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肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 刘雨林 +1 位作者 唐春萍 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期325-332,共8页
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.... 绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.当新型IGBT处于导通状态,栅极施加正向偏压,由于肖特基势垒二极管极低的正向导通压降,使得栅半导体层的电压几乎等于栅极电压,从而能够在漂移区中积累大量的多数载流子电子.除了现有的电子外,这些积累的电子增大了漂移区的电导率,从而显著降低了正向导通压降.因此,打破了传统IGBT正向导通压降受漂移区掺杂浓度的限制.轻掺杂的漂移区可以使新型IGBT具有较高的击穿电压,同时减小了关断过程中器件内部耗尽层电容,因此整体米勒电容减小,提升了关断速度,减小了关断时间和关断损耗.分析结果表明,600 V级别的击穿电压时,新型IGBT的正向导通压降,关断损耗和关断时间相比常规IGBT分别降低了46.2%,52.5%,30%,打破了IGBT中正向导通压降和关断损耗之间的矛盾.此外,新型IGBT具有更高的抗闩锁能力和更大的正偏安全工作区.新型结构的提出满足了未来IGBT器件性能的发展要求,对于功率半导体器件领域具有重大指导意义. 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 积累模式 正向导通压降 关断损耗
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硅基三维集成射频无源器件及电路研究进展
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作者 朱樟明 尹湘坤 +1 位作者 刘晓贤 杨银堂 《微电子学与计算机》 2023年第1期11-17,共7页
射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于... 射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于硅通孔的三维集成技术可以实现硅基电路的多层堆叠,在实现高密度、高性能、微型化的射频系统方面具有巨大发展潜力和广阔应用前景.本文介绍了基于硅基三维集成技术实现的射频无源器件及电路的研究进展,主要包括无源电容、电感、天线、滤波器、功分器、耦合器、巴伦.最后,对各类射频无源器件及功能电路模块的发展现状和趋势进行了总结和展望. 展开更多
关键词 三维集成电路 射频 无源器件 无源电路 硅通孔
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Discrete multi-step phase hologram for high frequency acoustic modulation
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作者 周梦晴 李照希 +6 位作者 李怡 王业成 张娟 谌东东 全熠 杨银堂 费春龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期488-495,共8页
Acoustic holograms can recover wavefront stored acoustic field information and produce high-fidelity complex acoustic fields. Benefiting from the huge spatial information that traditional acoustic elements cannot matc... Acoustic holograms can recover wavefront stored acoustic field information and produce high-fidelity complex acoustic fields. Benefiting from the huge spatial information that traditional acoustic elements cannot match, acoustic holograms pursue the realization of high-resolution complex acoustic fields and gradually tend to high-frequency ultrasound applications. However, conventional continuous phase holograms are limited by three-dimensional(3D) printing size, and the presence of unavoidable small printing errors makes it difficult to achieve acoustic field reconstruction at high frequency accuracy. Here, we present an optimized discrete multi-step phase hologram. It can ensure the reconstruction quality of image with high robustness, and properly lower the requirement for the 3D printing accuracy. Meanwhile, the concept of reconstruction similarity is proposed to refine a measure of acoustic field quality. In addition, the realized complex acoustic field at 20 MHz promotes the application of acoustic holograms at high frequencies and provides a new way to generate high-fidelity acoustic fields. 展开更多
关键词 discrete multi-step phase hologram econstruction quality 3D printing accuracy high-fidelity
原文传递
p-GaN HEMT强电磁脉冲损伤效应与防护设计研究
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作者 王蕾 柴常春 +3 位作者 赵天龙 李福星 秦英朔 杨银堂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期34-43,共10页
如今,恶劣的电磁环境已经对电子系统的安全构成了严重威胁。氮化镓基高电子迁移率晶体管的优异性能使其更加适合于高功率,高频应用领域。随着晶体外延材料质量的不断提高和器件工艺的改进,氮化镓器件向高功率和小型化方向快速发展,器件... 如今,恶劣的电磁环境已经对电子系统的安全构成了严重威胁。氮化镓基高电子迁移率晶体管的优异性能使其更加适合于高功率,高频应用领域。随着晶体外延材料质量的不断提高和器件工艺的改进,氮化镓器件向高功率和小型化方向快速发展,器件的可靠性和稳定性受到巨大挑战。深入研究了增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的强电磁脉冲损伤效应,通过分析器件内部多物理量分布的变化,探究其失效机理。研究结果表明,强电磁脉冲作用下器件的损伤主要是由自热效应、雪崩击穿和热载流子效应等不同的热累积效应引起的。在此基础上,进行了多重防护设计,并通过仿真研究进行了验证。结果表明,氧化铝作为钝化层材料可以增强器件的击穿特性,提高其抗电磁干扰能力;同时,也可以通过在源极和栅极串联电阻的方式提高器件的抗强电磁脉冲损伤能力。以上结论对于工作在恶劣电磁环境中氮化镓器件设计具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 氮化镓 电磁脉冲 损伤效应 防护设计
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一种WSN中的能耗优化动态路由算法 被引量:17
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作者 杨银堂 高翔 +1 位作者 柴常春 张剑贤 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期777-782,共6页
根据无线传感器网络中因节点有效传输半径对路由选择的制约,提出基于最小生成树(MST)的改进分簇多跳路由算法,改善因路由选择对网络能耗的影响.该算法利用Voronoi图的泊松过程特性优化簇首节点数,并结合MST动态调整簇内外节点的路由发... 根据无线传感器网络中因节点有效传输半径对路由选择的制约,提出基于最小生成树(MST)的改进分簇多跳路由算法,改善因路由选择对网络能耗的影响.该算法利用Voronoi图的泊松过程特性优化簇首节点数,并结合MST动态调整簇内外节点的路由发现实现网络能耗优化.仿真结果表明,该算法在开销容忍的前提下,网络负载均衡,并与相同仿真条件下基于LEACH的分层多跳算法相比,更有效地延长了网络寿命,且降低了计算复杂度. 展开更多
关键词 无线传感器网络 VORONOI图 分簇 泊松过程
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一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核 被引量:8
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作者 杨银堂 佟星元 +1 位作者 朱樟明 管旭光 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第12期2993-2998,共6页
该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Sig... 该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Significant-Bit)+3LSB(Least-Significant-Bit)"R-C混合D/A转换方式,有效减小了IP核的面积,并通过采用高位电阻梯复用技术有效减小了系统对电容的匹配性要求。在比较器的设计上,通过采用一种低失调伪差分比较技术,有效降低了输入失调电压。在版图设计上,结合电容阵列对称布局以及电阻梯伪电阻包围的版图设计方法进行设计以提高匹配性能。整个IP核的面积为322μm×267μm。在2.5V模拟电压以及1.2V数字电压下,当采样频率为200kS/s,输入频率为1.03kHz时,测得的无杂散动态范围(Spurious-Free Dynamic Range,SFDR)和有效位数(Effective Number Of Bits,ENOB)分别为68.2dB和9.27,功耗仅为440μW,测试结果表明本文ADC IP核非常适合嵌入式系统的应用。 展开更多
关键词 模数转换器(ADC) 逐次逼近寄存器(SAR) 触摸屏SoC CMOS 低功耗
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基于神经网络的硅通孔电热瞬态优化方法
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作者 刘正 杨银堂 单光宝 《微电子学与计算机》 2023年第11期104-111,共8页
针对三维集成微系统中高密度集成导致的热效应和复杂的多物理场耦合问题,提出了一种基于神经网络辅助人工蜂群的硅通孔电热瞬态优化方法,用于高效准确地分析三维微系统中硅通孔阵列的瞬态电热问题.利用有限元分析软件进行了电热耦合协... 针对三维集成微系统中高密度集成导致的热效应和复杂的多物理场耦合问题,提出了一种基于神经网络辅助人工蜂群的硅通孔电热瞬态优化方法,用于高效准确地分析三维微系统中硅通孔阵列的瞬态电热问题.利用有限元分析软件进行了电热耦合协同仿真,分析了设计参数(硅通孔半径、氧化物厚度、硅通孔间距)对硅通孔阵列中铜柱温度、微凸点温度等性能的影响.利用神经网络建立了设计参数与性能参数之间的映射关系.提出了一种具有性能约束的协同优化策略,并采用蜂群优化算法对设计参数进行优化.根据优化后的设计参数,有限元模拟结果与预测性能基本一致,结构的最高温度误差为2.6%.结论不仅证明了优化策略的可行性,且与传统有限元方法相比,该优化设计方法极大地缩短了仿真时间,简化了多场耦合中复杂数学分析. 展开更多
关键词 硅通孔 电热耦合 神经网络 蜂群优化 三维微系统
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CMOS斩波稳定放大器的分析与研究 被引量:14
8
作者 杨银堂 贺斌 朱樟明 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期167-171,共5页
对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减小调制后残余失调... 对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减小调制后残余失调电压的方法,总结了斩波稳定放大器最近的一些研究发现及其在一些新型产品中的应用,并归纳了斩波稳定技术的优缺点和应用范围。 展开更多
关键词 斩波稳定 放大器 低噪声 残余失调 CMOS
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一种用于14位1.28MS/sΣΔADC的数字抽取滤波器设计 被引量:7
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作者 杨银堂 李迪 石立春 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期315-319,共5页
设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8 V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输... 设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8 V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输出信号经过数字抽取滤波器后,信噪失真比(SNDR)达到了93.9 dB,满足设计要求.所提出的数字抽取滤波器-6 dB带宽为640 kHz,抽取后的采样频率为1.28 MHz,功耗为33 mW,所占面积约为0.4 mm×1.7 mm. 展开更多
关键词 ΣΔ调制器 模数转换器 数字抽取滤波器 FIR滤波器 CIC滤波器
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低压低功耗运算放大器结构设计技术 被引量:6
10
作者 杨银堂 李晓娟 +1 位作者 朱樟明 韩茹 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2005年第4期95-101,共7页
低电压、低功耗、动态摆幅达到轨到轨(Rail-to-Rail)的运放是实现SOC设计的核心,而相关的输入输出模块是其中的关键技术。本文分析了两种分别工作于弱反型区和强反型区的恒跨导Rail-to-Rail输入级,同时给出了低压和极低压下两种AB类控... 低电压、低功耗、动态摆幅达到轨到轨(Rail-to-Rail)的运放是实现SOC设计的核心,而相关的输入输出模块是其中的关键技术。本文分析了两种分别工作于弱反型区和强反型区的恒跨导Rail-to-Rail输入级,同时给出了低压和极低压下两种AB类控制输出级的实现方案,并对各方案进行了比较和总结。 展开更多
关键词 运算放大器 低压 低功耗 Rail—to—Rail 恒跨导 AB类
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考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型 被引量:3
11
作者 杨银堂 王凤娟 +2 位作者 朱樟明 刘晓贤 丁瑞雪 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3011-3017,共7页
该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85&#... 该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明,考虑MOS效应以后11S的最大减幅大约为19 dB,21S的最大增幅大约为0.01 dB,锥型TSV的传输性能得到改善。 展开更多
关键词 集成电路 锥型硅通孔 寄生电容 MOS效应 泊松方程
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异步超前进位加法器设计 被引量:3
12
作者 杨银堂 徐阳扬 +1 位作者 周端 弥晓华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期33-37,共5页
提出了一种新的高速加法器电路.该加法器采用混合握手协议,将超前进位与异步自定时技术相结合,根据进位链出现的概率大小来分配进位路径,可以在保持异步结构低功耗的同时提高运算速度.仿真结果表明,在SMIC 0.18μm工艺下,32位异步超前... 提出了一种新的高速加法器电路.该加法器采用混合握手协议,将超前进位与异步自定时技术相结合,根据进位链出现的概率大小来分配进位路径,可以在保持异步结构低功耗的同时提高运算速度.仿真结果表明,在SMIC 0.18μm工艺下,32位异步超前进位加法器平均运算完成时间为0.880932 ns,其速度是同步串行加法器的7.33倍,是异步串行加法器的1.364倍和异步进位选择加法器的1.123倍,且电路面积和功耗开销小于异步进位选择加法器. 展开更多
关键词 异步 并行 超前进位 加法器 自定时
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碳化硅半导体技术新进展 被引量:6
13
作者 杨银堂 高洪福 温浩宇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期478-482,共5页
介绍了SiC材料的生长及器件制备技术,分析了目前SiC器件及集成电路等方面的研究现状,并讨论了存在的各种问题.
关键词 碳化硅 化学气相溶积 晶体生长
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BCD集成电路技术的研究与进展 被引量:12
14
作者 杨银堂 朱海刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期315-319,共5页
飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BC... 飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。 展开更多
关键词 BCD 智能功率集成电路 DMOS射频集成电路 SOI
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半导体基片上薄膜应力的测试装置 被引量:4
15
作者 杨银堂 付俊兴 +1 位作者 周端 孙青 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期298-301,共4页
半导体基片上薄膜应力的测试装置*杨银堂付俊兴周端孙青(西安电子科技大学西安710071)0引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响[1],随着器件集成度的提... 半导体基片上薄膜应力的测试装置*杨银堂付俊兴周端孙青(西安电子科技大学西安710071)0引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响[1],随着器件集成度的提高和新结构、新工艺的开发,这种影响... 展开更多
关键词 半导体器件 薄膜 应力测试
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SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性 被引量:2
16
作者 杨银堂 贾护军 +2 位作者 李跃进 柴常春 王平 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期498-500,共3页
采用Ti/N i/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transm ission LineMethod,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω.cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定。
关键词 碳化硅 欧姆接触 离子注入 传输线法
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256MHz采样71dB动态范围连续时间ΣΔADC设计 被引量:3
17
作者 杨银堂 袁俊 张钊锋 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期10-15,共6页
宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能的影响.还从电路、... 宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能的影响.还从电路、算法和版图方面来降低反馈数模转换器失配的影响.由于米勒补偿增加了电容而增大功耗,因此这里采用前馈补偿技术,设计了一款低功耗、高速的运算放大器.最后基于0.13μm工艺,在256MHz采样频率、1.2V电源电压下,在8MHz带宽内信噪失真比达到62.5dB和71dB动态范围,功耗为15mW. 展开更多
关键词 模数转换器 连续时间 ΣΔ型数模转换器
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基于准浮栅技术的超低压运算放大器 被引量:2
18
作者 杨银堂 任乐宁 付俊兴 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期501-503,527,共4页
分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大... 分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW. 展开更多
关键词 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS
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一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计 被引量:2
19
作者 杨银堂 李娅妮 朱樟明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期439-443,共5页
采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电... 采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电压对输入级跨导的影响,输出采用前馈式AB类输出级,以提高动态输出电压范围。基于标准0.18μmCMOS工艺仿真运放,测得输出范围0.4~782.5mV,功耗48.8μW,电源抑制比58dB,CMRR65dB,直流开环增益63.8dB,单位增益带宽2.4MHz,相位裕度68°。版图设计采用双阱交叉空铅技术,面积为97.8μm×127.6μm。 展开更多
关键词 衬底驱动 低压低功耗 轨对轨 恒定跨导 前馈式AB类输出
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低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究 被引量:1
20
作者 杨银堂 王平 +4 位作者 柴常春 付俊兴 徐新艳 杨桂杰 刘宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期359-365,共7页
低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入... 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0 展开更多
关键词 高密度等离子体刻蚀工艺 低气压 刻蚀轮廓 数值模拟 离子流通量 物理模型 刻蚀速率
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