热化学气相沉积法在硅纳米丝上合成碳纳米管(英文) 被引量：6

1

作者 李世鸿 张永平 李丽英 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期401-407,共7页

利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势。使... 利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势。使用拉曼光谱(Raman)、电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量扩散分光仪(EDS)分析了碳纳米管的结构性质,并在高真空下施加电场测得碳纳米管的场发射特性。结果表明:随硅纳米丝上负载催化剂镍膜厚度的变化,所合成碳纳米管的表面特性、结晶结构及功函数改变,导致电子发射难易程度的改变,进一步影响碳纳米管的场发射特性。 展开更多

关键词 热化学气相沉积 硅纳米丝 碳纳米管 场发射

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中温固化的金导电胶的研究 被引量：7

2

作者 李世鸿 郎彩 +1 位作者 杜红云 张樱 《中国胶粘剂》 CAS 1998年第5期1-3,共3页

一种金导电胶，由改性的酚类树脂（NF）、片状金粉与球状金粉的混合粉末、少量锑粉和醇类为主的溶剂组成，固化温度范围150－300℃，体积电阻率5×10(-4)Ω．cm，存放或可达半年以上，该导电胶可应用在二、三极管及组合电路中。

关键词 金导电胶 半导体 粘接 中温固化 胶粘剂 导电胶

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适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料 被引量：4

3

作者 李世鸿 郎彩 +1 位作者 杜红云 张樱 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第2期13-16,共4页

研究了一种适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料，性能达到使用要求。在金浆中添加了少量合金元素，并选用混合型粘结剂。对金导体铝丝焊后热老化失效机理以及添加合金元素的作用。

关键词 金导体浆料 铝丝键合 热老化 空隙

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3G移动通信中的安全改进 被引量：19

4

作者 李世鸿 李方伟 《重庆邮电学院学报（自然科学版）》 2002年第4期24-27,32,共5页

移动通信技术的发展 ,对系统的安全性能提出更高的要求。 2 G的安全技术已经不再满足人们对安全的需要 ,在对比 2 G与 3 G的安全技术的基础上 ,具体分析了 3 G系统在用户身份保密 ,用户认证与密钥协商以及数据完整性方面的改进 ,能与 2 ... 移动通信技术的发展 ,对系统的安全性能提出更高的要求。 2 G的安全技术已经不再满足人们对安全的需要 ,在对比 2 G与 3 G的安全技术的基础上 ,具体分析了 3 G系统在用户身份保密 ,用户认证与密钥协商以及数据完整性方面的改进 ,能与 2 G兼容 ,并保留了 2 展开更多

关键词 移动通信 3G 加密 用户认证 数据完整性

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铬酸及硝酸混合液处理以增强碳纳米管场发射(英文) 被引量：3

5

作者 李世鸿 张永平 李丽英 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1411-1416,共6页

为了修饰碳纳米管(CNTs)的表面型态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性,使用铬酸及硝酸的混合溶液对碳纳米管进行后处理.采用SEM、TEM、Raman和EDS测试手段对样品的形貌、表面成份组成和微观结构特征进行了表征.... 为了修饰碳纳米管(CNTs)的表面型态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性,使用铬酸及硝酸的混合溶液对碳纳米管进行后处理.采用SEM、TEM、Raman和EDS测试手段对样品的形貌、表面成份组成和微观结构特征进行了表征.场发射(FE)的数据显示,经过铬酸及硝酸的混合溶液处理20min的碳纳米管场发射电流比未经任何处理的碳纳米管场发射电流明显增加一个数量级以上,场发射电流增强的主要原因为样品上的碳纳米管的表面型态的改变,造成碳纳米管场发射增强因子β的增大.与单独使用硝酸溶液后处理比较,使用铬酸及硝酸的混合溶液对碳纳米管进行后处理可以得到较高的场发射电流及较低的起始电场.铬酸及硝酸的混合溶液处理方法能经济且有效增强碳纳米管的场发射特性. 展开更多

关键词 铬酸 硝酸 碳纳米管 场发射

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Ni催化剂在N_2O/N_2/NH_3中退火对碳纳米管表面结构及场发射特性的影响(英文) 被引量：2

6

作者 李世鸿 张永平 李丽英 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期302-308,共7页

研究在N2O/N2/NH3氛围中对Ni催化剂进行退火处理,旨在探讨退火处理对所生成碳纳米管的表面结构及其发射特性的影响。从表面结构及表面元素分析结果发现:Ni催化剂在N2O/N2/NH3氛围中退火处理之后,Ni催化剂的颗粒大小及催化剂的化学成分... 研究在N2O/N2/NH3氛围中对Ni催化剂进行退火处理,旨在探讨退火处理对所生成碳纳米管的表面结构及其发射特性的影响。从表面结构及表面元素分析结果发现:Ni催化剂在N2O/N2/NH3氛围中退火处理之后,Ni催化剂的颗粒大小及催化剂的化学成分发生改变,进而影响所合成的碳纳米管的表面结构及场发射特性。扫描电镜显示:经过N2O退火前处理后,催化金属薄膜在成核时较易形成均匀性的金属颗粒,且金属颗粒较小。比较经N2O/N2/NH3氛围退火处理之后所合成的碳纳米管结果,经过N2O前处理可以有效抑制非晶质碳的成长,使所成长出的碳纳米管数量最多、场发射电流最大。原因主要是因为N2O对催化剂镍膜金属前处理过程中分解出的氮原子及氧原子会活化及氧化催化剂Ni金属,并使所形成的Ni金属颗粒较小且更为均匀,造成表面型态上的显著改变,有助于使合成的碳纳米管场发射电流变大。 展开更多

关键词 退火 碳纳米管 场发射

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厚膜金导体浆料 被引量：16

7

作者 李世鸿 《贵金属》 CAS CSCD 2001年第1期57-62,共6页

概括介绍了厚膜金导体浆料。通过改变金粉、粘结剂和有机载体等主要组份的类型和含量 ,可以制得多种金浆料。①粘结剂类型对厚膜金导体的性能有较大的影响。根据附着机理分类 ,厚膜金导体分为 4种主要类型 ,即玻璃结合型、反应结合型、... 概括介绍了厚膜金导体浆料。通过改变金粉、粘结剂和有机载体等主要组份的类型和含量 ,可以制得多种金浆料。①粘结剂类型对厚膜金导体的性能有较大的影响。根据附着机理分类 ,厚膜金导体分为 4种主要类型 ,即玻璃结合型、反应结合型、混合结合型和表面活化结合型。②金粉颗粒的均匀性、单分散性、表面形态及尺寸对浆料的印刷性能和烧结性能影响大。颗粒表面越光滑 ,对提高印刷性能越有利。光滑的表面吸附有机载体较少 ,可减少导体膜在烘干—烧结时的收缩率。③有机载体的含量和流变学性能影响金浆料的印刷性能及烘干—烧结时的收缩率。④金浆中添加起合金化作用的元素 ,可提高导体在铝丝键合体系及Pb -In焊接体系的热老化性能。⑤为适应新的厚膜工艺技术的需要 ,研制可光刻的厚膜金导体浆料和金的金属有机浆料 [AuMOC] 展开更多

关键词 金 浆料 厚膜导体 粘结剂 金粉 有机载体

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一种用于扩散连接的金浆料 被引量：1

8

作者 李世鸿 杜红云 +4 位作者 李向群 韦群燕 魏丽红 马锦云 郎彩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期16-17,19,共3页

研制了一种用于扩散连接的金浆料。这种浆料主要由金粉和有机载体组成。浆料的烧成特性和粘度对扩散连接强度影响较大。金粉的分散性、表面形态和颗粒尺寸会影响浆料的烧成特性和粘度。载体会影响浆料的粘度。

关键词 金浆料 扩散连接 金粉 有机载体

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铬酸溶液后处理增强碳纳米管的场发射特性(英文) 被引量：2

9

作者 李世鸿 张永平 李丽英 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期104-110,共7页

采用铬酸溶液对碳纳米管进行后处理,旨在修饰碳纳米管的表面形态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性。铬酸溶液后处理与传统以硝酸后处理的方法不同之处在于,铬酸溶液可以更有效率地与非晶质碳及碳纳米管发生化... 采用铬酸溶液对碳纳米管进行后处理,旨在修饰碳纳米管的表面形态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性。铬酸溶液后处理与传统以硝酸后处理的方法不同之处在于,铬酸溶液可以更有效率地与非晶质碳及碳纳米管发生化学反应。可以预期碳纳米管经过铬酸溶液处理后,碳纳米管的表面形态、化学组成及场发射特性会产生很大的变化。场发射的数据显示,经铬酸溶液处理20min的碳纳米管场发射电流比未经过铬酸溶液处理的场发射电流有明显的增加。然而,长时间的铬酸溶液处理也会降低碳纳米管场发射特性。经铬酸溶液处理20min的碳纳米管场发射电流增强原因主要为适度的铬酸溶液处理可以改变碳纳米管的表面形态,使碳管的表面密度增大、场发射功函数降低。但过长时间的铬酸溶液后处理,又会造成碳纳米管数目减少及表面结构受到损害,导致碳纳米管场发射特性变差。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射

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含有大量有机物的钯银废料的回收 被引量：2

10

作者 李世鸿 易联寿 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 1999年第1期23-24,共2页

物料经蒸发、燃烧和焙烧除去有机物，用硝酸浸出钯和银，一次浸出残渣经再焙烧后，用水合肼还原处理，再次用硝酸浸出．用盐酸沉淀出AgCl，使银与钯分离，AgCl精制后，用水合肼还原成海绵银。含钯溶液赶酸后，用氨络合－HCl酸化法精制... 物料经蒸发、燃烧和焙烧除去有机物，用硝酸浸出钯和银，一次浸出残渣经再焙烧后，用水合肼还原处理，再次用硝酸浸出．用盐酸沉淀出AgCl，使银与钯分离，AgCl精制后，用水合肼还原成海绵银。含钯溶液赶酸后，用氨络合－HCl酸化法精制，水合肼还原成海绵钯．钯和银纯度都达％95％以上。 展开更多

关键词 钯 银 废料再生 有机物 钯银废料

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从含有机物的金废料中提取纯金的研究 被引量：3

11

作者 李世鸿 《黄金》 CAS 北大核心 1998年第5期42-43,共2页

物料经蒸发、燃烧和焙烧除去有机物。焙渣用硝酸浸出可溶性杂质，金富集在渣中。用王水溶解金。金溶液用Ｈ２ＳＯ４和ＮａＯＨ进行纯化处理，用亚硫酸钠沉淀金。金粉洗至无Ｃｌ－反应后，加稀硝酸煮沸３０～６０ｍｉｎ，得到纯度９９．... 物料经蒸发、燃烧和焙烧除去有机物。焙渣用硝酸浸出可溶性杂质，金富集在渣中。用王水溶解金。金溶液用Ｈ２ＳＯ４和ＮａＯＨ进行纯化处理，用亚硫酸钠沉淀金。金粉洗至无Ｃｌ－反应后，加稀硝酸煮沸３０～６０ｍｉｎ，得到纯度９９．９５％以上的海绵金。 展开更多

关键词 废物利用 电子工业 金回收 有机物

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从厚膜工艺产生的废料中回收金铂钯 被引量：3

12

作者 李世鸿 张樱 +1 位作者 杜红云 郎彩 《中国物资再生》 1996年第9期13-15,共3页

厚膜工艺过程中的金基废料（废浆料、棉球、电路元件）分别进行蒸发、燃烧和破碎，然后集中焙烧．焙渣用盐酸洗除可溶性杂质．用王水浸出金、铂、钯．用Ｎａ２ＳＯ３优先沉淀金．用锌粉共沉铂和钯．铂、钯混粉用硝酸分离钯。王水浸出后... 厚膜工艺过程中的金基废料（废浆料、棉球、电路元件）分别进行蒸发、燃烧和破碎，然后集中焙烧．焙渣用盐酸洗除可溶性杂质．用王水浸出金、铂、钯．用Ｎａ２ＳＯ３优先沉淀金．用锌粉共沉铂和钯．铂、钯混粉用硝酸分离钯。王水浸出后的残渣经湿法还原ＰｄＯ后．再用王水提取残余的钯。金、铂、钯分离提纯后．再用于生产浆料。本工艺运用于含银少的金基废料的回收。 展开更多

关键词 金 铂 钯 回收 厚膜工艺

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半导体芯片粘接用耐热型金导电胶 被引量：1

13

作者 李世鸿 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第S2期301-305,共5页

一种用于半导体装配的金导电胶，由耐热性的NF树脂、片状金粉与细的球状金粉的混合粉末、少量的锑粉和醇类为主的溶剂组成，应用于中小功率晶体管．封装后经175℃×3500h高低温100次循环冲击试验，全部合格。对化学法制备片状金粉... 一种用于半导体装配的金导电胶，由耐热性的NF树脂、片状金粉与细的球状金粉的混合粉末、少量的锑粉和醇类为主的溶剂组成，应用于中小功率晶体管．封装后经175℃×3500h高低温100次循环冲击试验，全部合格。对化学法制备片状金粉的反应机理及金导电胶导电性的影响因素进行了讨论。 展开更多

关键词 金导电胶 金粉 耐热树脂 半导体装配

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厚膜金导体的可靠性试验 被引量：1

14

作者 李世鸿 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第4期44-45,共2页

介绍了厚膜金导体可靠性试验方面的一些研究结果。对金的电化学迁移以及厚膜金导体的热试验进行了分析 ,并讨论了在工艺过程中应注意的一些问题。

关键词 厚膜导体 可靠性 稳定性 试验

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金导电胶 被引量：1

15

作者 李世鸿 《中国胶粘剂》 CAS 1998年第6期33-35,共3页

金导电胶是适应电子元器件向小型化和高可靠性发展的需要的新材料。本文介绍金导电胶的基本组成、导电机理、可靠性等方面的研究。

关键词 金粉 电器 导电胶粘剂 胶粘剂 金导电胶

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两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)

16

作者 李世鸿 叶忠信 +2 位作者 张永平 汪岛军 黄柏仁 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页

以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。 展开更多

关键词 多晶金刚石薄膜 微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长 偏压增强成核(BEN)

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经济数字化转型下的互联网消费金融发展研究 被引量：1

17

作者 熊忆 王昕楠 +1 位作者 李世鸿 周贤能 《中国商论》 2023年第11期67-70,共4页

中国经济自2012年以来持续保持中高速增长,并逐渐达到较为稳定的发展状态,以传统的投资、进出口等手段为主要上升成分的经济结构转变为消费占比日益增长的经济结构。随着互联网时代的到来,互联网大众消费网站淘宝、天猫、京东、唯品会... 中国经济自2012年以来持续保持中高速增长,并逐渐达到较为稳定的发展状态,以传统的投资、进出口等手段为主要上升成分的经济结构转变为消费占比日益增长的经济结构。随着互联网时代的到来,互联网大众消费网站淘宝、天猫、京东、唯品会等迅速在消费市场中占领一席之地。2020年新冠疫情爆发后,互联网消费市场进一步扩大,成为社会共识,广大学者对此也进行了相关研究。本文根据对互联网消费各方面大量的收集调查,整理了中国互联网消费金融的特征、产业链、运作模式,剖析其中存在的风险及目前发展面临的问题,并提出互联网消费的未来发展策略,以供参考。 展开更多

关键词 互联网消费金融 互联网消费者 消费金融发展 消费金融特点 消费市场

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从厚膜工艺产生的废料中回收银工艺的研究 被引量：1

18

作者 李世鸿 易联寿 《中国物资再生》 1997年第12期10-11,共2页

厚膜工艺过程产生的废料分为三类：废旧浆料、含银棉球及废旧电路元件。通过焙烧除去有机物，用机械方法分解破碎尺寸大的电路元件。焙烧渣用硝酸溶解银，用盐酸沉出AgCl。AgCl经洗涤后用氨水溶解，过滤后用水合肼还原出海绵银，银的纯... 厚膜工艺过程产生的废料分为三类：废旧浆料、含银棉球及废旧电路元件。通过焙烧除去有机物，用机械方法分解破碎尺寸大的电路元件。焙烧渣用硝酸溶解银，用盐酸沉出AgCl。AgCl经洗涤后用氨水溶解，过滤后用水合肼还原出海绵银，银的纯度99．95％以上。 展开更多

关键词 银 提纯 厚膜工艺 金属回收 电子工业

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固体钽电解电容器用耐浸焊性银浆的研究

19

作者 李世鸿 曾德钧 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1993年第3期38-41,共4页

研究的银浆选用片状银粉作导电填料,其松装密度1.20～1.70g/cm^3,平均粒度<5μm,在电镜视场下显半透明状。选用改性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂,再加适当的交联改性剂及偶联剂等。银浆固化温度130～150℃;体积电阻率ρ_v≤1.0×1... 研究的银浆选用片状银粉作导电填料,其松装密度1.20～1.70g/cm^3,平均粒度<5μm,在电镜视场下显半透明状。选用改性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂,再加适当的交联改性剂及偶联剂等。银浆固化温度130～150℃;体积电阻率ρ_v≤1.0×10 ~4Ω·cm;在205～210℃的2Ag 36Pb 62Sn焊料中5～7s,浸焊性良好;抗剪切力>186N/cm^2。能满足引进生产线150℃固化,197～205℃、5s浸焊的要求。电容器损耗tgδ值小,如CA42型16V-22μF规格,被Ag后tgδ为1.98%,而工序标准只要求tgδ≤3.4%。代替进口银浆,已应用于生产中。 展开更多

关键词 银浆料 导电材料 钽电解电容器

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添加纳米银粉对导电胶体积电阻率的影响 被引量：19

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作者 樊明娜 李世鸿 +1 位作者 刘继松 黄富春 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期10-13,共4页

将3种银粉,即:片状银粉、片状银粉加入5%纳米银粉的混合粉、片状银粉加入10%纳米银粉的混合粉,加入双酚F环氧树脂中配制导电胶。通过在玻璃基片上印刷导电胶条,固化后测量其长、宽、厚和电阻,利用公式ρ=Rs/l计算体积电阻率。结果表明,... 将3种银粉,即:片状银粉、片状银粉加入5%纳米银粉的混合粉、片状银粉加入10%纳米银粉的混合粉,加入双酚F环氧树脂中配制导电胶。通过在玻璃基片上印刷导电胶条,固化后测量其长、宽、厚和电阻,利用公式ρ=Rs/l计算体积电阻率。结果表明,当纳米银粉添加量为5%时,体积电阻率出现明显下降,混合银粉含量为75%时的体积电阻率能达到1.6×10-4?·cm。在接近"穿流阈值"时,加入纳米银粉可以增大颗粒间的接触面积,形成更多的导电通路,能降低导电胶的体积电阻率。 展开更多

关键词 复合材料 导电胶 体积电阻率 片状银粉 纳米银粉

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