期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
1
作者 邵国键 赵玉峰 +4 位作者 王金 周书同 陈韬 景少红 钟世昌 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期277-280,286,共5页
研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值... 研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的^(60)Co-γ抗辐照能力。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 辐照效应 总剂量辐照 辐照退化 肖特基势垒 阈值电压 跨导
原文传递
P波段超大功率50V GaN HEMT 被引量：3
2
作者 陈韬 刘柱 +6 位作者 王琪 顾黎明 景少红 杨兴 李忠辉 彭大青 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期439-441,共3页
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。G... 报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,采用0.5μm栅长工艺制作。器件工作电压为50V,在P波段峰值输出功率1 500 W,漏极效率72%。 展开更多
关键词 氮化镓 微波功率管 场板
下载PDF
L波段1.1 kW GaN射频功率放大器设计 被引量：4
3
作者 景少红 钟世昌 +1 位作者 饶翰 曹建强 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第5期324-328,共5页
基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2~1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引测试结果进行匹配电路设计,采用双胞55 mm GaN管芯实现大功率输出。功率放大器内部采用预匹配网络设计,... 基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2~1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引测试结果进行匹配电路设计,采用双胞55 mm GaN管芯实现大功率输出。功率放大器内部采用预匹配网络设计,外部匹配网络采用多级高低阻抗微带线结构。该功率放大器在1.2~1.4 GHz频带内,漏电压60 V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到1.1 kW,功率增益大于15.5 dB,功率附加效率大于70%。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 SIC衬底 负载牵引 L波段 高功率 高效率
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部