靶材为铟锡氧化物(In_2O_3:SnO_2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的 ITO 薄膜。质量流量计调节 Ar 气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO 薄膜光学性能的影响。结果表...靶材为铟锡氧化物(In_2O_3:SnO_2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的 ITO 薄膜。质量流量计调节 Ar 气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO 薄膜光学性能的影响。结果表明:溅射 Ar 气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm 时,薄膜的折射率最低 n=1.97,较接近增透膜的光学匹配。薄膜厚度为241.5nm 时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10^(-4)Ω·cm。展开更多
文摘靶材为铟锡氧化物(In_2O_3:SnO_2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的 ITO 薄膜。质量流量计调节 Ar 气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO 薄膜光学性能的影响。结果表明:溅射 Ar 气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm 时,薄膜的折射率最低 n=1.97,较接近增透膜的光学匹配。薄膜厚度为241.5nm 时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10^(-4)Ω·cm。
