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GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究
1
作者
朱峻岩
张优
+4 位作者
王鹏
黄伟
张卫
邱一武
周昕杰
《电子与封装》
2024年第1期61-67,共7页
创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分...
创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分别为500 mV/60 ns,1210 mV/60 ns。上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法。
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关键词
GaN辐照效应
GaN
LDO
抗辐照加固
p型栅GaN器件
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职称材料
题名
GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究
1
作者
朱峻岩
张优
王鹏
黄伟
张卫
邱一武
周昕杰
机构
复旦大学微电子学院
中科芯集成电路有限公司
出处
《电子与封装》
2024年第1期61-67,共7页
基金
国家自然科学基金(6202780115)。
文摘
创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分别为500 mV/60 ns,1210 mV/60 ns。上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法。
关键词
GaN辐照效应
GaN
LDO
抗辐照加固
p型栅GaN器件
Keywords
GaN irradiation effect
GaN LDO
radiation hardening
p-gate GaN device
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究
朱峻岩
张优
王鹏
黄伟
张卫
邱一武
周昕杰
《电子与封装》
2024
0
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