锑化铟单晶材料研究进展

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作者 折伟林 赵超 +1 位作者 董涛 王成刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期235-241,共7页

锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文... 锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文提出了InSb材料未来发展趋势。 展开更多

关键词 锑化铟 红外探测 研究进展 发展趋势

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锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究

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作者 赵超 董涛 +3 位作者 折伟林 彭志强 贺利军 张孟川 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期72-77,共6页

锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究... 锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为V In型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。 展开更多

关键词 锑化铟 红外探测器 正电子湮灭谱 空位缺陷 晶体生长拉速 导电类型

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高纯铟杂质元素的ICP-MS测试方法研究

3

作者 牛佳佳 刘朋超 +3 位作者 王文燕 李乾 赵超 折伟林 《红外》 CAS 2024年第3期23-28,共6页

红外材料锑化铟的原材料之一是高纯度铟,其杂质元素的种类和含量直接影响了探测器的性能。因此建立准确高效的痕量元素定量测试方法尤为重要。通过严格控制温度保证酸解过程的可实现性,使用标准加入法建立标准曲线并对样品进行测试。经... 红外材料锑化铟的原材料之一是高纯度铟,其杂质元素的种类和含量直接影响了探测器的性能。因此建立准确高效的痕量元素定量测试方法尤为重要。通过严格控制温度保证酸解过程的可实现性,使用标准加入法建立标准曲线并对样品进行测试。经过响应率对比,该项测试选取的基底样品为单标溶液In10000,标准曲线的线性相关系数均接近于0.999。排除线性差异的影响,对多批次的测试结果进行分析并验证其准确性。同时采用内标法验证In10000溶液内的多种杂质元素含量。结果表明,基底样品具有极低的杂质含量。通过配置已知标准浓度的溶液对该测试方法的准确性和可重复性进行多次验证。测试结果表明,该项测试方法准确有效,可应用于高纯(大于6N) In的杂质含量测试。 展开更多

关键词 ICP-MS 高纯In 痕量元素 标准加入法

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分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究

4

作者 高达 李震 +4 位作者 贺融 王丹 邢伟荣 王丛 折伟林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1384-1387,共4页

报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激... 报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料。 展开更多

关键词 分子束外延 碲镉汞 HgTe/CdTe超晶格

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CdZnTe衬底的退火改性技术研究

5

作者 范叶霞 周振奇 +4 位作者 刘江高 李振兴 侯晓敏 折伟林 王丛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期79-83,共5页

针对高性能碲镉汞红外探测器对碲锌镉(CdZnTe)衬底质量需求的不断提升,采用高温-真空退火方式,对碲锌镉衬底进行退火改性研究。结果发现:碲锌镉衬底的红外透过率得到明显地改善,在红外波段(2.5~25μm)均达到60%以上;晶片中的第二相夹杂... 针对高性能碲镉汞红外探测器对碲锌镉(CdZnTe)衬底质量需求的不断提升,采用高温-真空退火方式,对碲锌镉衬底进行退火改性研究。结果发现:碲锌镉衬底的红外透过率得到明显地改善,在红外波段(2.5~25μm)均达到60%以上;晶片中的第二相夹杂得到极大地改善,可实现无大于1μm的第二相夹杂,即可实现红外显微镜下夹杂不可见;Zn组分分布均匀性得到极大地改善,通过退火分压的调节,可实现衬底中Zn组分可调和Zn值的组分均匀分布,其中Zn组分可控制在0.044~0.051范围内,成分标准偏差可控制在0.001以下,衬底的组分可控和均匀分布为大面阵碲镉汞红外探测器的质量提升奠定了坚实的材料基础。 展开更多

关键词 碲锌镉(CdZnTe) 退火技术 性能改进 第二相夹杂 Zn组分

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InSb晶片的显微拉曼研究

6

作者 柏伟 金研 +2 位作者 李乾 董涛 折伟林 《红外》 CAS 2023年第1期11-16,共6页

对热处理前后的InSb晶片进行了显微拉曼面扫描测试,开发了一种新的InSb晶片应力面分布表征方式。热处理前后InSb晶片的横向光学(Transverse Optical,TO)声子散射峰分别位于179.3 cm^(-1)和178.5 cm^(-1);纵向光学(Longitudinal Optical,... 对热处理前后的InSb晶片进行了显微拉曼面扫描测试,开发了一种新的InSb晶片应力面分布表征方式。热处理前后InSb晶片的横向光学(Transverse Optical,TO)声子散射峰分别位于179.3 cm^(-1)和178.5 cm^(-1);纵向光学(Longitudinal Optical,LO)声子散射峰分别位于188.8 cm^(-1)和188.7 cm^(-1);特征峰的半峰宽分别为5.8 cm^(-1)和5.0 cm^(-1)。X射线双晶衍射曲线半峰宽值分别为12.10~20.04 arcsec和7.61~7.74 arcsec。用经热处理后的晶片制得的器件在80℃烘烤20天后,盲元增加量较小,整体数量较少。这表明热处理释放了晶片的残余应力,对后期抑制器件新增盲元存在有利影响,为新一代超高性能、超大面阵红外探测器的制备奠定了材料基础。 展开更多

关键词 锑化铟 显微拉曼 热处理 应力 晶体质量

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高质量5 in InSb单晶生长 被引量：1

7

作者 董涛 赵超 +3 位作者 彭志强 折伟林 贺利军 李振兴 《红外》 CAS 2023年第10期10-14,共5页

锑化铟(InSb)焦平面探测器是中波红外探测领域应用广泛的一种探测器。作为制备探测器的基础,InSb晶体材料的质量和性能显得尤为重要。近年来InSb晶体材料在向高质量大尺寸方向发展。通过多举措坩埚设计和温场条件设计,采用直拉法生长了... 锑化铟(InSb)焦平面探测器是中波红外探测领域应用广泛的一种探测器。作为制备探测器的基础,InSb晶体材料的质量和性能显得尤为重要。近年来InSb晶体材料在向高质量大尺寸方向发展。通过多举措坩埚设计和温场条件设计,采用直拉法生长了直径大于135 mm的InSb单晶。测试结果表明,5 in晶片的位错腐蚀坑密度小于50 cm-2,双晶衍射峰的半峰宽为8.32 arcsec,晶体具有相当好的完整性。通过优化生长工艺参数,晶体生长过程中具有较为平坦的固液界面,表现出良好的径向电学均匀性。这为制备低成本和超大规模InSb红外探测器阵列奠定了基础。 展开更多

关键词 锑化铟 单晶 位错密度 电学均匀性

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退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究

8

作者 邢晓帅 折伟林 +5 位作者 杨海燕 郝斐 胡易林 牛佳佳 王鑫 赵东生 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期566-569,共4页

实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降... 实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。 展开更多

关键词 碲镉汞 热处理 位错密度 电学性能 载流子迁移率

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分子束外延In掺杂硅基碲镉汞研究

9

作者 王丹 李震 +3 位作者 高达 邢伟荣 王鑫 折伟林 《红外》 CAS 2023年第3期14-19,共6页

利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统生长了In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料。通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片。二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)测... 利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统生长了In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料。通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片。二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)测试结果表明,In掺杂浓度在1×1015~ 2×1016 cm-3之间。表征了不同In掺杂浓度对MCT外延层位错的影响。发现位错腐蚀坑形态以三角形为主(沿<111>方向排列),且位错密度与未掺杂样品基本相当。对不同In掺杂浓度的材料进行汞饱和低温处理后,样品的电学性能均有所改善。结果表明,In掺杂能够提高材料的均匀性,从而获得较高的电子迁移率。 展开更多

关键词 分子束外延 碲镉汞 In掺杂

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CdSeTe分子束外延技术研究

10

作者 何温 王丛 +4 位作者 高达 邢伟荣 柏伟 杨海燕 折伟林 《红外》 CAS 2023年第3期8-13,共6页

对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括... 对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。 展开更多

关键词 CdSexTe1-x 分子束外延 组分调整

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锑化铟晶片高温加速贮存性能变化研究

11

作者 吴玮 董晨 +5 位作者 赵超 董涛 折伟林 黄婷 彭志强 李乾 《红外》 CAS 2023年第8期13-19,共7页

锑化铟晶片在存放以及使用过程中的性能稳定性是影响制备的探测器性能的重要因素之一。为了探究锑化铟晶片在长时间放置情况下的性能变化情况,对锑化铟晶片进行高温加速贮存试验,并在试验过程中对晶片几何参数、表面粗糙度、电学参数、... 锑化铟晶片在存放以及使用过程中的性能稳定性是影响制备的探测器性能的重要因素之一。为了探究锑化铟晶片在长时间放置情况下的性能变化情况,对锑化铟晶片进行高温加速贮存试验,并在试验过程中对晶片几何参数、表面粗糙度、电学参数、位错缺陷等几个重要性能参数进行跟踪检测。结果表明,在高温加速试验条件下,除晶片外形发生轻微变化以外,其他性能基本不发生变化,晶片能够长期保存。 展开更多

关键词 锑化铟 红外探测器 高温加速贮存试验 几何参数 位错缺陷

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液相外延碲镉汞贯穿型缺陷研究

12

作者 胡易林 杨海燕 +4 位作者 折伟林 王丛 邢晓帅 李乾 牛佳佳 《红外》 CAS 2023年第4期14-19,共6页

液相外延碲镉汞材料的贯穿型缺陷会在后续器件制备中导致多个盲元的形成。采用共聚焦显微镜对该类缺陷的深度进行了表征,并对缺陷底部的成分进行了测试。使用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)将缺陷挖开后对其进行观察。对于贯穿型缺... 液相外延碲镉汞材料的贯穿型缺陷会在后续器件制备中导致多个盲元的形成。采用共聚焦显微镜对该类缺陷的深度进行了表征,并对缺陷底部的成分进行了测试。使用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)将缺陷挖开后对其进行观察。对于贯穿型缺陷较多的碲锌镉衬底外延生长碲镉汞薄膜,统计后发现碲镉汞表面的贯穿型缺陷与衬底缺陷存在一定的对应关系,因此推测液相外延贯穿型缺陷起源于碲锌镉衬底缺陷。 展开更多

关键词 液相外延 碲镉汞 碲锌镉 缺陷

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大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术

13

作者 李振兴 柏伟 +3 位作者 王琰璋 刘江高 张瑛侠 折伟林 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期244-251,共8页

碲锌镉(CdZnTe)晶体性能优越,是高性能碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜的首选衬底材料。双面抛光是一种加工质量较高的碲锌镉晶片表面抛光方式,其具有效率高、平整度好、晶片应力堆积少的优点。但当碲锌镉晶片尺寸增大后,其加工难度也随之上升,... 碲锌镉(CdZnTe)晶体性能优越,是高性能碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜的首选衬底材料。双面抛光是一种加工质量较高的碲锌镉晶片表面抛光方式,其具有效率高、平整度好、晶片应力堆积少的优点。但当碲锌镉晶片尺寸增大后,其加工难度也随之上升,易出现碎片多、加工速率慢、表面平整度差等问题。本文开展了大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术研究,深入分析了面积大于50 cm^(2)的非规则碲锌镉晶片双面抛光工艺中,不同参数对抛光质量的影响,通过模拟并优化晶片运动轨迹,优化抛光液磨粒粒型、抛光压力、抛光液流量等抛光工艺参数,实现了具有较高抛光速率和较好表面质量的大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光加工,对进一步深入研究双面抛光技术有着重要意义。 展开更多

关键词 碲锌镉 双面抛光 抛光效率 表面平整度 粗糙度 宽禁带半导体

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Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究 被引量：3

14

作者 折伟林 田璐 +3 位作者 晋舜国 许秀娟 沈宝玉 王文燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1351-1354,共4页

在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计... 在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。 展开更多

关键词 碲镉汞/碲化镉/硅 傅里叶变换红外光谱仪 扫描电子显微镜 分子束外延 液相外延

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长波碲镉汞薄膜外延用碲锌镉衬底筛选方法研究 被引量：3

15

作者 折伟林 周立庆 +5 位作者 刘铭 李乾 申晨 晋舜国 李达 师景霞 《红外》 CAS 2019年第4期12-17,共6页

主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲... 主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲镉汞薄膜的X射线形貌像和X射线衍射半峰宽进行测试评估,发现目前X射线形貌像和锌组分是影响LPE长波碲镉汞薄膜用碲锌镉衬底的重要参数。结果表明,锌组分处于4.2%~4.8%之间、形貌像衍射强度高且均匀性好是长波碲镉汞薄膜外延用衬底的理想选择。 展开更多

关键词 碲镉汞 碲锌镉 缺陷 半峰宽 位错密度

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碲锌镉晶体定向研究 被引量：1

16

作者 折伟林 李乾 +1 位作者 刘江高 李达 《红外》 CAS 2022年第1期1-5,共5页

碲锌镉材料是制备高性能碲镉汞红外焦平面探测器不可或缺的衬底材料。液相外延工艺和分子束外延工艺分别需要使用(111)晶面和(211)晶面碲锌镉衬底制备碲镉汞薄膜材料。低偏角、高精度衬底的选取有利于高质量碲镉汞外延层的获得。介绍了... 碲锌镉材料是制备高性能碲镉汞红外焦平面探测器不可或缺的衬底材料。液相外延工艺和分子束外延工艺分别需要使用(111)晶面和(211)晶面碲锌镉衬底制备碲镉汞薄膜材料。低偏角、高精度衬底的选取有利于高质量碲镉汞外延层的获得。介绍了孪晶线快速定向法、使用X射线衍射仪(X-Ray Diffractometer,XRD)定向法确定碲锌镉晶体(111)晶面以及用XRD由(111)晶面获得(211)晶面碲锌镉的方法。研究结果对高性能碲镉汞探测器研制具有重要意义。 展开更多

关键词 红外焦平面探测器 碲锌镉 定向

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碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

17

作者 折伟林 申晨 +3 位作者 李乾 刘铭 李达 师景霞 《红外》 CAS 2021年第6期1-6,共6页

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数。分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对HgCdTe薄膜的少子寿命进行... 碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数。分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对HgCdTe薄膜的少子寿命进行了研究。结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势。通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性。对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近。 展开更多

关键词 碲镉汞 少子寿命 微波光电导衰减法 微波探测光电导法

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3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究 被引量：20

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作者 周立庆 刘铭 +3 位作者 巩锋 董瑞清 折伟林 常米 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期537-541,共5页

报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化... 报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。 展开更多

关键词 碲化镉 硅基 分子束外延

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InSb薄膜分子束外延技术研究 被引量：9

19

作者 刘铭 程鹏 +4 位作者 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1256-1259,共4页

InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双... InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。 展开更多

关键词 InSb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128

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InSb晶片材料性能表征与机理分析 被引量：6

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作者 巩锋 程鹏 +2 位作者 吴卿 折伟林 陈元瑞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1146-1148,共3页

对2 in InSb(111)晶片材料位错密度、X光形貌、X射线双晶衍射半峰宽和电学参数进行了整片均匀性测试表征。结果表明材料整体性能极佳,并结合InSb晶体生长原理对晶片材料位错密度、掺杂浓度区域性分布进行了深层机理分析。

关键词 InSb晶片材料 性能表征 区域分布 机理分析

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