卤化铅钙钛矿具有高光吸收系数、长载流子扩散长度和高荧光量子效率等优异光电特性,成为当下光电探测器(PDs)研究领域的热点。但卤化铅钙钛矿的高生物毒性和低环境稳定性制约了该类器件的发展和应用,因此寻找低毒稳定的材料尤为重要。...卤化铅钙钛矿具有高光吸收系数、长载流子扩散长度和高荧光量子效率等优异光电特性,成为当下光电探测器(PDs)研究领域的热点。但卤化铅钙钛矿的高生物毒性和低环境稳定性制约了该类器件的发展和应用,因此寻找低毒稳定的材料尤为重要。到目前为止,Sn、Ge、Sb、Bi等材料都已得到研究,其中铋基钙钛矿因其稳定、无毒和宽带隙等特性成为候选材料之一。影响PDs性能的因素很多,其中抑制暗电流是提升器件性能的重要手段之一。本文通过溶液旋涂无机化合物CuSCN取代传统PEDOT∶PSS作为空穴传输层(HTL),制备了结构为ITO/CuSCN/Cs_(3)Bi_(2)I_(6)Br_(3)/Zn O/Ag的p-i-n型光电探测器。CuSCN最低未占分子轨道(LUMO)能级为-1.5 e V,与ITO电子注入势垒高达3.3 e V,远高于PEDOT∶PSS与ITO的电子注入势垒(1.8 e V),反向偏压下工作更能有效阻挡电子从ITO电极的注入,因此降低了探测器的暗电流。器件在自供电条件425 nm单色光照射下光电流达6.87×10^(-6)A,暗电流低至3.52×10^(-11)A,开关比超过10~5,相比于基于PEDOT∶PSS空穴传输层的探测器提升了2个数量级。此外,该探测器的上升和下降时间都小于0.12 s,均优于基于PEDOT∶PSS空穴传输层的探测器,这可归因于CuSCN比PEDOT∶PSS具有更高的载流子传输迁移率。结果表明,ITO/CuSCN/Cs_(3)Bi_(2)I_(6)Br_(3)/Zn O/Ag结构的光电探测器具有自供电、高开关比、稳定、无毒等优点,为实现商业化提供了一种可行策略。展开更多
采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相...采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相界位置在x=0.32附近.1 240℃烧结的0.02PZN-0.50PNN-0.48PZ32T陶瓷展现了良好的压电性能,压电常数d33为715 p C/N,机电耦合系数kp为0.541,剩余极化强度Pr为25.5μC/cm2,矫顽场强Ec为5.6 k V/cm.新的压电材料适合高性能压电器件应用,且简单的制备方法给生产带来极大便利.展开更多
文摘以廉价的仲钼酸铵和硫化铵为原料合成出硫代钼酸铵[(NH_4)_2Mo S_4]前驱体,通过调控前驱体浓度,采用水热法实现二硫化钼(MoS_2)纳米颗粒、纳米片和纳米花的可控自组装制备,分析其自组装生长机理.研究MoS_2不同纳米结构对电催化产氢性能的影响,发现纳米片结构的MoS_2具有较高的催化活性,析氢过电位仅为310 m V,塔菲尔斜率为32.7m V/dec,并且随着纳米片层数增加,球形纳米花结构的MoS_2催化活性降低,但其催化稳定性较好.
文摘卤化铅钙钛矿具有高光吸收系数、长载流子扩散长度和高荧光量子效率等优异光电特性,成为当下光电探测器(PDs)研究领域的热点。但卤化铅钙钛矿的高生物毒性和低环境稳定性制约了该类器件的发展和应用,因此寻找低毒稳定的材料尤为重要。到目前为止,Sn、Ge、Sb、Bi等材料都已得到研究,其中铋基钙钛矿因其稳定、无毒和宽带隙等特性成为候选材料之一。影响PDs性能的因素很多,其中抑制暗电流是提升器件性能的重要手段之一。本文通过溶液旋涂无机化合物CuSCN取代传统PEDOT∶PSS作为空穴传输层(HTL),制备了结构为ITO/CuSCN/Cs_(3)Bi_(2)I_(6)Br_(3)/Zn O/Ag的p-i-n型光电探测器。CuSCN最低未占分子轨道(LUMO)能级为-1.5 e V,与ITO电子注入势垒高达3.3 e V,远高于PEDOT∶PSS与ITO的电子注入势垒(1.8 e V),反向偏压下工作更能有效阻挡电子从ITO电极的注入,因此降低了探测器的暗电流。器件在自供电条件425 nm单色光照射下光电流达6.87×10^(-6)A,暗电流低至3.52×10^(-11)A,开关比超过10~5,相比于基于PEDOT∶PSS空穴传输层的探测器提升了2个数量级。此外,该探测器的上升和下降时间都小于0.12 s,均优于基于PEDOT∶PSS空穴传输层的探测器,这可归因于CuSCN比PEDOT∶PSS具有更高的载流子传输迁移率。结果表明,ITO/CuSCN/Cs_(3)Bi_(2)I_(6)Br_(3)/Zn O/Ag结构的光电探测器具有自供电、高开关比、稳定、无毒等优点,为实现商业化提供了一种可行策略。
文摘采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相界位置在x=0.32附近.1 240℃烧结的0.02PZN-0.50PNN-0.48PZ32T陶瓷展现了良好的压电性能,压电常数d33为715 p C/N,机电耦合系数kp为0.541,剩余极化强度Pr为25.5μC/cm2,矫顽场强Ec为5.6 k V/cm.新的压电材料适合高性能压电器件应用,且简单的制备方法给生产带来极大便利.
