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空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响 被引量：10
1
作者 戴宪起 李艳慧 +1 位作者 赵建华 唐亚楠 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期369-373,共5页
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附,空位对Si在石墨... 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附,空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大;B掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,B掺杂结构相对较稳定. 展开更多
关键词 石墨烯 空位缺陷 B掺杂 吸附 SI 第一性原理
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Al含量对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中激子态的影响 被引量：17
2
作者 戴宪起 黄凤珍 郑冬梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期697-701,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子空穴被最有效约束,激子态最稳定. 展开更多
关键词 量子点 自发极化和压电极化 电子-空穴复合率 激子结合能
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空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响 被引量：4
3
作者 戴宪起 孙永灿 +1 位作者 赵建华 危书义 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期46-51,共6页
利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高... 利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。 展开更多
关键词 第一性原理 吸附 空位 掺杂 铟 硅 石墨烯
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Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究 被引量：2
4
作者 戴宪起 王宁 +1 位作者 赵宝 赵旭 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2014年第6期26-31,共6页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分布,影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系中,B比N对吸附原子的影响大;除Se在B掺杂石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁性.缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作用,对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影响. 展开更多
关键词 石墨烯 拓扑绝缘体 吸附 掺杂 BI SE TE
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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响 被引量：2
5
作者 戴宪起 郑冬梅 黄凤珍 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期38-42,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移. 展开更多
关键词 类氢杂质 量子点 自发极化和压电极化 激子结合能 发光波长
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氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究 被引量：2
6
作者 戴宪起 王建利 闫慧娟 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期50-53,共4页
利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2... 利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主. 展开更多
关键词 吸附 第一性原理 INN 形成能
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Tl在Si(111)面吸附特性理论研究 被引量：1
7
作者 戴宪起 赵建华 +2 位作者 孙永灿 危书义 卫国红 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期186-186,共1页
关键词 第一性原理 铊 硅(111) 吸附 电荷密度
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氮化铟(0001)面氧吸附研究 被引量：3
8
作者 戴宪起 吴新华 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期185-185,共1页
关键词 吸附 氧 INN 第一原理 吸附能
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应变GaN量子点中激子态的研究(英文) 被引量：2
9
作者 戴宪起 黄凤珍 史俊杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期130-135,共6页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质。理论计算的光跃迁能和实验结果一致。 展开更多
关键词 GaN量子点 激子结合能 自发极化和压电极化
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总能计算6H-SiC(0001)(3×3)表面结构特性(英文) 被引量：2
10
作者 戴宪起 毕小群 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第3期34-38,共5页
本文用第一原理性的密度泛函理论 ,对 6 H- Si C(0 0 0 1 ) (3× 3)表面再构的原子结构进行了研究 .总能计算表明 ,再构层中的 Si原子存在扭转现象 ,扭转角度为 5 .4°;无扭转的驰豫模型是一个能量的亚稳结构 ,它的形成能比扭... 本文用第一原理性的密度泛函理论 ,对 6 H- Si C(0 0 0 1 ) (3× 3)表面再构的原子结构进行了研究 .总能计算表明 ,再构层中的 Si原子存在扭转现象 ,扭转角度为 5 .4°;无扭转的驰豫模型是一个能量的亚稳结构 ,它的形成能比扭转模型的高0 .7e 展开更多
关键词 碳化硅 SIC 半导体 表面结构 第一原理性 密度泛函理论 原子结构 总能计算 驰豫模型
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Si(001)表面In量子线的第一原理研究 被引量：1
11
作者 戴宪起 琚伟伟 +1 位作者 吴新华 李同伟 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期673-678,共6页
利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排... 利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用. 展开更多
关键词 量子线 铟 硅 第一原理
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Si低指数面氢吸附稳定性第一性原理研究 被引量：1
12
作者 戴宪起 陈冬 刘亚明 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期51-54,共4页
利用局域密度近似第一性原理方法,研究了氢在Si低指数面(100)、(110)、(111)上的吸附结构.用两种不同的势(US-PP和PAW)对Si晶格常数优化,计算表明两种势对Si晶格常数的影响较小(仅为0.002 nm).US-PP势总能计算表明:对于Si体系,清洁Si表... 利用局域密度近似第一性原理方法,研究了氢在Si低指数面(100)、(110)、(111)上的吸附结构.用两种不同的势(US-PP和PAW)对Si晶格常数优化,计算表明两种势对Si晶格常数的影响较小(仅为0.002 nm).US-PP势总能计算表明:对于Si体系,清洁Si表面的(111)面最稳定;随氢环境的改变(氢化学势的不同),表面稳定结构也随着变化,与实验结果相一致. 展开更多
关键词 第一性原理 再构 氢吸附 表面形成能
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非极性SiC/GaN界面结构特性 被引量：1
13
作者 戴宪起 毕小群 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第1期121-121,共1页
关键词 非极性面 赝势 第一原理 碳化硅 氮化钙 界面结构 密度泛函理论 光电子材料
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S钝化InN(001)面第一性原理研究
14
作者 戴宪起 韦俊红 田勋康 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期154-154,共1页
关键词 钝化 氧 硫 INN 第一原理 吸附能
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立方相CdS能带LMTO计算
15
作者 戴宪起 赵振华 宋风忠 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1998年第2期26-29,共4页
本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中，Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑，自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度，得出与实验一致的价带特征．能带结构计算... 本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中，Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑，自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度，得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致． 展开更多
关键词 闪锌矿结构 能带 LMTO 立方相 硫化镉
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Cu对O在ZnO(0001)面上吸附影响的第一原理研究
16
作者 戴宪起 闫慧娟 王建利 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期211-211,共1页
关键词 CU ZNO 第一原理 吸附能
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H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究
17
作者 戴宪起 张涛 +3 位作者 王勉 关大任 张瑞勤 蔡政亭 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第2期22-26,共5页
本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。
关键词 DV-X_α方法 Cluster模型
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H、O、CO、NO在Ni、Pt(111)面上吸附结构研究
18
作者 戴宪起 危书义 张涛 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期257-259,共3页
利用紧束缚模型和单电子理论研究了Ｈ、Ｏ、ＣＯ和ＮＯ在Ｎｉ（１１１）和Ｐｔ（１１１）面上的吸附特性及吸附层结构，结果表明：在Ｎｉ、Ｐｔ面上吸附质间的间接相互作用能随着吸附质间的距离呈振荡性衰减趋势，在不同覆盖度下具有不... 利用紧束缚模型和单电子理论研究了Ｈ、Ｏ、ＣＯ和ＮＯ在Ｎｉ（１１１）和Ｐｔ（１１１）面上的吸附特性及吸附层结构，结果表明：在Ｎｉ、Ｐｔ面上吸附质间的间接相互作用能随着吸附质间的距离呈振荡性衰减趋势，在不同覆盖度下具有不同的吸附结构，其结果与实验结果相一致。 展开更多
关键词 间接相互作用 吸附结构 覆盖度
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