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碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
1
作者 张序清 刘晓双 +6 位作者 张玺 朱如忠 高煜 吴琛 王蓉 杨德仁 皮孝东 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期9-13,共5页
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分... 碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差。 展开更多
关键词 碳化硅 晶片加工 表面质量 各向异性
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半导体碳化硅衬底的湿法氧化
2
作者 鲁雪松 王万堂 +2 位作者 王蓉 杨德仁 皮孝东 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期181-193,共13页
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了... 半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如KMnO_(4)、H_(2)O_(2)、K_(2)S_(2)O_(8)等。在此基础上,进一步总结了常用的氧化增效方法,如光催化辅助氧化、电化学氧化、芬顿反应等,并从理论计算的角度分析了单晶4H-SiC湿法氧化的机理,最后展望了4H-SiC湿法氧化未来的研究方向。 展开更多
关键词 碳化硅 半导体 加工 湿法氧化 化学机械抛光 材料去除率
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铝铒共掺氧化锌薄膜中氧含量对铒离子发光的影响
3
作者 王源 杨德仁 李东升 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期173-178,共6页
研究在不同氧气含量条件下通过磁控溅射沉积的铝铒共掺氧化锌薄膜及电致发光器件的光电性能。实验发现氧气含量的提高有利于增强Er^(3+)离子的光学活性并降低薄膜中电子陷阱的浓度。另外,由于沉积过程中溅射出的粒子与氧气碰撞导致能量... 研究在不同氧气含量条件下通过磁控溅射沉积的铝铒共掺氧化锌薄膜及电致发光器件的光电性能。实验发现氧气含量的提高有利于增强Er^(3+)离子的光学活性并降低薄膜中电子陷阱的浓度。另外,由于沉积过程中溅射出的粒子与氧气碰撞导致能量损失,高氧气含量会引起薄膜结晶性下降。在电致发光中,由于氧填充了作为施主的氧空位,强烈依赖于多子浓度的npn异质结器件在纯氩条件下才能获得最强的电致发光。 展开更多
关键词 铝铒共掺氧化锌 溅射气氛 电致发光 氧空位
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电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响
4
作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SiC MOS 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱
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基于硅/二维层状材料异质结的红外光电探测器研究进展
5
作者 贺亦菲 杨德仁 皮孝东 《材料导报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期1-9,共9页
红外光是一种频率介于微波和可见光范围之间的电磁波,在光通信、人工智能、医用治疗、军事探测和航空航天等领域具有广泛的应用。硅的带隙为1.12 eV,导致硅基光电探测器的截止波长短(约1.1 mm)。近年来,研究发现了新型二维层状材料,它... 红外光是一种频率介于微波和可见光范围之间的电磁波,在光通信、人工智能、医用治疗、军事探测和航空航天等领域具有广泛的应用。硅的带隙为1.12 eV,导致硅基光电探测器的截止波长短(约1.1 mm)。近年来,研究发现了新型二维层状材料,它们具有带隙可调、载流子迁移率高、光谱响应宽、暗电流低、稳定性高以及制备工艺与互补金属氧化物半导体(Complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等诸多优点,引起了研究人员的广泛关注。通过将硅与二维层状材料结合,能够有效地将硅基光电探测器的探测波段向波长超过1.1 mm的红外光波段拓展。本文着重介绍了近年来可探测波长超过传统硅光电探测器的基于硅/二维层状材料异质结的光电探测器在近红外和中红外光波段的研究进展并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 硅 二维层状材料 异质结 红外光电探测器
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数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展 被引量：2
6
作者 隋占仁 徐凌波 +4 位作者 崔灿 王蓉 杨德仁 皮孝东 韩学峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1067-1085,共19页
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体... 宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 顶部籽晶溶液生长法 数值模拟 有限元 晶体生长 机器学习
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线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用 被引量：1
7
作者 张俊然 朱如忠 +6 位作者 张玺 张序清 高煜 陆赟豪 皮孝东 杨德仁 王蓉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期365-379,共15页
作为制备半导体晶圆的重要工序,线锯切片对半导体晶圆的质量具有至关重要的影响。本文以发展最成熟的硅材料为例,介绍了线锯切片技术的基本理论,特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理,并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料... 作为制备半导体晶圆的重要工序,线锯切片对半导体晶圆的质量具有至关重要的影响。本文以发展最成熟的硅材料为例,介绍了线锯切片技术的基本理论,特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理,并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料的影响。在此基础上,综述了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工中的应用和技术进展,并分析了线锯切片技术对碳化硅晶体表面质量和损伤层的影响。最后,本文指出了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工领域面临的挑战与未来的发展方向。 展开更多
关键词 线锯切片 硬脆材料 单晶碳化硅 晶圆加工 砂浆线切割 金刚线切割
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磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究 被引量：1
8
作者 张玺 朱如忠 +5 位作者 张序清 王明华 高煜 王蓉 杨德仁 皮孝东 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期48-55,共8页
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情... 研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面:水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。 展开更多
关键词 4H碳化硅 研磨 金刚石磨料 分散介质 材料去除速率 面型参数
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碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展
9
作者 李国峰 陈泓谕 +5 位作者 杭伟 韩学峰 袁巨龙 皮孝东 杨德仁 王蓉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1907-1921,共15页
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC... 表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC衬底加工过程中引入的表面/亚表面损伤均严重影响材料性能、同质外延薄膜性质,以及器件性能和可靠性。本文将重点介绍4H-SiC晶片在切片、减薄、研磨、抛光等各个加工环节中表面/亚表面损伤的形成和去除机制,基于4H-SiC晶圆表面/亚表面损伤的检测方法,综述亚表面损伤的形貌和表征参量,并简单介绍三种常见的亚表面损伤的消除方法,分析其技术优势和发展瓶颈,对去除亚表面损伤工艺的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 半导体 4H-SIC 衬底晶圆 表面/亚表面损伤 晶圆加工
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氧化铝增强的PdSe_(2)/Si异质结光电探测器
10
作者 贺亦菲 杨德仁 皮孝东 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期190-199,共10页
为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al_(2)O_(3))隧穿层,制备了PdSe_(2)/Al_(2)O_(3)/Si异质结光电探测器.通过优化Al_(2)O_(3)层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和-... 为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al_(2)O_(3))隧穿层,制备了PdSe_(2)/Al_(2)O_(3)/Si异质结光电探测器.通过优化Al_(2)O_(3)层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和-2 V偏压下,所制备的光电探测器与未生长Al_(2)O_(3)的器件相比,暗电流降低了约3个数量级,器件的光响应度达到了约为0.31 A/W,对应的比探测率约为2.5×10^(12)Jones,器件在零偏压下表现出明显的自驱动效应.经过循环测试1 200次后,器件保持良好的光响应.器件响应的上升时间和下降时间分别为7.1和15.6μs.结果表明,在二维层状半导体材料与Si之间引入Al_(2)O_(3)隧穿层,可以有效地降低器件的暗电流,有利于高性能的Si基光电探测器的制备. 展开更多
关键词 硅 二硒化钯 异质结 原子层沉积(ALD) 快速光响应 隧穿光电探测器
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4H(6H)-SiC表面重构的STM/STS研究
11
作者 卢慧 王昊霖 +1 位作者 杨德仁 皮孝东 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期191-201,共11页
半导体碳化硅由于具有宽的带隙,高的导热系数以及大的电子迁移率等优点,使其成为一种在高温、高频、大功率电子器件中具有应用前景的材料。碳化硅器件的性能受表面和界面质量的影响。在高温条件下退火碳化硅表面的重构,形貌也会发生变化... 半导体碳化硅由于具有宽的带隙,高的导热系数以及大的电子迁移率等优点,使其成为一种在高温、高频、大功率电子器件中具有应用前景的材料。碳化硅器件的性能受表面和界面质量的影响。在高温条件下退火碳化硅表面的重构,形貌也会发生变化,导致与金属或其他材料接触的表面结构不同。因此,碳化硅器件会受到表面重构和形貌的影响。扫描隧道显微镜/扫描隧道谱(STM/STS)是一种可以在实空间获得表面重构的形貌信息以及电子结构非常有用的工具。这篇综述介绍了用STM/STS分析了4H(6H)-SiC的各种表面重构及其电子结构,旨在促进表面科学和碳化硅生长以及器件的发展和进步。 展开更多
关键词 碳化硅 4H(6H) 表面重构 扫描隧道显微镜/扫描隧道谱
原文传递
铒掺杂氮氧化硅薄膜中不同敏化中心对铒离子光致和电致发光的影响
12
作者 范宇轩 杨德仁 李东升 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期527-531,共5页
研究了磁控溅射法制备的经不同温度热处理的掺铒氮氧化硅薄膜的光致发光和电致发光特性。实验发现光致发光中,提高热处理温度会促使硅纳米团簇的形成,它们的存在对薄膜中Er^(3+)离子的发光起到了敏化作用。在电致发光中,硅纳米团簇无法... 研究了磁控溅射法制备的经不同温度热处理的掺铒氮氧化硅薄膜的光致发光和电致发光特性。实验发现光致发光中,提高热处理温度会促使硅纳米团簇的形成,它们的存在对薄膜中Er^(3+)离子的发光起到了敏化作用。在电致发光中,硅纳米团簇无法成为载流子的捕获中心,敏化剂变为硅悬挂键,注入的电子和空穴可以在硅悬挂键引入的相关陷阱能级处复合,复合后的能量传递给铒离子后使其产生发光。 展开更多
关键词 掺铒氮氧化硅 硅纳米团簇 硅悬挂键 能量传递
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全固态柔性硅-空气电池的制备和性能
13
作者 阮雅丽 杨德仁 +2 位作者 汪雷 贺海晏 寿春晖 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期1-5,共5页
硅-空气电池因其优异的比能量(8470 Wh/kg)成为金属-空气电池领域的研究热点。当前研究多使用EMI·2.3HF·F室温离子液体或碱性溶液作电解质,但存在氟化物污染环境和碱液泄露的现象。并且液态电解质也会带来携带不便、封装成本... 硅-空气电池因其优异的比能量(8470 Wh/kg)成为金属-空气电池领域的研究热点。当前研究多使用EMI·2.3HF·F室温离子液体或碱性溶液作电解质,但存在氟化物污染环境和碱液泄露的现象。并且液态电解质也会带来携带不便、封装成本高等问题。因此,本研究以木浆-纤维素纳米纤维负载硅粉作为阳极材料,KOH/PVA聚合物作为固态电解质的全固态柔性硅-空气电池,制备了该类型电池的原型器件,通过表征纤维素纳米纤维负载硅粉薄膜和测试器件恒流放电曲线,发现木浆-纤维素纳米纤维负载硅粉所形成的薄膜颗粒分布均匀、负载量大、具备良好的柔性特征;电池器件实现了0.4 V电压约120 min的持续放电。该电池成本低廉、工艺简单,具有可观的发展前景。 展开更多
关键词 硅-空气电池 碱性聚合物 全固态柔性
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硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能 被引量：9
14
作者 杨德仁 牛俊杰 +6 位作者 张辉 王俊 杨青 余京 马向阳 沙健 阙端麟 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期31-40,共10页
硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维... 硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能 . 展开更多
关键词 硅基 纳米线 半导体 光电子材料
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WebService核心协议与实施研究 被引量：21
15
作者 杨德仁 薛梅 顾君忠 《计算机系统应用》 2005年第1期33-36,共4页
本文首先介绍了Web Services、中间件和SOA。着重分析了Web Services的主要协议WSDL和SOAP,及其典型实施Axis, 最后指出了Web Services的新规范WS-Addressing及其带来的挑战。
关键词 WSDL SOAP 协议 中间件 SCA VVS 实施研究 新规范 挑战 分析
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中间件技术比较研究 被引量：11
16
作者 杨德仁 栾静 顾君忠 《计算机系统应用》 2005年第3期27-30,共4页
本文归纳了中间件的定义,描述了中间件的分类方法和体系结构,比较了中间件的典型实现机制,论述了服务的共享机制和新型中间件,总结了中间件与系统性能的关系,最后展望了中间件的发展趋势及面临的挑战。
关键词 中间件技术 系统性能 体系结构 共享机制 实现机制 描述 归纳 服务 发展趋势 挑战
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乳腺癌患者的DNA倍体、S期细胞比率、激素受体和淋巴结转移的检测 被引量：3
17
作者 杨德仁 周振英 +3 位作者 张军妮 朱月清 宋心龙 张彤 《中国癌症杂志》 CAS CSCD 1996年第3期189-191,共3页
目的探讨ＤＮＡ倍体、Ｓ期细胞比率（ＳＰＦ）、激素受体和淋巴结转移与肿瘤恶性程度和患者预后的关系。方法用流式细胞术和免疫组织化学技术同步检测１２８例女性乳腺癌患者的ＤＮＡ倍体、Ｓ期细胞比率、雌激素受体（ＥＲ）和淋巴结转... 目的探讨ＤＮＡ倍体、Ｓ期细胞比率（ＳＰＦ）、激素受体和淋巴结转移与肿瘤恶性程度和患者预后的关系。方法用流式细胞术和免疫组织化学技术同步检测１２８例女性乳腺癌患者的ＤＮＡ倍体、Ｓ期细胞比率、雌激素受体（ＥＲ）和淋巴结转移（ＬＮＭ）等４项指标。结果ＥＲ（—）患者的异倍体率、ＳＰＦ和ＬＮＭ（＋）率均显著高于ＥＲ（＋）患者（分别为９３．３％、３０．７±７．２％、８０．０％和６４．０％、１５．２±６．２％、５２．０％，Ｐ＜０．０５或Ｐ＜０．０１）。异倍体患者ＳＰＦ、ＥＲ（－）率也显著高于二倍体患者（分别为２３．１％±１０．１％、３１．０％和１３．４％±５．３％、８．７％，Ｐ＜０．０５或Ｐ＜０．０１）。根据患者对４项指标反应程度不同，将患者分为预后好坏程度不同的５级，“１”级各项指标均为预后较好指标，而“５”级各项指标均为预后不好指标。这样从“１”级到“５”级患者肿瘤恶性度越来越高，预后越来越差，其５年生存率分别为１００％、８７．２％、６８．７％、３５．７％和２３．１％。结论ＤＮＡ倍体、细胞增殖特性、激素受体表达和淋巴结转移是反映肿瘤恶性程度和判断预后的重要参数。 展开更多
关键词 乳腺肿瘤 流式细胞计量术 免疫组织化学 DNA 雌激素 受体 淋巴转移
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非小细胞肺癌手术前后血清肿瘤标志物的监测意义 被引量：8
18
作者 杨德仁 夏伟 马蓉 《中国肿瘤外科杂志》 CAS 2014年第1期25-27,共3页
目的探讨在非小细胞肺癌(non-small cell lung cancer,NSCLC)患者手术前后检测血清肿瘤标志物CA125,CEA和NSE的临床意义。方法对50例不同病理类型NSCLC患者(病例组)术前及术后7天、1个月、3个月进行血清肿瘤标志物CA125、CEA和NSE的测定... 目的探讨在非小细胞肺癌(non-small cell lung cancer,NSCLC)患者手术前后检测血清肿瘤标志物CA125,CEA和NSE的临床意义。方法对50例不同病理类型NSCLC患者(病例组)术前及术后7天、1个月、3个月进行血清肿瘤标志物CA125、CEA和NSE的测定,并与30例健康人群(对照组)做对照分析。结果肺腺癌患者术前CEA的阳性率明显高于鳞癌患者术前(P<0.05),而CA125和NSE则差异不明显(P>0.05)。病例组术前血清肿瘤标志物CA125,CEA,NSE测定值均明显高于健康对照组(P<0.05)。病例组术后7天、1个月、3个月血清肿瘤标志物CA125、CEA、NSE测定值均低于术前水平且呈下降趋势。结论监测术后血清肿瘤标志物CA125、CEA、NSE对于判断肺癌手术效果以及及时掌握病情变化非常重要。 展开更多
关键词 非小细胞肺癌 血清肿瘤标志物 CA125 CEA NSE
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微氮硅单晶中氧沉滨 被引量：5
19
作者 杨德仁 姚鸿年 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期422-428,共7页
实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉... 实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用． 展开更多
关键词 硅单晶 氮 氧 沉淀 缺陷
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高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质 被引量：4
20
作者 杨德仁 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期71-75,共5页
利用低温红外光谱技术（８Ｋ），研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温１３００℃退火时的性质，实验指出，在此高温退火时，硅单晶中的原生氮－氧复合体被逐渐分解，氮杂质以很高的扩散速率。
关键词 高温退火 硅 单晶硅 氧 氮 杂质 退火
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