 全耗尽型浮空埋层 RESURF REBULF 击穿电压

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用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST

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作者 成建兵 张波 李肇基 《中国集成电路》 2011年第12期51-54,59,共5页

提出一种用于智能功率集成电路的基于绝缘体上硅(SOI)的部分槽栅横向双扩散MOS晶体管(PTG-LDMOST)。PTG-LDMOST由传统的平面沟道变为垂直沟道,提高了器件击穿电压与导通电阻之间的折衷。垂直沟道将开态电流由器件的表面引向体内降低了... 提出一种用于智能功率集成电路的基于绝缘体上硅(SOI)的部分槽栅横向双扩散MOS晶体管(PTG-LDMOST)。PTG-LDMOST由传统的平面沟道变为垂直沟道,提高了器件击穿电压与导通电阻之间的折衷。垂直沟道将开态电流由器件的表面引向体内降低了导通电阻,而且关态的时候耗尽的JFET区参与耐压,提高单位漂移区长度击穿电压。仿真结果表明:对于相同的10微米漂移区长度,新结构的击穿电压从常规结构的111V增大到192V,增长率为73%。 展开更多

关键词 SOI PTG-LDMOST 击穿电压 导通电阻

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SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应

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作者 成建兵 《电源技术应用》 2012年第8期45-47,共3页

SJ-LDMOST是半导体功率集成技术的核心器件之一,但其击穿电压和比导通电阻之间的优化决定于衬底辅助耗尽效应的消除。这里在分析衬底辅助耗尽效应机理的基础上,将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出通过引入新构造提高... SJ-LDMOST是半导体功率集成技术的核心器件之一,但其击穿电压和比导通电阻之间的优化决定于衬底辅助耗尽效应的消除。这里在分析衬底辅助耗尽效应机理的基础上,将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出通过引入新构造提高漏极纵向击穿电压以彻底消除衬底辅助耗尽效应的途径。 展开更多

关键词 SJ—LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压

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SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应

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作者 成建兵 《电子产品世界》 2011年第12期30-31,共2页

本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径。

关键词 SJ-LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压

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600V VDMOS器件的反向恢复热失效机理 被引量：2

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作者 夏晓娟 吴逸凡 +3 位作者 祝靖 成建兵 郭宇锋 孙伟锋 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1243-1247,共5页

为了研究VDMOS器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理,详细分析了600 V VDMOS器件体二极管的工作过程,采用TCAD模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状态下的载流子密度分布及温度分布情况.模拟结果表明,VDMOS器件的体二极管在... 为了研究VDMOS器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理,详细分析了600 V VDMOS器件体二极管的工作过程,采用TCAD模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状态下的载流子密度分布及温度分布情况.模拟结果表明,VDMOS器件的体二极管在正向导通时,器件终端区同样会贮存大量的少数载流子,当体二极管从正向导通变为反向恢复状态时,贮存的少数载流子会以单股电流的形式被抽取,使得VDMOS器件中最靠近终端位置的原胞中的pbody区域温度升高,从而导致该区域寄生三极管基区电阻增大、发射结内建电势降低,最终触发寄生三极管开启,造成VDMOS器件失效.分析结果与实验结果一致. 展开更多

关键词 VDMOS 体二极管 反向恢复 热失效

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从设计角度教授“模拟集成电路分析与设计”课程 被引量：2

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作者 张翼 张瑛 +3 位作者 成建兵 吉新村 方玉明 郭宇锋 《大众科技》 2017年第8期115-117,共3页

模拟集成电路分析与设计是微电子专业学生的学位课程,对学生专业学习和专业能力培养起着重要的作用。文章根据作者的教学实践,探讨从设计角度教授该课程,区别于大多数以分析为主的教学方法,将电子设计自动化软件的使用与课堂教学相融合... 模拟集成电路分析与设计是微电子专业学生的学位课程,对学生专业学习和专业能力培养起着重要的作用。文章根据作者的教学实践,探讨从设计角度教授该课程,区别于大多数以分析为主的教学方法,将电子设计自动化软件的使用与课堂教学相融合,较好的激发了学生的学习兴趣,取得了良好的教学效果。 展开更多

关键词 模拟集成电路 设计 分析 电子设计自动化

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如何培养青年学生科学的世界观人生观和价值观 被引量：5

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作者 成建兵 《湖南省社会主义学院学报》 2005年第4期53-54,共2页

社会主义市场经济取代计划经济,改革开放、信息和技术的快速更新给政治、经济、文化领域带来了巨大的变革,必然又影响到青年学生人生价值观的形成。有学生认为有权或者有钱也就标志着拥有了一切;还有人认为这两者同等重要,两者相辅相成... 社会主义市场经济取代计划经济,改革开放、信息和技术的快速更新给政治、经济、文化领域带来了巨大的变革,必然又影响到青年学生人生价值观的形成。有学生认为有权或者有钱也就标志着拥有了一切;还有人认为这两者同等重要,两者相辅相成。只要社会主义初级阶段没有结束,主要矛盾没有得到解决,我们就要坚持党的基本路线不动摇,就要一切从实际出发,理论联系实际,立足基本国情去看问题。 展开更多

关键词 改革开放 青年学生世界观 人生观 价值观

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带洞大小为16和22的不完全典型柯克曼填充设计的存在性

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作者 成建兵 王金华 《南通大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第1期58-65,共8页

设计的嵌入问题是组合设计理论中的基本问题,带洞不完全典型柯克曼填充设计的存在性在典型柯克曼填充设计嵌入问题的研究中发挥着重要作用.设正整数u,v≡4(mod 6),ICKPD(u,v)表示带洞大小v的u阶不完全典型柯克曼填充设计.利用Bose混差... 设计的嵌入问题是组合设计理论中的基本问题,带洞不完全典型柯克曼填充设计的存在性在典型柯克曼填充设计嵌入问题的研究中发挥着重要作用.设正整数u,v≡4(mod 6),ICKPD(u,v)表示带洞大小v的u阶不完全典型柯克曼填充设计.利用Bose混差直接构作法和基于柯克曼标架的递推构作法证明了当v=16,22时,ICKPD(u,v)存在的必要条件u≥3v+4和u≡4(mod 6)也是充分的,其中(u,v)=(52,16)是唯一可能例外. 展开更多

关键词 典型柯克曼填充设计 不完全典型柯克曼填充设计 柯克曼标架 嵌入 存在性

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建立“六学”课堂 打造立体化教学——“六学”课堂下的高中数学概念课教学实践

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作者 成建兵 《数理化解题研究》 2023年第6期20-22,共3页

高中数学教学的一个重要类型就是概念教学,也是数学教学的重点与难点部分,在提高教学效果方面发挥着重要作用.学生只有准确掌握数学概念才能理解题意,找到解决问题的突破口,提高问题解决能力.所以,教师在课堂教学中需考虑学生实际学习情... 高中数学教学的一个重要类型就是概念教学,也是数学教学的重点与难点部分,在提高教学效果方面发挥着重要作用.学生只有准确掌握数学概念才能理解题意,找到解决问题的突破口,提高问题解决能力.所以,教师在课堂教学中需考虑学生实际学习情况,尊重学生身心发展客观规律,采取科学有效的教学手段.构建“六学”课堂,可以激发学生的学习兴趣,促使学生能够在寓教于乐的氛围中掌握知识、应用知识,提高数学学习能力. 展开更多

关键词 “六学”课堂 高中数学 概念课教学

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基于40nm超大规模SoC芯片存储器测试电路设计与实现 被引量：3

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作者 陈冬明 成建兵 蔡志匡 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第4期813-818,共6页

针对超大规模SoC(System on Chip)芯片中存储器的测试需求,首先分析存储器测试中存在的主要问题,包括新故障模型和新算法的需求、对电路性能的影响、以及测试成本的增加等。针对上述问题,存储器测试电路设计中,综合考虑PPA(Power Perfor... 针对超大规模SoC(System on Chip)芯片中存储器的测试需求,首先分析存储器测试中存在的主要问题,包括新故障模型和新算法的需求、对电路性能的影响、以及测试成本的增加等。针对上述问题,存储器测试电路设计中,综合考虑PPA(Power Performance Area)等多个设计因素优化测试电路,包括BIST(Build-in-Self Test)电路布局、数量、时序、存储器布图规划等。最后在一款40 nm量产SoC芯片上,应用Mentor Graphics公司LV(Logic Vision)流程实现了测试电路设计,实验结果证明本方案的可行性和有效性。 展开更多

关键词 可测性设计 存储器测试 内建自测试 故障模型 测试算法

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用“三个代表”思想改进学校思想政治工作

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作者 成建兵 《湖南税务高等专科学校学报》 2005年第4期45-46,共2页

探索新形势下改进学校思想政治工作的新方法、新途径,要结合学校和学生的实际,求真务实;要摒弃陈旧的观念和做法,与时俱进;以“三个代表”思想为指针,用“三个代表”思想武装我们的头脑,是改进学校思想政治工作的一个政治任务。

关键词 “三个代表” 思想政治工作 务实 重情 创新

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一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS 被引量：3

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作者 王玲 成建兵 +2 位作者 陈明 张才荣 邓志豪 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第5期720-725,共6页

为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS... 为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。 展开更多

关键词 VDMOS 分离栅 RC吸收器 EMI

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一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT 被引量：2

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作者 陈旭东 成建兵 +3 位作者 郭厚东 滕国兵 周骏 袁晴雯 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第2期254-257,284,共5页

提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时... 提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。 展开更多

关键词 场截止绝缘栅晶体管 击穿电压 负阻现象 折中关系

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