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冲击减振系统的概率密度函数 被引量：8
1
作者 戚作涛 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期508-511,共4页
研究了冲击减振系统受Ｇａｕｓ白噪声激励的情况，提出了新的力学模型．从随机微分方程出发，在随机到达率为常数的情况下，得到主振体位移、速度响应的二维联合概率密度函数所满足的二阶偏微分方程，并求出概率密度函数精确解．
关键词 冲击减振器 概率密度函数 高斯白噪声 减振系统
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复摆的非线性振动 被引量：2
2
作者 戚作涛 《广西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第S2期46-48,共3页
研究复摆的非线性振动 ,用椭圆函数和积分表示出振动的解及周期 。
关键词 复摆 非线性振动 椭圆函数
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非线性随机振动系统对非高斯激励的响应 被引量：1
3
作者 戚作涛 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期258-261,共4页
用推广了的等效线性化法，计算具有泊松分布的随机脉冲过程（非高斯）激励的非线性系统的随机响应．将传统的Ｉｔｏ随机微分方程中的Ｗｉｅｎｅｒ过程增量，用复合泊松过程增量代替，得到矩方程，再用线性系统的随机微分方程替代非线性... 用推广了的等效线性化法，计算具有泊松分布的随机脉冲过程（非高斯）激励的非线性系统的随机响应．将传统的Ｉｔｏ随机微分方程中的Ｗｉｅｎｅｒ过程增量，用复合泊松过程增量代替，得到矩方程，再用线性系统的随机微分方程替代非线性系统的随机微分方程，以使两系统的矩方程在四阶矩上具有最小误差，用Ｄｕｆｉｎｇ振子作算例。 展开更多
关键词 随机响应 非高斯激励 非线性振动 随机振动
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冲击减振系统转移概率密度函数的研究 被引量：1
4
作者 戚作涛 江晓仑 《四川轻化工学院学报》 1997年第1期8-13,共6页
研究单自由度系统在平稳随机激励作用下，使用冲击减振器得出自由活动物体和主振体碰撞后，自由活动物体的速度遵从一步记忆的马尔可夫过程。得到了振动系统的转移概率密度函数。
关键词 冲击减振器 转移概率密度 函数 减振器 随机振动
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冲击减振系统重复碰撞过程的概率密度函数
5
作者 戚作涛 江晓仑 《四川轻化工学院学报》 1997年第2期12-15,共4页
研究单自由度系统在随机激励作用下，使用冲击减振器得到重复碰撞过程中速度的概率密度函数，为设计和使用这种冲击减振系统提供理论基础。
关键词 冲击减振器 概率密度函数 减振器 减振系统 振动
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电子的非线性振动
6
作者 戚作涛 《四川轻化工学院学报》 1999年第3期40-42,共3页
研究电子在带电圆环中心轴线上的非线性振动。用数字计算机模拟法和谐波平衡法讨论振动的解及周期。
关键词 电子 非线性振动 振动 带电圆环轴线 电真空设计
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冲击减振系统的概率密度函数
7
作者 戚作涛 《非线性动力学学报》 1998年第2期167-171,共5页
研究冲击减振系统受Ｇａｕｓｓ白噪声激励，提出新的力学模型，从随机微分方程出发，在随机到达率是常数的情况下，得到主振体位移、速度响应的二维联合概率密度函数抽满足的二阶偏微分方程并求出概率密度函数精确解。
关键词 冲击减振器 Gauss白噪声 概率密度函数
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对称六弹性振子的二维非线性振动 被引量：3
8
作者 包兴明 袁玉全 +1 位作者 闫安英 戚作涛 《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期1-6,共6页
应用拉格朗日方程方法研究了理想对称六弹性振子做二维运动的变化规律,得到其微小振动的控制方程,用数值解法求解了振动方程,得到了振子运动的时程响应图样.结果表明:理想对称六弹性振子的振动为非简谐的周期性振动,它的振动周期在x方向... 应用拉格朗日方程方法研究了理想对称六弹性振子做二维运动的变化规律,得到其微小振动的控制方程,用数值解法求解了振动方程,得到了振子运动的时程响应图样.结果表明:理想对称六弹性振子的振动为非简谐的周期性振动,它的振动周期在x方向和y方向与振幅成反比,但受振幅影响不大.波形与振幅无关,可看成是一个变形了的余弦波. 展开更多
关键词 非线性振动 对称六弹性振子 微小振动
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对称八弹性振子的二维非线性振动
9
作者 包兴明 周志坚 +2 位作者 袁玉全 戚作涛 王时建 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第2期43-48,共6页
应用拉格朗日方程方法研究理想对称八弹性振子作二维运动的变化规律,得到其微小振动的控制方程,用数值解法求解振动方程,得到了振子运动的时程响应图样.结果表明:理想对称八弹性振子的振动为非线性振动.波形可看成是一个变形了的余弦波.
关键词 非线性振动 对称八弹性振子 微小振动
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SHML模型计算Sn等离子体的平均离化度
10
作者 闫安英 姜明 +1 位作者 戚作涛 包兴明 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期129-131,共3页
利用考虑能级分裂的屏蔽氢离子模型(SHML),计算了Sn在密度为0.001～10g.cm-3温度为100～2000eV时的平均离化度。给出了平均离化度随密度及温度的变化关系,并分析了出现"平台"的原因。
关键词 平均离化度 SHML模型 Sn等离子体
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